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cmos digital image sensor 文章 进入cmos digital image sensor技术社区

一种带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计

  • 摘要:设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14bit精度,100MS/s采样频率的高速流
  • 关键字: CMOS  增益提高  运算  放大器设计    

CCD传感器与CMOS传感器区别在哪里

  • CMOS针对CCD最主要的优势就是非常省电,不像由二极管组成的CCD,CMOS 电路几乎没有静态电量消耗,只有在电路接通时才有电量的消耗。这就使得CMOS的耗电量只有普通CCD的1/3左右,这有助于改善人们心目中数码相机是ld
  • 关键字: 传感器  哪里  区别  CMOS  CCD  

CMOS摄像机,什么是CMOS摄像机

  • CMOS传感器的感光度一般在6到15Lux的范围内,CMOS传感器有固定比CCD传感器高10倍的噪音,固定的图案噪音始终停留在屏幕上好像那就是一个图案,因为CMOS传感器在10Lux以下基本没用,因此大量应用的所有摄像机都是用了
  • 关键字: CMOS  摄像机  什么  

CMOS传感器/SDDS,什么是CMOS传感器/SDDS

  • CMOS传感器CMOS传感器是一种通常比CCD传感器低10倍感光度的传感器。光度一般在6到15Lux的范围内,CMOS传感器有固定比CCD传感器高10倍的噪音,固定的图案噪音始终停留在屏幕上好像那就是一个图案,因为CMOS传感器在10
  • 关键字: /SDDS  传感器  CMOS  什么  

利用CMOS功率放大器优化单芯片手机方案

  • 每年生产10多亿部手机的手机市场已成为半导体产业中竞争最激烈的领域。一直有这种说法:诸如砷化镓(GaAs)、横向 ...
  • 关键字: CMOS  功率放大器  单芯片手机  

AMD明年启用28nm CMOS工艺

  •   AMD公司高级副总裁兼首席技术官Mark Papermaster表示,AMD在2013年芯片生产工艺将有重大变化,将完全从现有的SOI制造工艺切换到28nm Bulk CMOS工艺。至于GPU制造,AMD并不打算作出任何改变。目前南方群岛系列GPU,已经采用台积电28nm工艺,而AMD秋季即将推出的海岛系列GPU将继续采用相同工艺,海岛系列GPU已经进入样品试生产阶段,在2012年年底开始生批量生产,在2013年第一季度正式发布。   在评论异构系统架构(HSA)联盟,是否用来应对英特尔和NVIDI
  • 关键字: ARM  CMOS  

CMOS器件抗静电措施的研究

  • 摘要:由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效,对整机应用的可靠性影响太大,因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理,从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电,以保护CMOS
  • 关键字: 研究  措施  抗静电  器件  CMOS  

CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计

  • 摘要:为了提高数字集成电路芯片的驱动能力,采用优化比例因子的等比缓冲器链方法,通过Hspice软件仿真和版图设计测试,提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6mu;m CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理
  • 关键字: 输出  缓冲  电路设计  芯片  数字  工艺  多功能  CMOS  

一种新型高速CMOS全差分运算放大器设计

  • 摘要:设计了一种基于流水线模/数转换系统应用的低压高速CMOS全差分运算放大器。该运放采用了折叠式共源共栅放大结构与一种新型连续时间共模反馈电路相结合以达到高速度及较好的稳定性。设计基于SMIC 0.25mu;m CM
  • 关键字: CMOS  全差分  放大器设计  运算    

联电与星国微电子开发TSV技术

  •   联华电子与新加坡科技研究局旗下的微电子研究院今天宣布,将合作进行应用在背面照度式CMOS影像感测器的TSV技术开发,透过这项技术,包括智慧手机、数位相机与个人平板电脑等行动电子产品,里面所采用的数百万像素影像感测器,都可大幅提升产品效能、降低成本、体积减少。   联电指出,市场上对于持续缩小像素,又能兼顾效能的需求,日益增强,带动CMOS影像感测技术兴起,而背面照度式技术则普遍被视为能够让微缩到微米级大小的像素,仍保有优异效能的解决方案。   联电指出,这次专案目标,希望提影像感测器灵敏度,支援更
  • 关键字: 联华  CMOS  微电子  

IMEC探讨10nm以下制程变异

  •   在可预见的未来,CMOS技术仍将持续微缩脚步,然而,当我们迈入10nm节点后,控制制程复杂性和变异,将成为能否驱动技术向前发展的关键,IMEC资深制程技术副总裁An Steegen在稍早前于比利时举行的IMEC Technology Forum上表示。   明天的智慧系统将会需要更多的运算能力和储存容量,这些都远远超过今天的处理器和记忆体所能提供的极限。而这也推动了我们对晶片微缩技术的需求。   在演讲中,Steegen了解释IMEC 如何在超越10nm以后继续推动晶片微缩。在10nm之后,或许还
  • 关键字: IMEC  CMOS  10nm    

基于DSP内嵌PLL中的CMOS压控环形振荡器设计

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: PLL  DSP  CMOS  环形振荡器  

详解背照式CMOS传感器结构和原理

  • 背照式CMOS传感器详细解读时代发展,技术进步。数码相机的各种新技术层出不穷,导致消费者面对厂家宣传或者是相机参数列表中的一些专业词汇,一般都会感到非常难于理解,以致影响到购机前的判断。所以我们数码相机频
  • 关键字: 原理  结构  传感器  CMOS  详解  

3GHz~5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计

  • 超带宽UWB(Ultra-Wideband)技术具有抗干扰能力强、传输速率高、带宽极宽、功耗传输低等优势,近年来已成为国内外的研究热点,并在短距离传输、高速无线LAN和成像处理等领域得到了广泛应用[1]。不论在传统的无线接收结
  • 关键字: 放大器  设计  噪声  宽带  5GHz  CMOS  3GHz  

采用CMOS双D触发器CD4013的脉冲宽度检测电路设计

  • D触发器的常规使用一般是用作二分频器、计数器或移位寄存器。然而,只要对D触发器的外围电路加以改进,根据其基本逻辑功能。就可充分发挥其独特的作用。数字装置中常用的脉冲宽度检测电路,对脉冲信号的宽度进行识别
  • 关键字: 宽度  检测  电路设计  脉冲  CD4013  CMOS  触发器  采用  
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cmos digital image sensor介绍

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