采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存储器接口控制器的设计,本白皮书讨论各种存储器接口控制器设计所面临的挑战和 Xilinx 的解决方案，同时也说明如何使用 Xilinx软件工具和经过硬件验证的参考设计来为您自己的应用(从低成本的 DDR SDRAM 应用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 这样的更
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接口 控制器 设计 存储器 SDRAM Xilinx FPGA DDR2 采用
全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司 (NASDAQ: CDNS)，日前宣布Nufront(新岸线)的NS115芯片组采用了Cadence可配置的DDR3/3L/LPDDR2存储控制器与硬化PHY IP核，应用于其双核ARM Cortex –A9移动应用处理器。TSMC 40LP工艺， 32位DDR3/LPDDR2接口的数据传输速率最高可达800Mbps，并能提供对超薄笔记本、平板电脑和智能手机等产品至关重要的基于数据流量的自动功耗管理。 Cadence 的DDR3/3L/LPDDR2 IP
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Cadence DDR2 IP核
摘要：充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉电不消失、MATLAB/Simulink易产生矢量信号的特点，以FPGA为逻辑时序控制器，设计并实现了一种灵活、简单、低成本的矢量信号发生器。本文以产生3载波WCDMA为例，详细介绍了矢量信号发生器的设计方案与实现过程，使用Verilog HDL描述并实现了DDR2 SDRAM的时序控制和FPGA的逻辑控制。
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DDR2 SDRAM FLASH 201205
Stellamar 公司的数字ADC采用Xilinx公司的 XC3S400AN FPGA,平均功耗低50%,面积低50%,非常低的工作电压,高达14位的有效位,14位500Hz的SNR为90dB,数字典输出,数字测试,过采样,不会丢失码,极低的失调漂移,能用在苛刻的环
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StellamarXilinxXC3 StellamarXilinxXC S400 400
电路的功能OP放大器的输出振幅幅值为正负10~30V，需要数百伏幅值的静电激励器或压电器件就要使用专门的激励放大器，也有采用由耐高压晶体管组成的独立电路的。本电路主要应用OP放大器的直流特性，在OP放大器后面增加
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VP-P 400 高电压 电路功能
摘要：为了满足高速图像处理系统中需要高接口带宽和大容量存储的目的，采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的设计方法，提出一种基于VHDL语言的DDR2-SDRAM控制器的方案，针对高速图像处理系统中的具体情况，在Xilinx的ML506开发
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接口 设计 DDR2-SDRAM 理系 图像 处理 高速
摘要：采用DDR2SDRAM作为被采集数据的缓存技术，给出了USB2.0与DDR2相结合的实时、高速数据采集系统的解决方...
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USB2.0 DDR2 数据采集
DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，即双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，能够在时钟的上升沿和下降沿各传输一次数据，可以在与SDRAM相同的总线时钟频率下达到更高的数据传输率。虽然DDR2和DDR一样,都采用相同采样方式进行数据传输，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。
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Cyclone FPGA DDR2 III
唐芯微电子(Infix-IP)Altera Stratix IV 530/820 FPGA单颗(MB3100-A5/8)和双颗(D-MB3100A)原型验证平台半年来在用户项目使用中，从性能、价格、稳定性来说已得到了用户的很高评价，当然，唐芯微人还是不失抓住每一次售后机会，把握用户提出的问题和建议，配合用户完成项目的同时对这款产品进行一次次优化修正，不但用户对唐芯微电子售后服务有了更进一步体会，而且几项技术成果的突破也让用户刮目相看。
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ASIC DDR2
摘要： 采用DDR2 SDRAM作为被采集数据的缓存技术， 给出了USB2.0与DDR2相结合的实时、高速数据采集系统的解决方案， 同时提出了对数据采集系统的改进思路以及在Xilinx的Virtex5 LX30 FPGA上的实现方法。
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DDR2 FPGA USB 数据采集
基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系统设计与仿真, 摘 要： 介绍了DDR2嵌入式系统的仿真模型以及Hyperlyxn仿真工具，并基于Hyperlyxn仿真工具对IBIS模型进行仿真分析，给出了一个具体的DDR2嵌入式系统的设计过程和方法。 现代电子设计和芯片制造技术正在飞速发展
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设计 仿真 系统 嵌入式 Hyperlynx DDR2 基于
基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存储器接口控制器的设计, 本白皮书讨论各种存储器接口控制器设计所面临的挑战和 Xilinx 的解决方案，同时也说明如何使用 Xilinx软件工具和经过硬件验证的参考设计来为您自己的应用(从低成本的 DDR SDRAM 应用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 这样
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本文介绍了BGA7127主要特性和优势，功能方框图以及920 MHz 到 960 MHz，1930 MHz 到 1990 MHz，2110 MHz 到 2170 MHz和2405 MHz 到 2485 MHz的应用电路及相应的材料清单。NXP公司的BGA7127是 400-2700MHz 0.5W高线性
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线性 放大 技术 0.5W 400-2700MHz BGA7127 设计 基于
美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存，支持英特尔即将对平板电脑和上网本推出基于Intel® 凌动™ 的Oak Trail平台。尺寸和电池寿命对于平板电脑市场十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50纳米的2Gb DDR2内存将成为该市场的 理想存储解决方案。
美光的2Gb DDR2产品过渡到更先进的 50 纳米制程节点， 反映出美光对市场所需的技术的承诺和持续投资。从1Gb升级到2Gb 的元件除了容量提
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美光 50纳米 DDR2
镁光刚刚宣布基于50纳米制程的2Gb DDR2芯片，主要面向平板电脑市场。
该芯片采用低电压DDR2标准制造，可与英特尔开发代号Oak Trail的Atom系统协同工作，容量方面，该芯片从512Mb到2Gb不等，可构成从1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS内存条，实现8亿MT/s传输能力。
得益于较小的制程，这款芯片可以工作在1.55V的低压下，以降低系统的电源需求。
镁光预计这种DD2存储芯片将在2010年9月开始出样，年末之前量产出货。
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镁光 50纳米 DDR2
ddr2-400介绍
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