- 影响工厂成本的主要因素有哪些? 答：Direct Material 直接材料，例如：蕊片 Indirect Material间接材料，例如气体… Labor人力 Fixed Manufacturing机器折旧，维修，研究费用……等 Production Support其它相关单位所花费的费用 在FAB内，间接物料指哪些? 答：Gas 气体 Chemical 酸，碱化学液&nbs
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FAB
- 当下的华夏大地，正被一股天翻地覆的英雄气概所笼罩。半导体集成电路正成为仅次于互联网机器人的热词。没有几个人能说得清，有多少条8吋、12吋生产线在运筹帷幄之中，又有多少大佬背着钱袋在这个“金矿”边上徘徊。中国历来的传统是，党指向哪里我们就冲向哪里。今天国家确定的目标，就是今后我们为之奋斗的战场。最近我们的行业领军人士已经开始注意到潜在的风险，我们在去“传统产能”的同时，会不会带来新的“高科技产能过剩”风险?这是我们每个行业从业者要认
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Fab GlobalFoundries
- 模拟、混合讯号晶圆代工厂X-Fab集团于9月30日宣布，将收购日前已进入破产程序的法国专业晶圆代工业者Altis Semiconductor，借此将可让Altis Semiconductor免于进入破产程序。实际收购价格方面，X-Fab未进一步对外透露。
根据外媒报导，Altis Semiconductor前身为美国IBM位于巴黎以南约40公里处的晶圆代工厂房，制程包含从8吋(200mm)晶圆产线到约130纳米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收购Altis Semiconductor将有助增
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X-Fab 晶圆
- 模拟、混合讯号晶圆代工厂X-Fab集团于9月30日宣布，将收购日前已进入破产程序的法国专业晶圆代工业者Altis Semiconductor，借此将可让Altis Semiconductor免于进入破产程序。实际收购价格方面，X-Fab未进一步对外透露。
根据EETimes等外媒报导，Altis Semiconductor前身为美国IBM位于巴黎以南约40公里处的晶圆代工厂房，制程包含从8吋(200mm)晶圆产线到约130纳米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收购Altis Semicondu
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X-Fab Altis
- Molex 公司推出新型 Lite-Trapä SMT (表面贴装技术) 线对板连接器系统，具有小巧的外观尺寸，满足纤薄型 LED 照明模块的应用要求。该按钮式连接器的高度仅为 4.20mm，与可拆卸电线式的连接器相比，是当今市场上外形最小巧的连接器之一并可实现最低的电线插入力。
Molex 产品经理 J.B. Jin 评论说：“Molex 致力于创新，通过设计出可以在电路板上降低组件高度的连接器系统，良好满足 LED 照明制造商的要求，从而实现更薄的设计，并减轻阴影或与光
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Molex Lite-Trap 连接器
- 全球Fab前道设备支出额预计在2013年将持平，大约在317亿美元,2014年会有24%的增长，至393亿美元,见2013年2月底出版的《SEMI全球设备预报》。该预报还指出，2013年全球fab厂设备支出增长点在于技术节点的更新，同时FAB厂建方面的支出会增加6.7%且主要集中在中国。该预报参考了2013年超过180家机构的设备支出。
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Fab 电子制造
- 全球Fab前道设备支出额预计在2013年将持平，大约在317亿美元,2014年会有24%的增长，至393亿美元,见2013年2月底出版的《SEMI全球设备预报》。该预报还指出，2013年全球fab厂设备支出增长点在于技术节点的更新，同时FAB厂建方面的支出会增加6.7%且主要集中在中国。该预报参考了2013年超过180家机构的设备支出。
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Fab 设备
- X-FAB Silicon Foundries日前发表XT018，世界首创180奈米200V MOS的独立沟槽电介质(SOI)的工艺。这种完全隔离型的模块化工艺让不同电压的区块能够整合在单一芯片上，大幅减少了印刷电路板的组件数量，也避免栓锁效应(latch-up)更提供对抗电磁干扰的卓越性。
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X-FAB XT018 MOS
- X-FAB Silicon Foundries 宣布，已经增加在总部位于德国的 MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI)公司持股，从25.5%提高到51%，成为后者的最大股东，并将MFI重新命名为X-FAB伊策霍微机电系统晶圆厂(X-FAB MEMS Foundry Itzehoe)。
上述动向反映了X-FAB对MEMS制造服务与技术的重视。伊策霍(Itzehoe)厂补强了X-FAB 微机电系统晶圆厂最近在艾尔福特宣布的MEMS功能与资源，增添微感测器、致动器、微光学结构与
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X-FAB 微感测器 MEMS
- X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德国MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份，从25.5%提高到51%，成为其大股东，同时将MFI更名为X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。
此举表明X-FAB注重于MEMS生产服务与技术。Itzehoe工厂补充了最近公布的埃尔福特X-FAB MEMS晶圆厂的MEMS的生产能力及资源，添加了微感应器、制动器、微光学结构与密封晶片级封装工艺的相关技术。
X-FAB MEMS Found
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X-FAB 微感应器 MEMS
- X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德国MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份，从25.5%提高到51%，成为其大股东，同时将MFI更名为X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。
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X-FAB MEMS MFI
- 瑞典斯德哥尔摩，2012年10月11日–为3G和4G基础架构设备提供操作系统方案的全球领先供应商Enea®(NASDAQ OMX Nordic:ENEA)，今日宣布推出内存数据库系统Polyhedra的免费版本Polyhedra Lite。
Polyhedra产品特别针对嵌入系统的开发者而设计，对该领域而言，容错系统等功能非常重要。然而，对许多用户而言，高有效性并非头等大事，他们只是想要一个迅速而灵活的关系数据库系统，用于个人或公司内部用途。
相较于Polyhedra 的32位模式完整版，
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Enea 内存 Polyhedra Lite
- 为3G和4G基础架构设备提供操作系统方案的全球领先供应商Enea®(NASDAQ OMX Nordic:ENEA)，今日宣布推出内存数据库系统Polyhedra的免费版本Polyhedra Lite。
Polyhedra产品特别针对嵌入系统的开发者而设计，对该领域而言，容错系统等功能非常重要。然而，对许多用户而言，高有效性并非头等大事，他们只是想要一个迅速而灵活的关系数据库系统，用于个人或公司内部用途。
相较于Polyhedra 的32位模式完整版，Polyhedra Lite是一
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Enea Polyhedra Lite
- 德国艾尔芙特 – X-FAB Silicon Foundries，日前宣布为了MEMS的营运将在未来的三年投资5000万美金以上在无尘室、新设备、研发与人员，这些投资也反映X-FAB意义深远地聚焦在MEMS以因应预期中MEMS的成长。
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X-FAB MEMS
- X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高压工艺上增加高可靠性的嵌入式闪存(eFlash)方案。此方案提供了业界最少的光罩版数，32层，其中包含数字、模拟、高压元件、并闪存，而闪存只要额外2层光罩。对高阶片上混合信号系统芯片(SoCs)，此方案具有极高的性价比，其中的45V高压元件与嵌入式内存，EEPROM、非挥发性随机内存(NVRAM) 、嵌入式闪存(eFlash)，更适用于高速微处理器、数字电源、和车用电子。
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X-FAB 嵌入式闪存
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