集LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的全球著名制造商和行业领先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半桥功率模块 CAS300M17BM2。业界首款全碳化硅1.7kV功率模块的诞生更加确立了CREE公司在碳化硅功率模块技术领域的领导地位。该模块不但能在高频下工作还具有极低的功耗，非常适用于高功率电机驱动开关和并网逆变器等应用。目前世强已获授权代理SiC系列产品。
图：CAS300M17BM2模块外观图
世强代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模块采用行业标准
关键字：
CREE SiC
Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。世强代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点，是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。
SiC与Si性能对比
简单来说，SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为:击穿电压强度高(10倍于S
关键字：
世强 SiC
摘要：总线通讯系统中，每个节点的信号质量都直接影响了整个总线的通讯质量，所有保证每个节点都具备高度一致的信号质量便显得至关重要，该文将为大家细细道来，如果做好信号特征的好坏评估。
CAN总线设计规范对于CAN节点的差分电平位信号特征着严格的规定，如果节点的差分电平位信号特征不符合规范，则在现场组网后容易出现不正常的工作状态，各节点间出现通信故障。具体要求如表 1所示，为测试标准“GMW3122信号特征标准”。
表 1 GMW3122信号特征标准
在以往的测
关键字：
CAN
我一直不喜欢那些盲目崇拜老外的人，但有时还不得不对行业内的老外，佩服得五体投地。他们也会出错，写出一些乱七八糟的文章害人，但是确实有好多设计，实在精妙，让人拍案叫绝。
前些日子看CAN总线，那么多设备挂接在单信息总线上，都想说话，还没有领导，那不成一锅粥了吗?看懂就发现，原来它们给每个接入设备分配了ID号——有大小区分的身份证，靠二进制的01级别展开无限制的竞争，一下就实现了多个设备无领导情况下的单总线竞争占用。看完后，我的感觉是美妙。这些洋鬼子，看来是聪明的，至少不比我
关键字：
CAN AD629
SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战，可用于更高直流母线电压。且领先于900V超结Si基MOSFET技术，扩大了终端系统的功率范围，在更高温度时仍能提供低导通电阻Rds(on)，大大减小了热管理系统的尺寸，很好地解决了散热及显著降额的问题。与目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平台为电源转换设计者提供了更多的创新空间，方便
关键字：
Cree SiC
日前，碳化硅(SiC)技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感应加热设备、电机驱动器、太阳能和风能逆变器、UPS和开关电源以及牵引设备等。
世强代理的CAS300M12BM2外壳采用行业标准的62mm x 106mm x 30mm，封装则采用Half-Bridge Module，具有超低损耗、高频率特性以及易于并联等特点。漏极电流方面，连续通电时
关键字：
SiC SiC
根据Yole Development预测，功率晶体管将从硅晶彻底转移至碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)基板，以期能在更小的空间中实现更高功率。
在最新出版的“GaN与SiC器件驱动电力电子应用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)报告中，Yole Development指出，促进这一转型的巨大驱动力量之一来自电动车(EV)与混合动力车(HEV)产业。Yole预期EV/HEV产业将持续大力推动Si
关键字：
SiC GaN
矢野经济研究所2014年8月4日公布了全球功率半导体市场的调查结果。
全球功率半导体市场规模的推移变化和预测(出处：矢野经济研究所) (点击放大)
2013年全球功率半导体市场规模(按供货金额计算)比上年增长5.9%，为143.13亿美元。虽然2012年为负增长，但2013年中国市场的需求恢复、汽车领域的稳步增长以及新能源领域设备投资的扩大等起到了推动作用。
预计2014年仍将继续增长，2015年以后白色家电、汽车及工业设备领域的需求有望扩大。矢野经济研究
关键字：
SiC 功率半导体
新的技术趋势不断出现，MCU+传感器、MCU+无线、MCU+FPGA、大小核MCU……未来，MCU还将出现哪些新的应用?厂商将如何进行产品开发方能满足需求?
