- 集成电路按晶体管的性质分为TTL和CMOS两大类，TTL以速度见长，CMOS以功耗低而著称，其中CMOS电路以其优良的特性成为目前应用最广泛的集成电路。在电子制作中使用CMOS集成电路时，除了认真阅读产品说明或有关资料，了解其引脚分布及极限参数外，还应注意以下几个问题：
1、电源问题
(1)CMOS集成电路的工作电压一般在3-18V，但当应用电路中有门电路的模拟应用(如脉冲振荡、线性放大)时，最低电压则不应低于4.5V。由于CMOS集成电路工作电压宽，故使用不稳压的电源电路CMOS集成电路
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CMOS 集成电路
- 应用材料公司全球服务产品事业部200毫米半导体及动力辅助设备副总裁原铮博士：从全球来看，2014年到2015年的增长势头非常好，但是亚洲地区的发展更明显，尤其是中国大陆和中国台湾地区。
应用材料公司全球服务产品事业部设备产品部门200 毫米半导体及动力辅助设备副总裁原铮博士
成本控制是MEMS制造的主旋律
200毫米还是300毫米?300毫米MEMS制程还是起步阶段。一些客户反映，究竟用300还是200毫米，实际不是技术问题，而是现实成本考虑的问题。
MEMS集成一般是不同
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MEMS 物联网
- *MEMS制造需要标准吗?
ST的Benedtto Vigna称，目前几家大公司有各自的生产工艺，没有一个共同的生产工艺标准。飞思卡尔的Ian Chen解释道：白猫黑猫，只要能抓住老鼠就是好猫。因此所谓的制造标准完全没必要的，但某一个部件或者是这个部件的应用是可以有标准的。
ST执行副总裁兼模拟器件、MEMS及传感器产品事业部总经理Benedtto Vigna
至于测试的方法，也不需要统一的标准。因为测试跟成本是有关系的。MEMS的测试是厂商货品成本中相当重要的一部分，所以每家公
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MEMS 传感器
- 可穿戴设备开创了电子设备互联互通的新时代，并能前所未有地获得海量的用户和环境数据。尽管尚未有可穿戴设备实现大规模的普及，目前运动跟踪器和智能手表等腕带设备是市场主流。
创新是可穿戴设备成功的关键。对软硬件融合工艺的改进能创造出体积更小、速度更快的腕带设备。而更小巧、性能更好的零部件则为新产品带来了更广阔的市场前景。
Knowles高性能音频产品线经理Bertrand Renaud
未来的可穿戴设备将会围绕用户需求和物联网两大中心发展。因此可穿戴设备是否能与其他电子产品有效互动、是
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楼氏 MEMS
- 深耕MEMS 传感器和执行器领域10年，ST拥有完整的产品组合，其产品覆盖运动传感器、环境传感器、麦克风、触控产品到执行器、低功耗模拟器件和射频芯片等领域。
ST执行副总裁兼模拟器件、MEMS及传感器产品事业部总经理Benedtto Vigna
在MEMS运动传感器方面，MEMS运动传感器不断创新，其销量更是超过50亿，发布业界领先的6轴传感器。MEMS 麦克风销量超过5亿件，市场份额从2012年不足2%增长到2014年的10%。此外，压力传感器、紫外传感器均都取得不错的成绩。
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ST MEMS
- 做为全球排名第一的MEMS传感器供应商，Bosch Sensortec早在1995年就已经开始量产MEMS，MEMS产量达60亿，拥有超过1000项专利。
Bosch Sensortec亚太区总裁Leopold Beer
目前，Bosch拥有惯性传感器、环境传感器、智能传感器、声学传感器四类产品，同时为客户提供传感器融合软件以实现产品的最佳应用性能，提供标准操作系统/平台的完整解决方案。Bosch Sensortec亚太区总裁Leopold Beer指出，未来传感器将延伸至IoT解决方
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Bosch MEMS
- 物联网大发展背景下，可以预见传感器率先受益，而MEMS传感器优势明显，将成未来趋势，空间巨大，但是国内的MEMS主要靠进口，这个产业何时能崛起。
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MEMS
- 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。
Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲
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TTL，CMOS
- 简介：大部分的ESD电流来自电路外部，因此ESD保护电路一般设计在PAD旁，I/O电路内部。典型的I/O电路由输出驱动和输入接收器两部分组成。ESD 通过PAD导入芯片内部，因此I/O里所有与PAD直接相连的器件都需要建立与之平行的ESD低阻旁路，将ESD电流引入电压线，再由电压线分布到芯片各个管脚，降低ESD的影响。
引言
静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧 厚度越来越薄，芯片的面
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CMOS ESD
- 简介：不断的思考，不断的理解，不断的总结!希望大家坚持下去!
