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cmos-mems 文章 进入cmos-mems技术社区

意法半导体(ST)高能效6轴MEMS传感器模块进一步推动智能手机升级为智能个人助理

  •   横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出了高度微型化的新一代6轴MEMS惯性传感器模块。新产品采用超低功耗设计,有助于强化智能手机作为“始终开启”的个人助理的新角色,提升数码相机、可穿戴式设备及遥控器、游戏机、无人机和虚拟现实设备的使用体验。  连续情景感知计算技术让智能手机等设备能够实时且智能地响应用户需求,但是要求超低功耗传感器最大限度地延长电池续航时间。  意法半导体的新产品LSM6DSL和LSM6D
  • 关键字: 意法半导体  MEMS  

CMOS和TTL集成门电路多余输入端处理方法

  •   本篇文章介绍了在逻辑IC中CMOS和TTL出现多余输入端的解决方法,并且对每种情况进行了较为详细的说明,希望大家能从本文得到有用的知识,解决输入端多余的问题。  CMOS门电路  CMOS门电路一般是由MOS管构成,由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔,在直流状态下,栅极无电流,所以静态时栅极不取电流,输入电平与外接电阻无关。由于MOS管在电路中是一压控元件,基于这一特点,输入端信号易受外界干扰,所以在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空。在使用时应采用以下方法:  与门和与非门电路  由
  • 关键字: CMOS  TTL  

干货分享:工程师教你如何设计D类放大器

  •   D类放大器首次提出于1958年,近些年已逐渐流行起来。那么,什么是D类放大器?它们与其它类型的放大器相比如何? 为什么D类放大器对于音频应用很有意义?设计一个“优质”D类音频放大器需要考虑哪些因素? 本文中试图回答上述所有问题。  音频放大器背景  音频放大器的目的是以要求的音量和功率水平在发声输出元件上重新产生真实、高效和低失真的输入音频信号。音频频率范围约为20 Hz~20 kHz,因此放大器必须在此频率范围内具有良好的频率响应(当驱动频带有限的扬声器时频率
  • 关键字: D类放大器  CMOS  

对比工业成像中的CCD及CMOS技术

  • 在工业应用的成像系统中,CCD是采用定制的半导体工艺生产,高度优化于成像应用,并需要外部电路将模拟输出电压转换为数字信号用于后续处理。具有高效的电子快门能力、宽动态范围和出色的图像均匀性。而CMOS图像传感器不像CCD将电荷传送到有限的输出端,而是放置晶体管在每一像素内,来进行电荷——电压转换。这令电压在整个器件中传输,使更快和更灵活的图像读取成为可能。
  • 关键字: 成像系统  图像传感器  CCD  CMOS  201604  

什么是TTL电平、CMOS电平?两者的区别

  •   TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的。COMS集成电路的许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接的,下面来说一下两者的区别。  什么是TTL电平  TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定,+5V等价于逻辑"1",0V等价于逻辑"0",这被称做TTL(晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统,这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。  TTL电平信号对于计算机处理器控制
  • 关键字: TTL  CMOS  

使用模拟开关实现信号复用

  •   要 点   模拟开关的主要规格是电压、导通电阻、电容、电荷注入、速度和封装。   介质绝缘工艺可防止一些开关的闩锁。   开关的工作范围从直流到 400 MHz ,甚至更高。   MEMS (微机电系统)开关在高频下运行良好,但存在可靠性问题,并且封装费用昂贵。   如果您是在仿真一个模拟开关,要确保对全部寄生成分的建模。   没有哪个 IC 原理图符号能比模拟开关的符号更简单(图 1a )。一个基本开关仅包括输入、输出、控制脚和一对电源脚。然而,在这简单的外观(图 1b )后面,隐藏着极
  • 关键字: 模拟开关  MEMS   

选择MEMS麦克风前置放大应用的运算放大器

  •   麦克风前置放大器电路用于放大麦克风的输出信号来匹配信号链路中后续设备的输入电平。将麦克风信号电平的峰值与ADC的满量程输入电压匹配能够最大程度地使用ADC的动态范围,降低后续处理可能带来的信号噪声。   单个运算放大器可以简单地作为MEMS麦克风输出的前置放大器应用于电路中。MEMS麦克风是一个单端输出设备,因此单个运算放大器级可用于为麦克风信号增加增益或仅用于缓冲输出。   该应用笔记包含了设计前置放大器时需要考虑的有关运算放大器规格的关键内容,展示了部分基础电路,还提供了适合用于前置放大器设计
  • 关键字: MEMS  运算放大器  