关键字：
MCU CAN
摘要：目前，物联网的概念已经风靡全球，各行各业都在想尽一切的办法做创新，为的就是给现有的产品注入新鲜的血液，让其焕发曾经的辉煌。CAN转WiFi设备的现世，打破以往线缆的传输，让现场总线通信实现无线联网，甚至步入手机APP监控时代。
如今汽车已成为人类生活中最主要的交通工具，看着道路上那拥堵的情况，若你也已置身其中，那确实是一件苦恼的事情，为了解决这问题，各大厂家各显奇招，都尝试着用自己的概念去实现汽车物联网，例如：阿里巴巴联手上汽集团，将阿里系的互联网生态覆盖到智能汽车领域，乐视联手北汽集
关键字：
物联网 CAN
ROHM Co., Ltd.(总部：日本 京都，社长 泽村谕，下称"ROHM")发布了2015年度第一季度(4~6月)的业绩。
第一季度销售额为949亿2千万日元(去年同比增长7.4%)，营业利润为115亿6千7百万日元(去年同比增长24.7%)。
纵观电子行业，在IT相关市场方面，虽然智能手机和可穿戴设备等市场的行情仍然在持续走高，然而一直以来都保持持续增长的平板电脑的普及率的上升势头大幅下降，个人电脑市场呈现低迷态势。在AV相关市场方面，虽然4K电视(※1)等高附加
关键字：
ROHM SiC
通信出现故障是时常会遇到的事情，小则无伤大雅，大可殃及城池。因此，处理故障的方法便显得至关重要，确认处理方式是否能可靠运作更是重中之重。
当CAN通信出现故障时，CAN控制器会让故障节点从主动错误状态进入被动错误状态，甚至进入总线关闭(Busoff)状态，使故障节点脱离总线的通信，使其不影响正常节点的通信，但该控制方案将导致在系统重新上电之前，进入总线关闭状态的节点会持续无法与其他节点做数据的交互，如若节点只是暂时的故障，那让节点实现自恢复的功能，则是更为上乘的控制方法。所以CAN总线设计规范对
关键字：
CAN Busoff
SiC-MOSFET技术新突破。罗姆半导体(ROHM)近日研发出采用沟槽(Trench)结构的SiC-MOSFET，并已建立完整量产机制。新推出的沟槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%导通电阻，大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业用变流器等设备的功率损耗。
罗姆半导体功率元件制造部部长伊野和英(左2)表示，新发布的沟槽式SiC-MOSFET采用该公司独有的双沟槽结构专利，目前已开始量产。
罗姆半导体应用设计支援部课长苏建荣表示，相对于Si-IGBT，SiC
关键字：
ROHM SiC-MOSFET
目前，电动汽车和工业马达的可变速马达驱动系统，其低损耗·高效率·高频率的性能正在不断进化。因为使用了以低电阻、高速开关为特点的SiC和GaN等新型功率元件的PWM变频器和AC/DC转换器、DC/DC转换器，其应用系统的普及正在不断加速。构成这些系统的变频器·转换器·马达等装置的开发与测试则需要相较以前有着更高精度、更宽频带、更高稳定性的能够迅速测量损耗和效率的测量系统。
各装置的损耗和效率与装置的输入功率和输出功率同时测量，利用它们的差和比
关键字：
SiC GaN 电流传感器
CAN总线设计规范对于CAN节点的信号边沿各项参数都有着严格的规定，如果不符合规范，则在现场组网后容易出现不正常的工作状态，各节点间出现通信故障。具体要求如表 1所示，为测试标准“GMW3122信号边沿标准”。
表 1 GMW3122信号边沿标准
所以每个厂家在产品投入使用前，都要进行CAN节点DUT(被测设备)的信号边沿参数测试。一般是使用GMW3122信号边沿测试的CAN测试方法，如下描述：
如图 1所示，我们以信号跳变过程的20% ~ 80%定义为该
关键字：
CAN DUT
can sic介绍
您好，目前还没有人创建词条can sic!
欢迎您创建该词条，阐述对can sic的理解，并与今后在此搜索can sic的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473