了解欠压锁定（UVLO）如何保护半导体器件和电子系统免受潜在危险操作的影响。当提到电源或电压驱动要求时，我们经常使用简化，如“这是一个3.3 V的微控制器”或“这个FET的阈值电压为4 V”。这些描述没有考虑到电子设备在一定电压范围内工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之间的任何电源电压下正常工作，而具有4 V阈值电压的MOSFET可能在3.5 V至5 V之间获得足够的导电性。但即使是这些基于范围的规范也可能具有误导性。当VDD轨降至2.95V时，接受3.0至3.6 V电源电压的数字
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欠电压闭锁，UVLO MOSFET，IC
联电昨（2）日所推出业界首项RFSOI 3D IC解决方案，此55奈米RFSOI制程平台上所使用的硅堆栈技术，在不损耗射频（RF）效能下，可将芯片尺寸缩小逾45％，联电表示，此技术将应用于手机、物联网和AR/VR，为加速5G世代铺路，且该制程已获得多项国际专利，准备投入量产。 联电表示，RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智能手机对频段数量需求的不断增长，联电的RFSOI 3D IC解决方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了芯片堆栈时常见的射频干扰问题，将装置中
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5G 联电 RFSOI 3D IC
近日，晶圆代工大厂联电举行法说会，公布2024年第一季财报，合并营收546.3亿元新台币，较2023年第四季549.6亿元新台币减少0.6%，较2023年第一季542.1亿元新台币成长0.8%。第一季毛利率达30.9%，归属母公司净利104.6亿元新台币。联电共同总经理王石表示，由于电脑领域需求回升，第一季晶圆出货量较2023年第四季成长4.5%。尽管产能利用率微幅下降至65%，成本控管及营运效率提升，仍维持相对稳健获利。电源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服务器矽中介层需求推动下，特殊制程占总营收
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联电 3D IC
致力于提供高品质芯片的国内优秀模拟及数模混合芯片设计商上海类比半导体技术有限公司（下称“类比半导体”或“类比”） 宣布，其自主研发的创新型车规级电子保险丝（eFuse）——EF1048Q，将于近期在北京国际车展上瞩目登场。这款集先进设计理念、卓越性能与高度智能化于一体的电子保险丝，标志着类比半导体在汽车配电系统保护技术领域的重大突破，为全球汽车制造商提供了一款具有显著竞争优势的前装解决方案。卓越性能，打造极致安全保障EF1048Q采用QFN32封装，严格遵循AEC-Q100 Grade 1车规标准，确保在
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类比半导体 汽车配电保护 2024北京车展 电子保险丝 eFuse
汽车电气化推动了电子保险丝“eFuse”取代机械继电器和熔断器，以实现更紧凑、更高效的解决方案。NIV3071 eFuse 可保护下游电路免受过流、过温和接地短路事件的影响，并可通过开漏 FAULT 引脚提供故障指示器。该器件具有四个集成高侧通道，可以通过 EN 引脚独立控制，也可以并联在一起以用于更大的负载。该器件具有可配置的电流限制功能和导通时间，可支持多种负载。
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eFuse 安森美
光子学和电子学这两个曾经分离的领域似乎正在趋于融合。
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3D-IC
根据Knometa Research的数据显示，2026年，中国大陆将超越韩国和中国台湾，成为IC晶圆产能的领先地区，而欧洲的份额将继续下降。中国大陆一直在领先优势的芯片制造能力上进行大量投资，并将从除美洲以外的所有其他地区获取市场份额。此外，KnometaResearch预计，2024年全球IC晶圆产能年增长率为4.5%，2025年和2026年增长率分别为8.2%和8.9%。截至2023年底，中国大陆在全球晶圆月产能中的份额为19.1%，落后韩国和中国台湾几个百分点。预计到2025年，中国大陆的产能份额
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IC 晶圆 半导体市场
