- 意法半导体的传感器产品包括MEMS（微机电 传感器，包括加速度计、陀螺仪、数字罗盘、惯性模块、压力传感器和麦 ...
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半导体 MEMS 传感器
- STI3000动态晶圆级测试系统采用STI的专利技术（DST），通过一个驱动电压在晶圆上驱动MEMS移动，从而测量由此产生的 ...
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MEMS 动态 晶圆测试
- 全球领先的高性能信号处理解决方案供应商ADI，最近推出具有同类最高带宽和最低功耗的3轴、200 g数字MEMS(微机电系统)加速度计ADXL375。ADXL375 MEMS加速度计能够在±200 g满量程范围内连续测量撞击或冲击的持续时间和幅度，而不出现饱和。在高达1,600 Hz的全带宽条件下，这款新型传感器功耗为140 μA左右，功耗不到竞争传感器的一半，而采样速率却是其两倍以上。ADXL375适用于低功耗、电池供电的无线传感器系统，而这样的系统可用于冲击和震荡检测、运输、资产
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ADI MEMS ADXL375
- 多轴惯性传感器已日益受到医疗应用市场青睐。融合多轴感测功能的惯性MEMS元件，不论尺寸、功耗、精准度与可靠 ...
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多轴 传感器 MEMS
- 美国国家标准与技术研究所（NIST）日前展示一款采用微机电系统（MEMS）的延迟线内存控制器，可望作为未来量子电脑的暂 ...
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NIST 微机 MEMS 延迟线 内存控制器
- 表面声声波滤波器（SAW Filter，Surface Acoustic Wave Filter）对于手机的天线（收发）转换开关而言，可说是个重要支柱。2005年，美国安捷伦（Agilent）科技推出了BAW（Bulk Acoustic Wave）滤波器，不仅足足节省了3/4的电路板空间，更为MEMS微机电（micro-electro-mechanical systems）硬件开辟一条前往行动世界之路
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MEMS Apple 三星
- 随着LTE多频多模智能手机时代的来临，新一代智能手机要求在2G、3G模式基础上增加支持LTE模式及相应的工作频段 ...
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RF MEMS 软件 无线电
- 世界领先的8英寸晶圆代工厂之一，上海华虹宏力半导体制造有限公司(以下简称“华虹宏力”)和上海矽睿科技有限公司(以下简称“矽睿科技”)共同宣布，双方已结为战略合作伙伴，联合开发和生产新一代MEMS传感器。双方合作生产的首款产品，拥有自主知识产权的AMR磁传感器QMC6983，已于今日成功上市，成为矽睿科技和华虹宏力发力MEMS传感器市场的开端。该款产品是矽睿科技基于Honeywell公司AMR磁感应技术自主研发的第一款三轴单芯片磁传感器产品。
该款产
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MEMS 传感器
- 随着上海自贸区挂牌时间的临近，本周自贸热卷土重来：龙头股外高桥及陆家嘴连续收出两个涨停板，且涨势有向纵深方向扩散的迹象。此前，市场人士就已获悉，允许国外企业在华销售游戏机将是上海自贸区蓝图的一部分;本月23日晚间，百视通发布的与微软在上海自贸区组建合资公司的公告，更是令自贸区相关游戏机概念的炒作热潮一触即发，百视通昨日就强势涨停。
分析人士表示，百视通与微软在上海自贸区设立合资公司的举措表明，实行了十三年的游戏机禁令将在上海自贸区正式终结;在此背景下，预计与游戏机生产相关的软硬件公司，如水晶光电
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红外LED CMOS
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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ADI MEMS 麦克风 传感器
- 铜柱凸点和微焊点将改变倒装芯片的市场和供应链。之所以这样说，是因为除了移动产品用处理器和内存外，其他CMOS半导体也需要在比现在更小的芯片面积上实现更多的I/O个数以及更高的带宽，并采取更好的散热措施。
目前全球倒装芯片市场规模为200亿美元，以年增长率为9%计算，到2018年将达到350米亿美元。在加工完成的倒装芯片和晶圆中，铜柱凸点式封装的年增长率将达到19%。到2014年，已形成凸点的晶圆中将有50%使用铜柱凸点，从数量上来说，铜柱凸点式封装将占到倒装芯片封装市场的2/3。
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CMOS 倒装芯片
- 近日从位于无锡新区的中国传感网国际创新园获悉，针对当前国内传感器研发技术力量不足，由江苏物联网研究发展中心、无锡微纳产业发展有限公司和华润微电子等三方共建的国内首个完备MEMS智能传感器公共技术平台目前已进入实际运行阶段。依托该平台技术辐射，多家国内顶尖研发机构和企业已入驻，成为当地物联网产业的重要引擎。
MEMS(微机电系统)被认为是继微电子之后又一个对国民经济和军事具有重大影响的技术领域，具有体积小、功耗低、性能稳定等优点，也是物联网产业链中的最核心环节。今年2月，工信部发文明确将微型智能传
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MEMS 智能传感器
- 高介电常数(High-k) 金属闸极应用于先进互补式金氧半导体(CMOS) 技术的关键挑战是什么?
高介电常数/金属闸极(HKMG) 技术的引进是用来解决标准SiO2/SiON 闸极介电质缩减所存在的问题。虽然使用高介电常数介电质能够持续缩减等效氧化物厚度(EOT)，整合这些材料需对NMOS及PMOS 元件采用不同的金属闸极。为了以最低临界电压(从而为最低功率)操作元件，NMOS元件必须使用低工作函数金属而PMOS 元件则必须使用高工作函数金属。即便有许多种金属可供挑选，但其中仅有少数具有稳定的
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ASM CMOS
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