- 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。
Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲
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TTL，CMOS
- 简介：大部分的ESD电流来自电路外部，因此ESD保护电路一般设计在PAD旁，I/O电路内部。典型的I/O电路由输出驱动和输入接收器两部分组成。ESD 通过PAD导入芯片内部，因此I/O里所有与PAD直接相连的器件都需要建立与之平行的ESD低阻旁路，将ESD电流引入电压线，再由电压线分布到芯片各个管脚，降低ESD的影响。
引言
静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧 厚度越来越薄，芯片的面
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CMOS ESD
- 简介：不断的思考，不断的理解，不断的总结!希望大家坚持下去!
1、CS单管放大电路
共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得较高的电压增益。在直流分析时，根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点，而根据MOSFET的I-V特性曲线可知，MOSFET的静态工作点具有较宽的动态范围，主要表现为MOS管在饱和区的VDS具有较宽的取值范围，小信号放大时输入的最小电压为VIN-VTH，最大值约为VDD，假设其在饱和区可以完全表现线性特性，并且实现信号的最大限度放大【理想条件下】
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CMOS MOSFET
- 简介：CMOS和TTL集成门电路在实际使用时经常遇到这样一个问题，即输入端有多余的，如何正确处理这些多余的输入端才能使电路正常而稳定的工作?本文给出了解决这个问题的方法，供大家参考。
CMOS门电路
CMOS门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。由于MOS管在电路中是一压控元件，基于这一特点，输入端信号易受外界干扰，所以在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空。在使用时应采用以下
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CMOS TTL
- 简介：本文介绍了TTL电平和CMOS电平之间的区别以及使用注意事项等内容。
TTL：双极型器件，一般电源电压 5V，速度快(数ns)，功耗大(mA级)，负载力大，不用端多数不用处理。
CMOS：单级器件，一般电源电压 15V，速度慢(几百ns)，功耗低，省电(uA级)，负载力小，不用端必须处理。
CMOS 和 TTL 电平的主要区别在于输入转换电平。
CMOS：它的转换电平是电源电压的 1/2，因为 CMOS 的输入时互补的，保证了转换电平是电源电压的 1/2。
TTL：
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TTL CMOS
- 上海微技术工业研究院(SITRI)协办的第二届MIG亚洲会议上，全球传感器巨头畅谈了未来的MEMS传感器发展战略;会后本刊还采访了其他MEMS厂商，请他们谈了关注的方向。
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MEMS 数据分析 物联网 DLP 语音控制 201510
- 刚刚在上海闭幕的MIG大会，这次MEMS行业标杆型的会议首次在中国召开。这次大会无疑为中国MEMS市场的蓬勃前景又注射了一针强心剂。为期三天的会议针对MEMS全行业包括设计，生产，加工，终端等不同企业进行了全面的展示。在中国这样一个电子消费品大国，MEMS传感器的需求量不言而喻。其中，越来越多的份额被可穿戴设备以及物联网等非传统消费电子类产品所占有。
ADI亚太区微机电产品市场和应用经理 赵延辉
MEMS传感器在可穿戴设备上的应用设计与传统的手机等终端的应用设计有着不同的侧重点。对于这
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MEMS 传感器
- 一、CMOS门电路
CMOS 门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。由于MOS管在电路中是一压控元件，基于这一特点，输入端信号易受外界干扰，所以在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空。在使用时应采用以下方法：
1、与门和与非门电路：由于与门电路的逻辑功能是输入信号只要有低电平，输出信号就为低电平，只有全部为高电平时，输出端才为高电平。而与非门电路的逻辑功能是输入信号只要有低电平
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CMOS TTL
- 简介：继续把我在学习数字电路过程中的一些“细枝末节”小结一下，和大家共享。
1、在数字电路中，BJT一般工作在截止区或饱和区，放大区的经历只是一个转瞬即逝的过程，这个过程越长，说明它的动态性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止区或可变电阻区，恒流区的经历只是一个非常短暂的过程。因为我们需要的是确切的0、1值，不能过于“含糊”，否则数字系统内门电路之间的抗干扰性能会大打折扣!
