唐芯微电子(Infix-IP)Altera Stratix IV 530/820 FPGA单颗(MB3100-A5/8)和双颗(D-MB3100A)原型验证平台半年来在用户项目使用中，从性能、价格、稳定性来说已得到了用户的很高评价，当然，唐芯微人还是不失抓住每一次售后机会，把握用户提出的问题和建议，配合用户完成项目的同时对这款产品进行一次次优化修正，不但用户对唐芯微电子售后服务有了更进一步体会，而且几项技术成果的突破也让用户刮目相看。
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ASIC DDR2
摘要： 采用DDR2 SDRAM作为被采集数据的缓存技术， 给出了USB2.0与DDR2相结合的实时、高速数据采集系统的解决方案， 同时提出了对数据采集系统的改进思路以及在Xilinx的Virtex5 LX30 FPGA上的实现方法。
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DDR2 FPGA USB 数据采集
要FPGA与的数字信号采集系统。可以提供大容量的存储空间。提供优秀的系统适应能力。该方案通过计算机并口实现与计算机的通信 ,但是高性能的逻辑分析仪价格昂贵,而且存取深度不足限制了对于海量数字电视信号的分析能力
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SDRAM FPGA 数字电视信号 采集系统
采用90nm工艺制造的DDR3 SDRAM存储器架构支持总线速率为600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高带宽，工作电压低至1.5V，因此功耗小，存储密度更可高达2Gbits。该架构无疑速度更快，容量更大，单位比特的功耗更低，但问
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SDRAM FPGA DDR3 存储器
基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系统设计与仿真, 摘 要： 介绍了DDR2嵌入式系统的仿真模型以及Hyperlyxn仿真工具，并基于Hyperlyxn仿真工具对IBIS模型进行仿真分析，给出了一个具体的DDR2嵌入式系统的设计过程和方法。 现代电子设计和芯片制造技术正在飞速发展
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设计 仿真 系统 嵌入式 Hyperlynx DDR2 基于
基于SDRAM文件结构存储方式的数据缓存系统,O 引言 面对不同的应用场景，原始采样数据可能包含多种不同样式的信号，这给传统基于连续存储方式的数据缓存系统带来了挑战。除此之外，由于对不同信号的处理往往需要不同的数据帧结构，缓存系统的设计需要保存原
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方式 数据 系统 存储 结构 SDRAM 文件 基于
基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存储器接口控制器的设计, 本白皮书讨论各种存储器接口控制器设计所面临的挑战和 Xilinx 的解决方案，同时也说明如何使用 Xilinx软件工具和经过硬件验证的参考设计来为您自己的应用(从低成本的 DDR SDRAM 应用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 这样
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接口 控制器 设计 存储器 SDRAM Xilinx FPGA DDR2 基于
美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存，支持英特尔即将对平板电脑和上网本推出基于Intel® 凌动™ 的Oak Trail平台。尺寸和电池寿命对于平板电脑市场十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50纳米的2Gb DDR2内存将成为该市场的 理想存储解决方案。
美光的2Gb DDR2产品过渡到更先进的 50 纳米制程节点， 反映出美光对市场所需的技术的承诺和持续投资。从1Gb升级到2Gb 的元件除了容量提
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美光 50纳米 DDR2
镁光刚刚宣布基于50纳米制程的2Gb DDR2芯片，主要面向平板电脑市场。
该芯片采用低电压DDR2标准制造，可与英特尔开发代号Oak Trail的Atom系统协同工作，容量方面，该芯片从512Mb到2Gb不等，可构成从1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS内存条，实现8亿MT/s传输能力。
得益于较小的制程，这款芯片可以工作在1.55V的低压下，以降低系统的电源需求。
镁光预计这种DD2存储芯片将在2010年9月开始出样，年末之前量产出货。
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镁光 50纳米 DDR2
台系DRAM厂陆续启动多角化产品线策略，近期茂德悄悄与钰创进行结盟，将在中科12寸晶圆厂为钰创代工高容量256Mb DDR2产品，采用72纳米制程，目前已进入试产，这是茂德跨入消费性电子市场重要里程碑，对钰创而言，亦在SDRAM产能吃紧情况下获得及时雨。
2008~2009 年DRAM产业低潮虽然仅淘汰欧系奇梦达(Qimonda)，但各家DRAM业者都意识到太过执著于标准型DRAM产品，终究是一条不归路，因此自 2010年开始，陆续传出DRAM厂开始布局非标准型DRAM产品领域，包括SDRAM、
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Qimonda DRAM SDRAM
Cyclone II如何实现的DDR SDRAM接口,在不增加电路板复杂度的情况下要想增强系统性能，改善数据位宽是一个有效的手段。通常来说，可以把系统频率扩大一倍或者把数据I/O管脚增加一倍来实现双倍的数据位宽。这两种方法都是我们不希望用到的，因为它们会增加
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SDRAM 接口 DDR 实现 II 如何 Cyclone
力晶总经理王其国表示，目前12寸晶圆厂不论在标准型DRAM或是代工业务如LCD驱动IC芯片、SDRAM产品上，产能都相当吃紧，未来DRAM业者在转制程和盖新厂上，会因为财务问题而放缓脚步，因此短期内不担心供过于求的问题，尤其是相当看好智能型手机(Smart Phone)对于DRAM产能的消耗量，算是杀手级的应用，对于未来DRAM产业看法相当正面。
王其国表示，过去摩尔定律认为每隔18个月晶圆产出数量可多出1倍，但未来随著DRAM产业制程技术难度增加，制程微缩的脚步放缓，可能较难达成，加上现在转进
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力晶 SDRAM DRAM
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