近年来，在国家大力扶持集成电路产业的背景下，国内从事高性能CPU设计的单位或公司数量不断壮大，但在供应链上严重依赖境外公司，自主可控时代并没有到来。
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ARM IC设计
ARM瞄准数据中心与高效能运算(HPC)市场，与台积电联手针对尖端7纳米FinFET制程进行合作。这项合作延续了以往双方在FinFET制程的研发经验，但ARM若想成功进军数据中心市场，可能还需有更完善的软体支援。
HPCwire报导指出，ARM为了打入由x86架构掌控的数据中心市场，声称将推出运算密度达10倍以上的芯片产品，而台积电的7纳米FinFET制程，将可协助ARM打造出符合数据中心与网路设施需求的处理技术。双方将透过提升芯片元件密度，提高整体IT基础设施的运算密度，并同时减少功率消耗。
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ARM 台积电
国际半导体产业协会(SEMI)最新报告指出，3D NAND、DRAM与10奈米制程等技术投资，将驱动2016年晶圆厂设备支出攀升，预估2016年包括新设备、二手或专属(In-house)设备在内的前段晶圆厂设备支出将增长3.7%，达372亿美元;而2017年则可望再成长13%，达421亿美元。
SEMI指出，2015年晶圆厂设备支出为359亿美元，较前一年微幅减少0.4%;预测2016年上半年晶圆厂设备支出可望缓慢提升，下半年则将开始加速，为2017年储备动能。2017年相关支出可望回复两位数成
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晶圆 3D NAND
看好微控制器、网络与服务器、物联网与车联网等发展前景，ARM投资人关系副总裁Ian Thornton在日前访台时强调，除了持续稳固行动市场地位，未来也将着眼于新一波的成长动能。
Ian Thornton表示，2015对ARM来说是成果丰硕的一年，营收近15亿美元，较前一年成长15%;同时也扩增逾700位研发人才，以因应未来的技术发展和市场成长。在2015年，ARM与合作夥伴全球出货超过150亿ARM核心的晶片组，与2014年相较成长23%，并使ARM在全球智慧型装置的市占率由2014年的30%上
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ARM 服务器
ARM®今日宣布加强在中国的战略部署，与重庆市政府、重庆仙桃数据谷达成多项协议，建立合作计划，共同推进重庆仙桃数据谷电子产业创新生态圈建设。当日，双方共同为位于仙桃数据谷的ARM生态产业园揭幕;并宣布成立重庆地区ARM生态集成电路人才培养与产学研协同创新联盟，建立重庆ARM生态产业技术人才实训中心;此外，由ARM和中科创达共同投资的创业加速器安创空间宣布其重庆公司开业，正式落户重庆仙桃数据谷ARM生态产业园。
A
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ARM Cadence
看好微控制器、网路与伺服器、物联网与车联网等发展前景，ARM投资人关系副总裁Ian Thornton在日前访台时强调，除了持续稳固行动市场地位，未来也将着眼于新一波的成长动能。
Ian Thornton表示，2015对ARM来说是成果丰硕的一年，营收近15亿美元，较前一年成长15%;同时也扩增逾700位研发人才，以因应未来的技术发展和市场成长。在2015年，ARM与合作夥伴全球出货超过150亿ARM核心的晶片组，与2014年相较成长23%，并使ARM在全球智慧型装置的市占率由2014年的30%上
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ARM 物联网
安谋国际(ARM)宣布2015年与合作夥伴全球出货超过150亿ARM核心的晶片组，与2014年相较成长23%，使该公司在全球智慧型装置的市占率由2014年的30%上升至32%。
在过去一年中，该公司除了持续在智慧型装置运算上为客户创造更多价值外，亦不断的投入资金与技术研发，在物联网的相关应用领域中提高市占并创造营收。展望未来，该公司除了将继续为行动装置市场提供效能更优化、功耗更低的行动处理器晶片，也将在网路与伺服器、嵌入式智慧与车联网等领域上进一步的拓展市占率，建立更完整的合作夥伴生态系统，进而
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ARM 物联网
国内终于要有了存储，剩下的问题就是国产闪存应该如何与三星、Intel、东芝们竞争呢？初期的价格战是不可避免的，但长久来看还得是技术立足。
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3D NAND 存储