Bosch Sensortec:专注传感器,加速布局可穿戴设备和物联网应用市场

  •   2016年3月15日至17日,为期3天的亚太区电子元器件、组件和系统顶级专业展会—慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心开幕。  微电子机械(MEMS)传感器市场技术领导者——Bosch Sensortec携七款革命性新品参展,展示其在传感器市场的创新科技。Bosch Sensortec首席执行官兼总经理斯特凡·芬克贝纳博士和Bosch Sensortec亚太区总裁百里博先生亦在展会现场分享了传感器市场的最新趋势和领先科技,以及博世未来在传感器领域的发展战略。  在过去的十
  • 关键字: 博世  传感,MEMS,物联网  

芯片光传输突破瓶颈 频宽密度增加10~50倍

  •   整合光子与电子元件的半导体微芯片可加快资料传输速度、增进效能并减少功耗,但受到制程方面的限制,一直无法广泛应用。自然(Nature)杂志刊登一篇由美国加州大学柏克莱分校、科罗拉多大学和麻省理工学院研究人员发表的论文,表示已成功利用现有CMOS标准技术,制作出一颗整合光子与电子元件的单芯片。   据HPC Wire网站报导,这颗整合7,000万个电晶体和850个光子元件的芯片,采用商业化的45纳米SOI CMOS制程制作,与现有的设计和电子设计工具均相容,因此可以大量生产。芯片内建的光电发射器和接收器
  • 关键字: 芯片  CMOS  

使用CMOS集成电路需要注意的几个问题

  •   集成电路按晶体管的性质分为TTL和CMOS两大类,TTL以速度见长,CMOS以功耗低而著称,其中CMOS电路以其优良的特性成为目前应用最广泛的集成电路。在电子制作中使用CMOS集成电路时,除了认真阅读产品说明或有关资料,了解其引脚分布及极限参数外,还应注意以下几个问题。  1、电源问题  (1)CMOS集成电路的工作电压一般在3-18V,但当应用电路中有门电路的模拟应用(如脉冲振荡、线性放大)时,最低电压则不应低于4.5V。由于CMOS集成电路工作电压宽,故使用不稳压的电源电路CMOS集成电路也可以正
  • 关键字: CMOS  集成电路  

CSTIC 2016:半导体是推动技术革新的核心基础产业

  •   技术的革新进步改变着当今世界日常生活的方方面面。3月13日-14日,2016年中国国际半导体技术大会(CSTIC 2016)在上海国际会议中心隆重举行。与SEMICON China 2016同期举办CSTIC 2016是中国最大的半导体技术大会,成为国内探讨先进半导体技术的年度盛会。CSTIC由SEMI和IEEE-EDS主办,ICMTIA协办,由长电科技、中芯国际、爱德万测试等企业联合赞助。   大会特别邀请STM副总裁、MEMS传感器事业部总经理Andrea Onetti、英特尔高级研究员Dr.
  • 关键字: 半导体  MEMS  

2016慕尼黑上海电子展:博世新品报道

  •   2016慕尼黑上海电子展 (electronica China) 和慕尼黑上海电子生产设备展 (productronica China) 将于2016年3月15-17日在上海新国际博览中心E1,E2,E3,E4和W1,W2馆举办,展会将涵盖集成电路、电子元器件、组件及生产设备,全方位展示电子产业链的关键环节。  本届展览规模和品质将再次升级,来自20个国家的1,100多家展商集聚一堂,展示面积达62,000平方米,预计有超过56,000名的行
  • 关键字: 博世  MEMS  

关于电路的那些常识性概念

  •   一.TTL  TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源。  1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol  Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V  2.输入高电平和输入低电平  Uih≥2.0V,Uil≤0.8V  二.CMOS  CMOS电路是电压控制器件,输入电阻极大,对于干扰信号十分敏感,因此不用的输入端不应开路,接到地或者电源上。CMOS电路的优点是噪声容限较宽,静态功耗很小。  
  • 关键字: TTL  CMOS  

欧盟为5G打造III-V族CMOS技术

  •   欧盟(E.U.)最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOS SoC技术整合III-V族奈米半导体”(INSIGHT)研发计划,这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体 (CMOS)上整合III-V族电晶体通道。其最终目的则在于符合未来的5G规格要求,以及瞄准频宽更广、影像解析度更高的雷达系统。   除了IBM (瑞士),该计划将由德国弗劳恩霍夫应用固态物理研究所Fraunhofer IAF、法国LETI、瑞典隆德大学(Lund Universi
  • 关键字: 5G  CMOS  

安森美半导体推出先进的1300万像素CMOS图像传感器,采用SuperPD PDAF技术

  •   推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),进一步扩展成像方案产品阵容,推出最新的高性能CMOS数字图像传感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件,针对消费电子产品如智能手机和平板电脑。AR1337结合高性能的SuperPD™相位检测自动对焦(PDAF)像素技术,提供微光下300 ms或更少时间的对焦速度,即使微光低于25勒克斯(lux)。此外,AR1337通过采用其片上PDAF处理,大大简化集成到智能手机平台和提高相机模块集成商生产能力,较市场上其它
  • 关键字: 安森美  CMOS  
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