- 焊接绝缘栅（或双栅）场效应管以及CMOS集成块时，因其输入阻抗很高、极间电容小，少量的静电荷即会感应静电高压，导致器件击穿损坏。笔者通过长期实践摸索出下述焊接方法，取得令人满意的效果。1.焊绝缘栅场效应管。
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CMOS 焊 场效应管 集成电路
- CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方
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传感器 对比 图像 CCD CMOS 监控
- CCD（ChargeCoupledDevice）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOSImageSensor以下简称CIS）的主要...
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CMOS 图像传感器 CCD 图像传感器 CIS
- 威盛电子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器，这是USB3.0技术时代业内首款支持更高传输速度的整合单芯片解决方案。
USB3.0(即超速USB)的最大数据传输速度可达5Gbps，是现有USB2.0设备传输速度的10倍;此外，该技术还能提高外部设备与主机控制器之间的互动功能，包括能耗管理上的重要改进。
VIA VL810由威盛集团全资子公司VIA Labs研发，它实现在一个USB接口上连接多个设备从而扩展了计算机的USB性能。一个输出接口及四个输入接口不仅支持高
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威盛 USB3.0 CMOS
- 基于0.13微米CMOS工艺下平台式FPGA中可重构RAM模块的一种设计方法,1. 引言
对于需要大的片上存储器的各种不同的应用，FPGA 需要提供可重构且可串联的存储器阵列。通过不同的配置选择，嵌入式存储器阵列可以被合并从而达到位宽或字深的扩展并且可以作为单端口，双端口
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RAM 重构 模块 设计 方法 FPGA 平台 0.13 微米 CMOS 工艺
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随着集成电路技术的广泛应用及集成度的不断增加，超大规模集成电路(VLSI)的功耗、芯片内部的温度不断提高，温度保护电路已经成为了众多芯片设计中必不可少的一部分。本文在CSMC 0．5／μm CMOS工艺下，
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电路 保护 温度 CMOS 功能
- IBM研究人员开发出了基于极薄SOI(ETSOI)的全耗尽CMOS技术，面向22nm及以下节点。
在IEDM会议上，IBM Albany研发中心的Kangguo Cheng称该FD-ETSOI工艺已获得了25nm栅长，非常适合于低功耗应用。除了场效应管，IBM的工程师还在极薄SOI衬底上制成了电感、电容等用于制造SOC的器件。
该ETSOI技术包含了几项工艺创新，包括源漏掺杂外延淀积(无需离子注入)，以及提高的源漏架构。
该技术部分依赖于近期SOI晶圆供应商推出了硅膜厚度为6nm的S
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IBM CMOS 22nm SOC
- 锁相环在通讯技术中具有重要的地位，在调制、解调、时钟恢复、频率合成中都扮演着不可替代的角色。可控振荡器是锁相环的核心部分。最近，鉴于对集成电路低功耗和高集成度的追求，越来越多的研究人员投人到基于CMOS工
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CMOS 高频 压控振荡器
- 东芝公司今天在美国马里兰州巴尔的摩市举行的IEDM半导体技术会议上宣布，其20nm级CMOS工艺技术获得了重大突破，开启了使用体硅CMOS工艺制造下一代超大规模集成电路设备的大门，成为业界首个能够投入实际生产的20nm级CMOS工艺。东芝表示，他们通过对晶体管沟道的掺杂材料进行改善，实现了这次突破。
在传统工艺中，由于电子活动性降低，通常认为体硅(Bulk)CMOS在20nm级制程下已经很难实现。但东芝在沟道构造中使用了三层材料，解决了这一问题，成功实现了20nm级的体硅CMOS。这三层材料
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东芝 CMOS 20nm
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电源管理技术近几年已大量应用于便携式和手提电源中。电源管理系统包括线性稳压器、开关稳压器和控制逻辑等子系统。本文主要针对低压差线性稳压器进行研究。低压差线性稳压器是电源管理系统中的一个基
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稳压器 设计 线性 CMOS 集成 高性能
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运算放大器是数据采样电路中的关键部分，如流水线模数转换器等。在此类设计中，速度和精度是两个重要因素，而这两方面的因素都是由运放的各种性能来决定的。
本文设计的带共模反馈的两级高增益运
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CMOS 工艺 放大器 全差分
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