- 随着信息处理技术的不断提高，压力传感器芯片的研制与生产工艺的稳定性和可靠性也发生了革新，这在一定程度上推动了其应用发展（压力传感器应用）。那么，对于压力传感器芯片的知识，我们又了解多少呢?小编通过搜集整
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MEMS 构造 介绍 原理 SCA2095 传感器 芯片 压力
- 未来几年由于消费者对传统机电式电表的更新换代，智能电表市场预计将以每年两位数的速度增长。智能电表使用最新的集成电路(IC)技术进行精确测量并报告消耗的电量，智能电表比机电式电表复杂，但更加注重测量数据的完
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CMOS 数字隔离器 智能电表 中的应用
- 1、引言小型会议系统或语音群聊系统是由多路音频电路组成的.为了使通话井然有序,需要通过音频交换电路来控制各路音频信号的输出。音频交换电路主要用于完成语音信号的切换。以实现同频终端的话音通信。经对可靠性、经
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知识 解析 方案 相关 各种 单片 集成电路 MT8816AE CMOS
- 摘要 基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工艺设计了一种ESD保护电路。整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M的0 6mu;m CMOS 工艺的工艺库(06mixddct02 x24)仿真，基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工艺完成版图设计，并在一款多功能故
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ESD 保护 电路设计 芯片 数字 CMOS 多功能 基于
- ADI最近推出了一款号称业界功耗最低的MEMS加速度计产品ADXL362，据ADI微机械产品线高级应用工程师赵延辉介绍这是公司打造的以低功耗为主要特色的一款产品。
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ADI MEMS ADXL362
- 摘要：设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12～14bit精度，100MS／s采样频率的高速流
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CMOS 增益提高 运算 放大器设计
- CMOS针对CCD最主要的优势就是非常省电，不像由二极管组成的CCD，CMOS 电路几乎没有静态电量消耗，只有在电路接通时才有电量的消耗。这就使得CMOS的耗电量只有普通CCD的1/3左右，这有助于改善人们心目中数码相机是ld
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传感器 哪里 区别 CMOS CCD
- CMOS传感器的感光度一般在6到15Lux的范围内，CMOS传感器有固定比CCD传感器高10倍的噪音，固定的图案噪音始终停留在屏幕上好像那就是一个图案，因为CMOS传感器在10Lux以下基本没用，因此大量应用的所有摄像机都是用了
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CMOS 摄像机 什么
- CMOS传感器CMOS传感器是一种通常比CCD传感器低10倍感光度的传感器。光度一般在6到15Lux的范围内，CMOS传感器有固定比CCD传感器高10倍的噪音，固定的图案噪音始终停留在屏幕上好像那就是一个图案，因为CMOS传感器在10
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/SDDS 传感器 CMOS 什么
- 每年生产10多亿部手机的手机市场已成为半导体产业中竞争最激烈的领域。一直有这种说法：诸如砷化镓（GaAs）、横向 ...
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CMOS 功率放大器 单芯片手机
- 全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最近推出一款业界功耗最低的MEMS加速度计ADXL362。ADXL362是一款3轴数字MEMS加速度计，在运动检测唤醒模式下功耗仅为300 nA，与最接近的竞争传感器相比，相同模式下的功耗低60%。在全速测量模式下，数据速率为100 Hz时，ADXL362的功耗为2 μA，比相同频率下工作的竞争MEMS加速度计低80%。极低的功耗使ADXL362可用于需要数月甚至数年电池寿命的应用，此类应用中更换电池可能不切实际或者对设备或操作人员有危险。
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ADI MEMS ADXL362
- mems (微机电系统)传感器;有三项MEMS技术产品：红外传感器、磁性传感器、测角传感器;在高档汽车中，大约采用25至40只MEMS传感器;1)MEMS传感器的大批量高精度生产和高可靠性及单价廉价，特别适宜在汽车电控系统中应用
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mems 汽车
- 摘要：利用ADI公司的MEMS陀螺仪ADXRS612和ADuC7026微控制器，对飞行器在垂直起降阶段进行姿态倾角测量。由于该陀螺仪随着时间的积累，会产生较大漂移，采用ADI公司的MEMS加速度计ADIS16210对倾角进行测量，并采用最小二乘拟合推算了陀螺仪漂移误差模型，以补偿陀螺仪漂移误差，提高了飞行器垂直起降时的姿态控制精度。
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MEMS 微控制器 201206
- AMD公司高级副总裁兼首席技术官Mark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生产工艺将有重大变化，将完全从现有的SOI制造工艺切换到28nm Bulk CMOS工艺。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改变。目前南方群岛系列GPU，已经采用台积电28nm工艺，而AMD秋季即将推出的海岛系列GPU将继续采用相同工艺，海岛系列GPU已经进入样品试生产阶段，在2012年年底开始生批量生产，在2013年第一季度正式发布。
在评论异构系统架构(HSA)联盟，是否用来应对英特尔和NVIDI
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ARM CMOS
- 摘要：由于CMOS器件静电损伤90％是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护CMOS
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