汽车电气化推动了电子保险丝“eFuse”取代机械继电器和熔断器，以实现更紧凑、更高效的解决方案。NIV3071 eFuse可保护下游电路免受过流、过温和接地短路事件的影响，并可通过开漏 FAULT 引脚提供故障指示器。该器件具有四个集成高侧通道，可以通过 EN引脚独立控制，也可以并联在一起以用于更大的负载。该器件具有可配置的电流限制功能和导通时间，可支持多种负载。
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202403 eFuse 安森美
2023年9月27日，在“2023北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会”期间，举办了一场关于双碳、可持续发展的研讨会——“集成电路下的绿水青山”。国家电网能源研究院原副院长、首席能源专家胡兆光教授分享了我国能源行业的发展现状与未来方向。
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202403 双碳 IC WORLD
AbstractTXB0104是应用在AM3352（Sitara MCU/MPU等）和EMMC
(嵌入式多媒体存储卡)芯片之间通信的双向自动检测电平转换芯片。当系统的软件资源配置不足，需要电平转换芯片自己识别信号传输方向的时候，需要注意外部硬件设计，不然可能会出现挂载时好时坏的失效情况。问题背景：EMMC与AM3352挂载失败，定位为TXB0104工作异常。实测中发现如图中线路所示：1.只有D0通道无信号，因为将D0数据线由主芯片（AM3352）侧飞线到EMMC，D0开始传输数据信号，eMMC挂载正常
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自动检测 IC TXB0104 电平 转换端口
美国新罕布什尔州曼彻斯特 - 运动控制和节能系统传感技术和功率半导体解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems（纳斯达克股票代码：ALGM）（以下简称Allegro）宣布推出高压电源产品组合中的第二款产品。Allegro 的 AHV85111 隔离栅极驱动器 IC 增加了重要的安全功能，同时简化了电动汽车和清洁能源应用（包括 OBC/DC-DC、太阳能逆变器和数据中心电源）中大功率能源转换系统的设计。Allegro 副总裁兼
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Allegro Power-Thru IC 隔离栅极驱动器
随着电子设备在家庭、办公室和工业中的普及，对高速、紧凑、低成本、可复位和可调节电路保护器件的需求越来越重要，以确保用户安全和最长的正常设备运行时间。传统熔断方法的熔断电流不准确、响应时间慢，而且通常保险丝更换不方便。随着电子设备在家庭、办公室和工业中的普及，对高速、紧凑、低成本、可复位和可调节电路保护器件的需求越来越重要，以确保用户安全和最长的正常设备运行时间。传统熔断方法的熔断电流不准确、响应时间慢，而且通常保险丝更换不方便。虽然从头设计一个合适的保护方案是可以的，但要在可重置的设备中满足苛刻的延迟和精
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DigiKey eFuse 电路保护
本文研究具有背靠背MOSFET的理想二极管以及其他更先进的器件。文中还介绍了一种集成多种功能以提供整体系统保护的理想二极管解决方案。二极管是非常有用的器件，对许多应用都很重要。标准硅二极管的压降为0.6 V至0.7 V。肖特基二极管的压降为0.3 V。一般来说，压降不是问题，但在高电流应用中，各个压降会产生显著的功率损耗。理想二极管是此类应用的理想器件。幸运的是，MOSFET可以取代标准硅二极管，并提供意想不到的应用优势。
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理想二极管 源选择器 eFuse
2023年11月16日消息，随着汽车的互联性不断提高、技术日益先进，对加强安全措施的需求也随之增加。各国政府和汽车OEM最新的网络安全规范开始包含更大的密钥尺寸和爱德华曲线ed25519算法标准（Edwards Curve ed25519）。为此，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日推出最新的信任锚点安全IC（Trust Anchor Security IC） TA101，可满足复杂的汽车和嵌入式安全用例。TA101 支持高达 ECC P521、SHA512、R
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Microchip TrustAnchor IC 汽车安全认证
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