2、数字IC内部很多门电路一般都是把许多CMOS管并联起来，这样
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CMOS BJT
- 1、CS单管放大电路
共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得较高的电压增益。在直流分析时，根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点，而根据MOSFET的I-V特性曲线可知，MOSFET的静态工作点具有较宽的动态范围，主要表现为MOS管在饱和区的VDS具有较宽的取值范围，小信号放大时输入的最小电压为VIN-VTH，最大值约为VDD，假设其在饱和区可以完全表现线性特性，并且实现信号的最大限度放大【理想条件下】，则确定的静态工作点约为VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
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CMOS 电路
- 点按手环关闭闹钟，打开手机APP看看昨晚的睡眠状态，这是每天伴随笔者的起床动作。整个过程中，智能手机、可穿戴产品都包含单个或多个传感器，正如联芯科技总裁钱国良在MIG亚洲大会上讲道，“传感器已无处不在!”
拿苹果iPhone 6为例，在全部76个芯片中，光MEMS产品有15-16个，占比约19%，随着更多传感器的应用，这一比例仍在持续上升。在追逐万物互联，智能生活的今天，传感器的发展变化将成为物联网时代“智能化”的关键因素。作为传感器芯片领域的&l
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MEMS 传感器
- 过去在半导体领域一直坐冷板凳的感测芯片，近期在物联网应用加持下全面翻红，除了既有国际大厂持续鲸吞全球微机电系统(MEMS)感测芯片市场版图，大陆MEMS感测芯片设计业者亦如雨后春笋般冒出，并吸引大陆上海市政府、中芯国际等加入蚕食商机行列，台积电亦不遑多让，企图打破国际IDM大厂独霸局面，透过转投资矽立(mCube)及扶植InvenSense等外商，全力冲刺感测器事业。
目前全球MEMS感测器商机主要被Bosch、意法半导体(STM)、Freescale等IDM大厂所独占，在物联网应用加持下，ME
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MEMS 传感器
- 过去在半导体领域一直坐冷板凳的感测芯片，近期在物联网应用加持下全面翻红，除了既有国际大厂持续鲸吞全球微机电系统(MEMS)感测芯片市场版图，大陆MEMS感测芯片设计业者亦如雨后春笋般冒出，并吸引大陆上海市政府、中芯国际等加入蚕食商机行列，台积电亦不遑多让，企图打破国际IDM大厂独霸局面，透过转投资矽立(mCube)及扶植InvenSense等外商，全力冲刺感测器事业。
目前全球MEMS感测器商机主要被Bosch、意法半导体(STM)、Freescale等IDM大厂所独占，在物联网应用加持下，ME
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MEMS 传感器
- 日前在上海举办的第二届MIG亚洲会议上，Yole Développement调查数据指出，从2000年到2020年间，MEMS市场将保持20年的连续增长，MEMS产品的市场规模将在2020年超过250亿美元，是2000年的5倍。MEMS传感器市场的爆发，将成为带动物联网市场前进的重要因素。
站在半导体供应链的最上游，也许我们能够更清楚地看出MEMS市场的发展方向，集微网与全球最大的半导体制造设备厂商美国应用材料公司的两位专家，战略和技术营销总监Miche
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MEMS 传感器
- 大陆即将成为全球手机OEM厂微机电(MEMS)感测器最大采购者，引发许多新创的MEMS感测器设计公司切入主流三轴感测器市场，为卡位大陆感测器市场商机，并打造物联网(IoT)、巨量资料(Big Data)最底端的感测器基础。
其中国际大厂Bosch、意法半导体(STMicroelectronics)、飞思卡尔(Freescale)、应美盛(InvenSense)等相争赴大陆挖商机，台积电、中芯半导体，以及应用材料(Applied Materials)、东京威力科创(TEL)、EVG等设备大厂也不缺
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MEMS IC设计
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