- 新日本无线现开发完成了GaAs MMIC NJG1139UA2，并已开始供货了。该产品是设有旁通电路的宽带低噪音放大器，最适合于便携式数字电视。
【开发背景】
近年来，随着便携式设备和汽车导航仪等可接收地面数字广播的产品越来越多，为了提高终端的接收灵敏度、市场需求具有高增益/高线性度/低噪音指数的低噪音放大器(以后称作LNA)。为了适应市场的要求，新日本无线开发了NJG1129MD7(08年12月公布)。NJG1139UA2是在此之上采用了小型化封装，减少了外部元件，并为了更加容易使用而开
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新日本无线 放大器 GaAs
- Strategy Analytics 砷化镓 (GaAs) 及化合物半导体研究部门发布最新报告“砷化镓 (GaAs) 行业预测 : 2008-2013”。分析指出，全球经济衰退造成砷化镓 (GaAs) 行业2008年的年增长率由先前预测的9%降至6%;而2009年砷化镓 (GaAs) 市场的预计收益为35亿美元，比2008年下降5%，完全抵消前一年的增长。
Strategy Analytics 的砷化镓 (GaAs) 及化合物半导体技术市场研究部主管 Asif Anwar
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GaAs 半导体 消费电子 光纤
- Strategy Analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结，2008年半绝缘砷化镓(SI GaAs)外延衬底市场年增长率达到22%，但 Strategy Analytics 预计2009年该市场将持平或转负增长。借助下一代蜂窝手机平台上嵌入多砷化镓(GaAs)器件，以及来自其它市场对砷化镓 (GaAs) 器件的需求，半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场在2010年将恢复增长。
一直
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GaAs 外延衬底 FET HBT
- Strategy Analytics 砷化镓及化合物半导体技术 (GaAs and Compound Semiconductor Technologies) 研究服务发布最新研究报告“来自 Satcom/VSAT 市场的 GaAs 设备机会：2008-2013”。报告指出长设计周期，加之被抑制的消费需求，将使得 VSAT 比大多数其他通信市场能够更好的经受住目前经济风暴的考验，并且转化为对砷化镓 (GaAs) 设备的稳定需求。
砷化镓 (GaAs) 半导体技术广泛用于空间
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GaAs 卫星通信 微波集成电路
- 介绍了基于GaAs PHEMT工艺设计的一款宽带反射型MMIC SPST开关的相关技术，基于成熟的微波单片集成电路设计平台开展了宽带SPST开关设计。工作频率范围为DC~40 GHz，插入损耗≤0．8 dB，隔离度≥25 dB，驻波比≤1．4：l。同时，对电路的通孔特性进行了分析，对电路设计流程进行了阐述。要获得期望带宽的开关，如何选择控制器件的通孔连接方式，以及通孔数量对插入损耗等性能的影响。最终，具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成单刀单掷开关电路成功开发。
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GaAs MMIC SPST GHz
- 新日本无线已开发完成了最适用于1SEG信号用调谐器模块的宽带低噪声放大器（下称LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，现开始样品供货。
近年来，手机和车载导航等能接收1SEG信号产品在不断地增加，因终端接收信号灵敏度不足，故具有高增益／高线性／低噪声的高性能LNA是市场需要。新日本无线为满足这种市场需求，开发了NJG1134HA8（08年3月27日发表）。NJG1129MD7就是为了满足市场所求的更高灵敏度，所开发了1SEG用宽带LNA GaAs MMIC。
该产品是可支持47
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新日本无线 宽带低噪声放大器 GaAs MMIC NJG1129MD7
- CAN总线在GaAs光电阴极制备测控系统中的应用成功的解决了系统测控信息量多，对可靠性和实时性要求高的难题，该测控系统的研制成功将有利于对GaAs光电阴极制备工艺进行深入的理论研究，促进提高GaAs光电阴极的制备水平，该系统具有良好的应用前景和推广价值。
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阴极 制备 系统 光电 GaAs CAN 总线 基于
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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CMOS 放大器 GaAs
- Hittite Microwave Corporation近日推出两款SMT封装GaAs pHEMT MMIC增益单元放大器，适用于频率在50-4GHz的汽车、宽带，CATV，蜂窝/3G，WiMAX/4G以及固定无线应用。
HMC636ST89E和HMC639ST89E是GaAs pHEMT高线性增益单元放大器，无需外部匹配电路，从而成为竞争对手的理想替代品，如50MHz到4GHz的IF和RF应用AH-1与AM-1增益单元。
HMC636ST89E高线性增益单元放大器额定为200 MHz到
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放大器 Hittite SMT GaAs pHEMT
- Hittite Microwave Corporation近日推出一个新款GaAs MMIC有源X2倍频器，从而使设计者可以实现频率覆盖22到46GHz的连续输出。这一器件在时钟发生器，点对点无线电、军事和航空、VSAT以及测试设备应用中，还具有优越的基波和谐波抑制。
HMC598有源X2倍频器使用GaAs PHEMT技术，以裸片形式提供。器件由输入放大器、低转换损耗倍频器和一个输出缓冲放大器组成。当用+5 dBm输入信号驱动时，倍频器提供22到30 GHz的+15 dBm典 型输入功率。高输出
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Hittite 倍频器 有源 GaAs PHEMT
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