- 摘要：由于电动汽车及混合动力机车的电池工作电压范围较大，在刹车能量回收、发电机发电、短路保护等工况下，防止IGBT产生过压失效成为一个必须深入研究的课题。有源电压钳位功能作为防止IGBT过压失效的有效手段开始有所应用，本文对几种有源电压钳位的具体方式和效果进行了分析，并提出在有源电压钳位在电动汽车IGBT驱动应用中的优化建议。
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IGBT 电动汽车 201211
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台采用IR的新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越性能。
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IR Gen8 IGBT
- 摘要：针对并联有源电力滤波器在运行过程中会多次出现IGBT爆炸的问题，经过实验分析了IGBT的过电压形成过程。鉴于IGBT的关断时间极短，连接导线上寄生的微小杂散电感在高频开关的作用下会产生尖峰过电压，并与原有电
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SAPF IGBT 过电压 寄生电感
- 据IHS iSuppli公司的电源管理市场追踪报告，今年全球电源管理半导体市场预计大幅萎缩6%，主要归因于全球消费市场明显疲软。电源管理半导体对于各类设备节省能源至关重要。
2012年电源管理芯片营业收入预计从去年的318亿美元降至299亿美元。相比之下，去年该产业在2010年314亿美元的基础上小幅增长1.5%。
明年该市场将恢复增长，预计上升7.6%至322亿美元，略高于去年的水平。对于电源管理半导体产业来说，7.6%的增幅相当一般。继明年之后接下来的三年，市场将保持温和增长，2016
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IHS 电源管理 半导体 IGBT
- 由于工程师们都在竭尽所能地获得其电源的最高效率，时序优化正变得越来越重要。在开关期间，存在两个过渡阶段：低...
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电源设计 同步降压 FET 时序
- 国内外大多数光伏发电系统是采用功率场效应管MOSFET构成的逆变电路。然而随着电压的升高，MOSFET的通态电阻也 ...
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IGBT 光伏发电 逆变电路
- 斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位，它不仅关系到调速的技术性能，而且直接影响设备的运行安全和
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IGBT 大功率 斩波
- 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充NGBTxx系列1,200伏(V)沟槽型场截止(FS) 绝缘门双极晶体管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。
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安森美 IGBT
- 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引脚封装中集成功率 PFET 与控制 NFET 的高侧负载开关。该 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的业界最宽泛电源电压支持，是分立式 FET 开关的最灵活替代产品。
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TI TPS27081A FET
- 中心论题：由于汽车环境的复杂多变，EV和HEV中的IGBT模块要经受严峻的热和机械条件(振动和冲击)的考验在功率循环、热循环、机械振动或机械冲击试验中IGBT模块会出现的一些典型的故障模式厂商推出用于HEV的高可靠性IG
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IGBT 汽车应用 功率模块
- 中心论题：IGBT是一种复合全控型电压驱动式电力电子器件。驱动电路M57962L简介。M57962L的工作原理。解决方案：一个2.5V～5.0V的阀值电压使IGBT对栅极电荷集聚很敏感。检测管压降VCE的大小可识别IGBT是否过流。封闭性
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M57962L IGBT 驱动电路
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF，以此拓展绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 系列。全新600V超高速沟道IGBT能够为洗衣机和冰箱等家电与轻工业电机驱动应用提升性能及效率。
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IR 电机驱动器 IGBT
- 光电FET可以用作一只可变电阻，或与一只固定电阻一起用作电位器。H11F3M光电FET有7.5kV的隔离电压，因此能够安全地控制高压电路参数。但这些器件的非线性传输特性可能成为问题(图1)。为了校正这种非线性，可以采用一
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FET 光电 电位器 光耦
- 在计算和消费电子产品中，效率已经有了显著的提高，重点是AC/DC转换上。不过，随着80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等规范的出现，设计人员开始认识到，AC/DC和DC/DC功率系统都需要改进。 AC/DC平均系统
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改善 能量 效率 开关 FET 优化 变换器 基于
- 致力于能源、安全、可靠性与高性能领域，全球领先的半导体供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)系列的三款IGBT新产品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。
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美高森美 IGBT
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