去年ARM伺服器晶片全球出货仅占不到1%，还远远落后至今仍有高达9成的英特尔x86伺服器晶片市占。ARM企业行销与投资人关系副总裁Ian Thornton坦言，ARM伺服器晶片技术和软体生态系还不够成熟是ARM伺服器至今采用仍不高的两大主因。
尽管ARM近年来积极展现抢攻伺服器晶片市场的企图心，甚至去年还夸下豪语5年后要拿下2成伺服器市场，但根据ARM最新发布的2015年营收报告却显示，去年ARM伺服器晶片全球出货仅占不到1%，还远远落后至今仍有高达9成的英特尔x86伺服器晶片市占。
虽然
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ARM 服务器
ARM与台积公司(TSMC)共同宣布一项为期多年的协议，针对7奈米FinFET制程技术进行合作，包括支援未来低功耗、高效能运算系统单晶片(SoC)的设计解决方案。这项新协议将扩大双方长期的合作夥伴关系，推动先进制程技术向前迈进，超越行动产品的应用并进入下一世代网路与资料中心的领域。此外，这项协议并延续先前采用ARM Artisan基础实体IP之16奈米与10奈米FinFET的合作。
ARM执行副总裁暨产品事业群总经理Pete Hutton表示：“既有以ARM为基础的平台已展现提升高达
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ARM 台积电
ARM拚搏新兴领域。除了持续把握智慧手机商机之外，安谋国际(ARM)也看好网路、服务器、物联网与微控制器，以及车联网等领域的潜力，现阶段亦展开布局。有鉴于5G前景佳，该公司期望2020年在此领域达到45%的市占率;另一方面，尽管2015年ARM在服务器的市占率不到1%，但当前已和相关厂商合作，希望能于2020年达到25%市占率。
ARM投资人关系副总裁Ian Thornton表示，2015年ARM营收近15亿美元，较前一年成长15%，并增加超过七百位研发人才，以因应未来的技术发展和市场成长。除了
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ARM 服务器
ARM和台积电宣布签订针对7纳米 FinFET工艺技术的长期战略合作协议，涵盖了未来低功耗，高性能计算SoC的设计方案。该合作协议进一步扩展了双方的长期合作关系，并将领先的工艺技术从移动手机延伸至下一代网络和数据中心。此外，该协议还拓展了此前基于ARM® Artisan® 基础物理IP 的16纳米和10纳米 FinFET工艺技术合作。 ARM全球执行副总裁兼产品事业群总裁
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ARM FinFET
近日，成立刚满两年，被寄予厚望的国产CPU新秀——苏州中晟宏芯因为“欠薪”卷入舆论漩涡。两年前，在工信部电子司和苏州政府的扶持下，中晟宏芯获得IBM的核心技术——POWER CPU授权，并且得到了IBM、中科院计算所提供的技术支持。按照计划，中晟宏芯可以在2019年完全实现POWER芯片的消化吸收再创新，并制成完全国产化的POWER系列CPU。
然而，这家肩负使命的企业，却在新春复工之时被员工集体讨薪，数十名员工甚至在公司门
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POWER ARM
为了进一步提高NAND Flash生产效益，2016年Flash原厂将切入1znm(12nm-15nm)投产，但随着逼近2D NAND工艺可量产的极限，加快向3D技术导入已迫在眉睫，2016年将真正迎来NAND Flash技术拐点。
1、积极导入48层3D技术量产，提高成本竞争力
与2D工艺相比，3D技术的NAND Flash具有更高的性能和更大的存储容量。3D技术若采用32层堆叠NAND Flash Die容量达128Gb，与主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本竞争力。
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3D NAND 2D
Mentor Graphics与ARM签订一份为期多年的订购协议，可于早期取得各种ARM IP和相关技术。Mentor将借此机会优化其基于ARM的系统晶片(SoC)设计工具和方法。Mentor将获得可用于ARMv8-A和ARMv7-A架构的ARM Cortex处理器、ARM Mali图形处理器(GPU)、ARM CoreLink系统IP、ARM Artisan实体IP和ARM POP IP，以实施晶片后段实作加速。
透过此协议，Mentor可在定期发布前优化其ARM IP流程和工具。这将使Men
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Mentor ARM
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