1、CS单管放大电路
共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得较高的电压增益。在直流分析时，根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点，而根据MOSFET的I-V特性曲线可知，MOSFET的静态工作点具有较宽的动态范围，主要表现为MOS管在饱和区的VDS具有较宽的取值范围，小信号放大时输入的最小电压为VIN-VTH，最大值约为VDD，假设其在饱和区可以完全表现线性特性，并且实现信号的最大限度放大【理想条件下】
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CMOS MOSFET
- 简介：CMOS和TTL集成门电路在实际使用时经常遇到这样一个问题，即输入端有多余的，如何正确处理这些多余的输入端才能使电路正常而稳定的工作?本文给出了解决这个问题的方法，供大家参考。
CMOS门电路
CMOS门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。由于MOS管在电路中是一压控元件，基于这一特点，输入端信号易受外界干扰，所以在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空。在使用时应采用以下
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CMOS TTL
- 简介：本文介绍了TTL电平和CMOS电平之间的区别以及使用注意事项等内容。
TTL：双极型器件，一般电源电压 5V，速度快(数ns)，功耗大(mA级)，负载力大，不用端多数不用处理。
CMOS：单级器件，一般电源电压 15V，速度慢(几百ns)，功耗低，省电(uA级)，负载力小，不用端必须处理。
CMOS 和 TTL 电平的主要区别在于输入转换电平。
CMOS：它的转换电平是电源电压的 1/2，因为 CMOS 的输入时互补的，保证了转换电平是电源电压的 1/2。
TTL：
- 关键字：
TTL CMOS
- 上海微技术工业研究院(SITRI)协办的第二届MIG亚洲会议上，全球传感器巨头畅谈了未来的MEMS传感器发展战略;会后本刊还采访了其他MEMS厂商，请他们谈了关注的方向。
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MEMS 数据分析 物联网 DLP 语音控制 201510
- 刚刚在上海闭幕的MIG大会，这次MEMS行业标杆型的会议首次在中国召开。这次大会无疑为中国MEMS市场的蓬勃前景又注射了一针强心剂。为期三天的会议针对MEMS全行业包括设计，生产，加工，终端等不同企业进行了全面的展示。在中国这样一个电子消费品大国，MEMS传感器的需求量不言而喻。其中，越来越多的份额被可穿戴设备以及物联网等非传统消费电子类产品所占有。
ADI亚太区微机电产品市场和应用经理 赵延辉
MEMS传感器在可穿戴设备上的应用设计与传统的手机等终端的应用设计有着不同的侧重点。对于这
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MEMS 传感器
- 一、CMOS门电路
CMOS 门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。由于MOS管在电路中是一压控元件，基于这一特点，输入端信号易受外界干扰，所以在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空。在使用时应采用以下方法：
1、与门和与非门电路：由于与门电路的逻辑功能是输入信号只要有低电平，输出信号就为低电平，只有全部为高电平时，输出端才为高电平。而与非门电路的逻辑功能是输入信号只要有低电平
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CMOS TTL
cmos-mems介绍
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