全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布面向新兴的DDR5 DRAM服务器和客户端系统推出客户端时钟驱动器（CKD）和第三代DDR5寄存时钟驱动器（RCD）。凭借这些全新驱动器IC，瑞萨仍旧是唯一一家为双列直插式存储器模块（DIMM）、主板和嵌入式应用提供完整DDR5存储器接口组合的供应商。DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分别达到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的传输速度均有所提升。CKD支持高达7200MT/s的速度，是业内首款与小型DIMM
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瑞萨 时钟驱动器 RCD DDR5 DIMM
IT之家 6 月 7 日消息，内存厂商在今年第一季度推出了单条 48GB 的非二进制内存，双槽即可实现 96GB，四个内存插槽全插满可实现 192GB 的内存容量。美光今天宣布开始量产 4800MT/s 的 96GB 大容量 DDR5 RDIMM，其带宽相当于 DDR4 内存的两倍，并且完全符合第四代 AMD EPYC 处理器的要求。IT之家注：目前在服务器领域主要使用的内存类型 (DIMM) 有三种 ——UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM。RDIMM 全称为 Registered DIM
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美光 DDR5
IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已经完成了 1bnm 的开发，这是 10 纳米工艺技术的第五代，并对针对英特尔至强处理器的 DDR5 产品的内存程序进行验证。海力士的 DRAM 开发主管 Jonghwan Kim 说，1bnm 将在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等产品所采用。英特尔内存和 IO 技术副总裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特尔一直在与内存行业合作，以确保 DDR5 内存在英特尔至强可扩展平台上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一个针对
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海力士 DDR5
今日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。三星本次应用的前沿制造工艺，再次奠定了其在尖端DRAM技术方面的优势。"采用差异化的工艺技术，三星业内先进的12 纳米级DDR5
DRAM具备出色的性能和能效，"三星电子内存产品与技术执行副总裁Jooyoung
Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我们持续开拓DRAM市场的决心。这不仅意味着我们为满足计算市场对大规模数据处理的需求，提供高性能和高容量的产品，而且还将通过商业化的下一代
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三星电子 12纳米 DDR5 DRAM
IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布开发 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大规模量产 12 纳米工艺的 DDR5 DRAM。存储芯片行业当前正处于低谷期，三星通过量产 12nm 的 DRAM，希望进一步巩固其在该领域的领先地位。IT之家从三星新闻稿中获悉，与上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圆生产率提高了 20%，这意味着芯片尺寸比上一代更小，单个晶圆可以多生产 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗将使服务器和数据中
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三星 DDR5 DRAM
在行业下行周期时，新技术、新产品的诞生往往会成为振奋市场的关键点。当下DDR5 DRAM作为存储领域的新产品，逐渐成为各大企业竞逐的焦点。据外媒消息报道，行业专家认为三星、美光等公司正大力推动DDR5内存普及，以此遏制半导体市场下滑的趋势。公开资料显示，DDR5 DRAM是联合电子设备工程委员会（JEDEC）于2020年推出的最新DRAM规范，其性能比DDR4
DRAM高了一倍。据悉，为了更高的密度和更高的性能，DDR5有望采用最先进的DRAM单元技术节点，例如D1z或D1a
(D1α)代，这是1
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三星 美光 DDR5
集邦咨询预估第二季度 DDR5 Server DRAM（服务器内存）价格跌幅将收敛，由原预估 15%-20% 收敛至 13%-18%。
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DDR5 DRAM
服务器新平台英特尔Sapphire Rapids与超威Genoa机种量产在即，但近期市场上传出服务器DDR5 RDIMM的电源管理IC匹配性问题。研调机构集邦科技（Trendforce）认为，该情况将产生两种影响，DRAM原厂短期内将同步提升对芯源的采购比重，另外内存将停留在旧制程，因此预估第二季DDR5服务器DRAM价格跌幅将收敛。 首先，由于仅MPS（芯源系统）供应的电源管理IC无状况，DRAM原厂短期内将同步提升对芯源的采购比重。其次，目前原厂DDR5服务器DRAM生产仍停留在旧制程，短期内供给量难
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DDR5 服务器DRAM Trendforce
服务器新平台Intel Sapphire Rapids与AMD Genoa机种量产在即，但近期市场上传出Server DDR5
RDIMM的PMIC匹配性问题，目前DRAM原厂与PMIC厂商均已着手处理。TrendForce集邦咨询认为，该情况将产生两种影响，首先，由于仅MPS（芯源系统）供应的PMIC无状况，DRAM原厂短期内将同步提升对芯源的采购比重。其次，目前原厂DDR5
Server DRAM生产仍停留在旧制程，短期内供给量难免受此事件影响，故预估第二季DDR5 Server
DRAM
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Server DDR5 RDIMM PMIC
IT之家 4 月 10 日消息，在芯片低迷导致存储产品价格大跳水的背景下，三星电子第一季度业绩营业利润暴跌 95.8%，终于顶不住压力宣布减产。这是自 1998 年金融危机以来，三星时隔 25 年首次制定正式减产方案。据韩国《中央日报》援引业内人士消息，三星的减产计划聚焦以 DDR4 为代表的通用产品，位于华城市的内存产品线产量将削减 3 至 6 个月。消息人士表示，虽然产能有所增加（通过技术性减产），但与去年 2 月和 3 月的同期相比，晶圆总投入已经减少了 5-7%。三星电子在其华城和平泽园
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存储芯片 DDR4 DDR5 三星
近日，美光科技宣布，其用于数据中心的DDR5服务器内存产品组合已在第四代英特尔至强可扩展处理器上得到全面验证。据介绍，美光DDR5提供的内存带宽是前几代产品的两倍，这对于推动当今数据中心处理器内核的快速增长至关重要。过渡到DDR5将提供更高的带宽以释放每个处理器的更多计算能力，从而有助于缓解未来几年的潜在瓶颈。美光DDR5结合第四代Intel Xeon Scalable处理器使包括SPECjbb在内的广泛工作负载受益，与前几代相比，它在 Critical-jOPS（每秒 Java 操作数）基准测试中的性能
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美光科技 DDR5 服务器内存
IT之家 1 月 17 日消息，美光昨日宣布，公司旗下面向数据中心的 DDR5 服务器内存产品组合已在第四代英特尔至强可扩展处理器系列产品中完成验证。据介绍，美光 DDR5 所提供的内存带宽相比前几代产品实现了翻番。升级到 DDR5 将带来更高的带宽，有助于充分释放每台处理器的计算能力，从而缓解其未来几年可能面临的性能瓶颈。IT之家了解到，美光数据显示，SPECjbb 在关键 jOPS（每秒 Java 运行次数）的基准测试中，性能比前代产品提升了近 49%。除了更高的内存带宽和更强的性
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DDR5 美光
Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，公司旗下面向数据中心的DDR5服务器内存产品组合已在第四代英特尔®至强®可扩展处理器系列产品中完成验证。美光 DDR5 所提供的内存带宽相比前几代产品实现了翻番，为当今数据中心快速增长的处理器内核提供更强赋能。升级到 DDR5 将带来更高的带宽，有助于充分释放每台处理器的计算能力，从而缓解其未来几年可能面临的性能瓶颈。美光 DDR5 与第四代英特尔® 至强® 可扩展处理器强强联手，可为各
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美光 DDR5 英特尔至强
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