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DSP CCD CMOS+DPS
- MEMS压力传感器是基于 MEMS（微机电）技术，建立在微米/纳米基础上，在单晶硅片上刻融制作惠斯登电桥组成的硅应变计，这样制造的压力传感器具有输出灵敏度高，性能稳定，批量可靠性、重复性好等优点。下面从传感器的
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性能 分析 综合 传感器 压力 MEMS
- 一、前言：早期的模拟开关大多工作于plusmn;20V 的电源电压，导通电阻为几百欧姆，主要用于模拟信号与数字控制的接口，近几年，集成模拟开关的性能有了很大的提高，它们可工作在非常低的电源电压，具有较低的导通电
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CMOS 模拟开关 典型
- 功率半导体开发越来越趋向在器件支持的功能集中增添新的功能，从而提升电路设计灵活性。低压降(LDO)稳压器的...
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CMOS LDO 限流
- 赛迪顾问的行业电子咨询事业部总经理袁远认为，近两年来，汽车电子化发展的趋势愈加明显。汽车电子已经成为众多新车上市过程中重点宣传的亮点，从一键式启动、实时导航、智能泊车、移动办公到丰富的网络信息服务，汽车电子的生活化正在逐步影响着整车消费。
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汽车电子 MEMS 201208
- 飞思卡尔半导体 (NYSE:FSL)日前宣布，在2x2 mm小型封装中新推出新型高性能、低功率的三轴加速计。引脚兼容型 Xtrinsic MMA8652FC 12 位和 MMA8653FC 10 位加速计具有噪音低、运动精度高等特点，适用于对功率和空间具有限制的移动器件，包括智能手机、平板电脑、数码相机、便携式导航解决方案和医疗应用等。
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飞思卡尔 MEMS MMA865xFC
- 对MEMS振荡器的已超过四十个年头，然而最近才走向商用化，其中最大的一个障碍是开发一种经济并足够纯净的密闭封装系统。MEMS振荡器必须密封于非常洁净的环境，因为即使极小的表面污染物也会明显改变振荡频率。另外，
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MEMS 工艺技术 制造 硅
- 1 引言 随着光通信技术的迅速发展，MEMS光开关由于具有插入损耗和串话小、消光比高、稳定性好、透明性和可扩展性好、易于集成、偏振不灵敏等优点，将成为核心光交换器件的主流。其静电驱动是目前广泛研究的一
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MEMS 光开关测量平台
- 面向世界各地的集成元件制造商(IDM)和最终测试分包商，设计和制造最终测试分选机、测试座和负载板的领先厂商Multitest公司，在即将举行的2012年台湾Semicon 的第1185号展位将展出产品;展会定于2012年9月5-7日在中国台湾台北的世界贸易中心南港展览馆(TWTC Nangand Hall)举行。
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Multitest MEMS
- 基于单片机CMOS汽车电子调节器引言汽车电子化程度现已成为国际衡量汽车先进水平的重要标准，也正是由于这个原因推动和刺激当前汽车电子这一行业不断向前发展，各国都竞相发展，不断应用高新技术，提高汽车电气化性能
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CMOS 单片机 汽车电子 调节器
- 自1959年Richard Pfeynman提出微机电系统(MEMS)惯性传感器构想之后，历经几十年发展，现在，MEMS器件正以前所未有的速度在消费电子领域普及，它的出现使人们与电子设备的沟通方式发生革命性变化，电子设备不再禁锢于笨拙、低效，必须通过收发精确命令才能动作的工作模式，而是具有了“感知”的能力，仿佛具有了生命。
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飞思卡尔 MEMS 传感器
- 目前的MEMS压力传感器有硅压阻式压力传感器和硅电容式压力传感器，两者都是在硅片上生成的微机械电子传感器。硅压阻式压力传感器是采用高精密半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥作为力电变换测量电路的，具有较高的测量
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工作 原理 及其 结构 压力 传感器 MEMS
- 3 仿真分析及具体设计结果3.1 仿真分析在亚微米的ESD结构的设计中，一种常见的具体的ESD瞬态检测电压如图2 VDD-VSS间的电压钳位结构。其原理如下：主要利用结构中的RC延迟作用，一般T=RC被设计为100ns-1000ns之间，而
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VDD-VSSESD CMOS 亚微米 电路
- 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一，其ESD结构与工艺技术、特征尺寸密切相关，随着IC工艺技术的进一步发展，特征尺寸越来越小，管子的栅氧层厚度越来越
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VDD-VSSESD CMOS 亚微米 电路
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