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- 摘要：在软件接收机的研究中，为了实现在GPS或者北斗模式下基带对射频前端数据的采集，在Altera公司的CycloneⅢ系列FPGA器件上采用VERILOG语言编写了SPI总线协议，完成了对射频前端芯片GPS／北斗两种工作模式的切换，
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FPGA SPI 总线 软件接收机
- 数年来固态硬盘正在变得越来越便宜和可靠，但相比大容量的硬盘而言，这种产品在容量和价格比上依然显得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相当于1TB的西部数据硬盘的价格。尽管如此，Gartner依然对SSD市场的前景十分看好，并认为到2012年下半年，固态硬盘将成为市场的主流，并预期到时候的价格将会下降到每1美元1GB，这意味着主流的SSD价格将下调到100美元以下，例如64GB64美元，从而开始被大众接受。
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NAND SSD
- 0 引言 计算机技术的高速发展，存储系统容量从过去的几KB存储空间，到现在的T8；乃至不久的将来要达到的PB存储空间，其数据存取的能力在飞速扩展。随之而来产生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和数据生命周期管
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FLASH NAND 储存 测试系统
- 5月13日消息，据国外媒体报道，全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称，它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何其它NAND闪存芯片都要快。
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三星 NAND
- SPI（serial peripheral interface，串行外围设备接口）总线技术是Motorola公司推出的一种同步串行接口。它用于CPU与各种外围器件进行全双工、同步串行通讯。它只需四条线就可以完成MCU与各种外围器件的通讯，这四条线是：串行时钟线（CSK）、主机输入/从机输出数据线（MISO）、主机输出/从机输入数据线（MOSI）、低电平有效从机选择线CS。当SPI工作时，在移位寄存器中的数据逐位从输出引脚（MOSI）输出（高位在前），同时从输入引脚（MISO）接收的数据逐位移到移位寄存器
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SPI 总线 工作方式
- 2011年全球NAND Flash中，全球三星电子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市场龙头，市占率高达36.2%，紧追在后的是东芝(Toshiba)，市占率达35.1%，两者合计掌握70%以上NAND Flash市场;根据市调机构TrendForce最新统计，2011年第1季NAND Flash品牌供应商的位元出货量为13%，营收成长9.9%，达53.63亿美元。
2011年第1季全球NAND Flash市场变化相当多，最大影响当属日本311东北强震，对
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三星电子 NAND
- ICP是一种在实际的目标电路板上烧写和擦除芯片的方法，无需从目标板上将芯片卸下来再编程实现用户程序的修改。这种方法适用于产品开发和代码升级。目前市面上很多芯片(如Philips公司的P89C51、P89V51和LPC932A1，STC
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在线 编程 Flash MC68HC908JB8 USB 总线 基于
- 据了解，由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。
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三星 NAND Flash
- 由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。
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三星 NAND 移动设备
- TMS320F2812(以下简称F2812)是美国德州仪器公司(TI)新一代32位定点数字信号处理器(DSP)，主要应用于逆变器控制、电机控制等领域，并拥有工作频率高达150 MHz的32位DSP内核处理器，可以高效可靠地实现自适应控制和状
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技术 在线 Flash 片内 TMS320F2812
- 由于智能型手机等行动装置应用驱动NANDFlash需求成长，加上日本强震造成东芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供货锐减50%，美光(Micron)看好NANDFlash产业将持续供不应求，除与英特尔(Intel)合资新加坡厂取得多数股权和产能，未来不排除再扩大NAND Flash产能，可行方案包括释出代工权给华亚科生产，或是启动新加坡二厂。美光指出，未来NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。
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美光 NAND
- 据韩国媒体报道，内存调研公司集邦科技发布最新研究数据，今年四月上旬NAND闪存芯片价格创下了7个月以来的新高水平，一定程度上反映了继上月日本地震海啸灾害中断相关供应链后芯片价格的总体情况。
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闪存 NAND
- 东芝宣布其开发出了“全球首款”(该公司)采用19nm工艺的64Gbit NAND型闪存。将从2011年4月底开始样品供货，2011年第三季度(2011年7～9月)开始量产。此次开发的64Gbit NAND芯片是2bit/单元产品，还计划推出3bit/单元产品和1bit/单元产品。不过，这些产品的上市时间目前“尚未确定”(东芝)。
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东芝 NAND
- NAND Flash嵌入式存储系统结构分析, 本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作为存储芯片，设计了一种在NFTL上实现坏块管理并且实现连续数据读取的方法。
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结构 分析 系统 存储 Flash 嵌入式 NAND
- 上周，Intel和镁光发表联合声明，正式推出采用20nm制程技术制造的NAND闪存芯片产品，并称这款产品将于年内在IMFT属下的工厂开始生产。不过两家的头名板凳还没有坐热，本周Sandisk和东芝组成的搭档组合便重新夺回了NAND闪存制程技术的宝座，他们宣称已经制造出了采用19nm制程技术的NAND闪存芯片，目前这两家公司在日本设有一家合资芯片制造公司。
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东芝 NAND
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