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- 基于单片机CMOS汽车电子调节器引言汽车电子化程度现已成为国际衡量汽车先进水平的重要标准,也正是由于这个原因推动和刺激当前汽车电子这一行业不断向前发展,各国都竞相发展,不断应用高新技术,提高汽车电气化性能
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CMOS 单片机 汽车电子 调节器
- 3 仿真分析及具体设计结果3.1 仿真分析在亚微米的ESD结构的设计中,一种常见的具体的ESD瞬态检测电压如图2 VDD-VSS间的电压钳位结构。其原理如下:主要利用结构中的RC延迟作用,一般T=RC被设计为100ns-1000ns之间,而
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VDD-VSSESD CMOS 亚微米 电路
- 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一,其ESD结构与工艺技术、特征尺寸密切相关,随着IC工艺技术的进一步发展,特征尺寸越来越小,管子的栅氧层厚度越来越
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VDD-VSSESD CMOS 亚微米 电路
- 摘要:在对低噪声CMOS图像传感器的研究中,除需关注其噪声外,目前数字化也是它的一个重要的研究和设计方向,设计了一种可用于低噪声CMOS图像传感器的12 bit,10 Msps的流水线型ADC,并基于0.5mu;m标准CMOS工艺进行
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ADC 设计 及其 验证 流水线 传感器 噪声 CMOS 图像 用于
- 标签:数码相机 CMOS数码相机的另一个灵魂CMOS传感器随着2005年Canon(佳能)公司发布其型号为EOS D30的专业级数码相机后,人们对CMOS影像传感器的注意力猛然巨增。这是因为,CMOS影像传感器过去有着信噪比小、分辨率
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介绍 知识 传感器 CMOS 数码相机
- CCD和CMOS是图像传感器的两个主要类别,都有各自的应用领域。但近年来,CMOS传感器逐步吞噬了CCD的市场。为什么CMOS传感器如此受欢迎呢?评价一款图像传感器性能的技术指标有哪些?下面来为大家详细说明。CCD和CMOS图
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性能 技术指标 传感器 图像 CMOS CCD
- 标签:CMOS CCD无论任何产品,品质的好坏主要取决于性能的优劣,而性能优劣的关键跟产品结构和工作原理又有着较大的关系,CCD和CMOS也既如此。基本组成CCD是在MOS晶体管的基础上发展起来的,其基本结构是MOS(金属m
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原理 差异 结构 内部 CMOS CCD 浅析
- 本文以比较器为基本电路,采用恒流源充放电技术,设计了一种基于1.0mu;m CMOS工艺的锯齿波振荡电路,并对其各单元组成电路的设计进行了阐述。同时利用Cadence Hspice仿真工具对电路进行了仿真模拟,结果表明,锯齿波
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CMOS 1.0 工艺 锯齿波
- O 引言 电路中的功率消耗源主要有以下几种:由逻辑转换引起的逻辑门对负载电容充、放电引起的功率消耗;由逻辑门中瞬时短路电流引起的功率消耗;由器件的漏电流引起的消耗,并且每引进一次新的制造技术会导致漏电流
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CMOS 单相 乘法器 能量回收
- 未来几年由于消费者对传统机电式电表的更新换代,智能电表市场预计将以每年两位数的速度增长。智能电表使用最新的集成电路(IC)技术进行精确测量并报告消耗的电量,智能电表比机电式电表复杂,但更加注重测量数据的完
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CMOS 数字隔离器 智能电表 中的应用
- 引言 测试CMOS电路的方法有很多种,测试逻辑故障的一般方法是采用逻辑响应测试,即通常所说的功能测试。功能测试可诊断出逻辑错误,但不能检查出晶体管常开故障、晶体管常闭故障、晶体管栅氧化层短路,互连桥短路
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CMOS IDDQ 电路 测试
- XC6420系列是实现了高精度,高纹波抑制,低压差,搭载了2沟道150mA高速LDO的小型CMOS电压调整器IC。把2个...
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CMOS 电压 调整器IC
- 1 概述TLC5510是美国TI公司生产的新型模数转换器件(ADC),它是一种采用CMOS工艺制造的8位高阻抗并行A/D芯片,能提供的最小采样率为20MSPS。由于TLC5510采用了半闪速结构及CMOS工艺,因而大大减少了器件中比较器的数
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CMOS 5510 TLC 工艺
- CCD(Charge Coupled Device)图像传感器(以下简称CCD)和CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor以下简称CIS)的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后,以电荷的方
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对比 分析 特性 传感器 CCD 图像 CMOS
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