- 摩尔定律并未失效，可能无法像以前那样自动跳到下一世代制程，不过可以看到有很多公司在进行20 nm及以下的设计开发。
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摩尔定律 DRAM
- NAND快闪记忆体受惠固态硬盘(SSD)销售热络，加上智能手机搭载容量提高，带动近月价格持续上涨，创见、威刚等模组厂营运受惠，市场预期苹果将推出的iPhone 7拉货动能如何，将攸关NAND快闪记忆体价格续涨力道。
市场指出，上半年非苹阵营智能手机产品销售强劲，产品功能提升带动记忆体需求大增，加上6月三星西安厂因变电厂爆炸导致停工，带动NAND快闪记忆体价格上涨，主流产品在1个月内涨幅超过2成。
市况变化带动记忆体模组厂营运增温，创见表示，在涨价预期心理带动下，通路拉货力道明显回升，DRA
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NAND DRAM
- 韩国经济日报周二报导，国营福建晋华积体电路公司(音译：Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.)在来自联电(2303)技术的加持下，已着手建造半导体厂，将藉此切入DRAM市场。
来自产业内的讯息指出，福建晋华上周六已在晋江市，举行DRAM厂破土动工仪式，第一期工程投资规模预估来到370亿人民币，或相当于55亿美元，2018年投产后每月可产出6万片晶圆(32奈米)。
据报导，福建晋华将获得联电技术支援，且全球晶圆代工龙头台积电(2330)传也有参与投资，但未获
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DRAM 三星
- IC Insights近日调降2016年半导体产业成长率预测至-1%，表示英国脱欧也是为产业带来负面冲击的原因之一…
市场研究机构IC Insights近日调降了对2016年半导体产业的成长率预测，由原先的2%下修为-1%;该机构表示，调降产业成长率预测的主要原因，是基于全球经济表现衰弱，以及低迷不振的DRAM市场。
消 费性电子市场与半导体产业之间的连动关系越来越密切，IC Insights预期，2016年全球GDP与成长率仅2.3%;而GDP成长率若低于2.5%，被认为是
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半导体 DRAM
- 据韩媒BusinessKorea报道，IBM和三星近日在IEEE上发布研究论文称，两家公司联手打造了一种被称为STT-MRAM的新内存，有望成为目前DRAM内存的最实际接替者。
DRAM，即动态随机存取存储器，目前最大的发展障碍就是其很难被压缩至10nm以下，因此两家公司研发的STT-MRAM(自旋传输磁性记忆体)首先就将解决这一问题。
另外，新内存也将拥有更高的传输速度且更加省电，理论性能也将超越DRAM。
业界认为，这可能是目前DRAM的最佳接替者，因为95%的DRAM制造设施都
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三星 DRAM
- 一条有关中国集成电路产业的重要新闻：
《晋江市集成电路产业发展规划(2016-2025)》于11日在北京通过专家论证，一个千亿规模的集成电路全产业链正在此兴起。
与会专家表示，《发展规划》立足晋江、对标国内、放眼全球，符合区域实际、切合国内格局、贴合产业方向，具有较强的指向性和操作性。
老杳不是专家，不过即使从表述文字也可以看出其中众多蹊跷，在集成电路领域一穷二白的晋江市，仅仅一个集成电路的产业规划就意味着“千亿规模的集成电路全产业链正在此兴起”?又如何推演出
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DRAM 集成电路
- 长久以来，半导体产业的“健康状况”与全球经济成长息息相关，很少有强大的半导体市场，没有好的世界经济在背后支撑它。在七月推出的2016年McClean报告中，市调机构ICInsights预测，今年全球GDP成长率仅2.3%，低于全球不景气门槛(RecessionThreshold)的2.5%。
受到DRAM市场的需求下降与英国脱欧影响，整体半导体市场成长率将下滑。
目前，在许多地区中，地方经济逐渐趋缓，即便是中国，这个个人电脑、数位电视、智慧型手机、新型商用飞机与汽车
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DRAM 半导体
- 记者12日从福建晋江市委宣传部获悉，《晋江市集成电路产业发展规划(2016-2025)》(以下简称“《发展规划》”)于11日在北京通过专家论证，一个千亿规模的集成电路全产业链正在此兴起。
据介绍，《发展规划》描绘了泉州晋江未来十年(2016-2025)集成电路产业的发展蓝图，提出到2025年，将构建千亿规模的集成电路全产业链生态圈、资源生态圈、智能生态圈、企业生态圈。
论证会由工信部电子一所副所长万鹏远主持。在3个多小时的论证会上，中科院半导体所所长李树深，中科院微
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集成电路 DRAM
- 由于记忆体原厂端供货吃紧，一线PC-OEM客户于六月提前与DRAM厂洽谈第三季合约价格，集邦科技旗下DRAMeXchange预估第三季DRAM合约价上涨趋势确立，涨幅约4～8%。
DRAMeXchange 研究协理吴雅婷表示，经过近两年的续跌，6月合约价已呈现持平，普遍用12.5美元价格议定完成。DRAMeXchange最新报价显示，DDR3 4GB合约均价从2014年10月的32.75美元下跌至今年六月的12.5美元，跌幅高达62%。
吴雅婷表示，第三季的DRAM合约均价起涨，起因于标准
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集邦科技 DRAM
- 行动记忆体需求暴增，在晶片制造商穷于应付的同时， PC用DRAM却也因此受惠，现货价格持续攀升。
据日经新闻报导，行情指标4-Gigabit DDR3 DRAM过去一个月上涨6%，目前来到1.74美元，某些产品甚至还涨到2美元以上。PC出货量萎缩、需求能见度明明不佳，但PC用DRAM价格之所以还能往上攀升，是因为美光等记忆体大厂将部分产能移作生产行动产品，以致供给减少。
PC制造商夏季机种目前已陆续上市，尽管此时季节性需求已开始减缓，但许多专家仍旧看好DRAM这波反弹行情将一直延续至九月，
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PC DRAM
- 一个董事席位不至于让知识产权轻松被转移。不过一个错误的决定却可能让台湾集成电路产业重蹈面板的覆辙。
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DRAM 集成电路
- DRAM产业因长期需求不振，合约价格已历经连续19个月的跌幅趋势。今年五月底DDR4合约均价为1.31美元，而DDR3仅1.25美元，各厂都面临庞大的成本压力。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)研究协理吴雅婷表示，第三季个人电脑(PC)将进入出货高峰、中国品牌智能手机出货持续走扬，再加上新一代iPhone 4.7”(2GB)及5.5”(3GB)的拉货动能，将消耗可观的DRAM产能。此外，各家DRAM供货商对于制程转进的态度趋于
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TrendForce DRAM
- 苹果iPhone 7已展开备货，记忆体容量倍增，销售也看好，业界预期第3季NAND快闪记忆体的需求将好转，大厂的产能将转向NAND快闪记忆体，这将带动DRAM市况也趋健康，记忆体模组厂创见、威刚、宇瞻等，预估下半年营运会比上半年好。
创见预期今年记忆体市况将比去年好转，主要因上游大厂资本支出较保守，产能增加有限，致使价格趋缓跌;受惠智能手机等产品储存容量不断上升，加上SSD取代硬盘态势成形，SSD需求强劲，储存型快闪记忆体(NAND Flash)下半年市况比DRAM佳。
威刚董事长陈立白日
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NAND DRAM
- 台存储器模组厂威刚董事长陈立白指出，观察国际龙头大厂动向，全球DRAM军备竞赛可望在韩系龙头三星电子(Samsung Electronics)节制资本支出的情况下停止，预计DRAM价格在2016年第2季落底，9月前后DRAM景气将好转，为期两年半的DRAM空头市场将走完。
陈立白认为，三星在DRAM的资本支出上踩煞车，影响接近45%的供货，接下来就要看SK海力士的态度，如果海力士也认同避免军备竞赛的移动，开始节制资本支出，对产业来说就是美事一桩。
据台存储器模组业者表示，SK海力士新董事长
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威刚 DRAM
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