- 虽然随机缺陷将产量与其量子性质导致的EUV光刻的实际分辨率联系起来[1]，但EUV工艺的极低产量更容易与使用没有薄膜的EUV掩模有关。薄膜是掩模上的薄膜膜覆盖物（无论波长如何：EUV、DUV和i-line），用于防止颗粒落在掩模上的图案上。颗粒可以落在薄膜上，但它们不会打印，因为它们会失焦。如果没有薄膜，仅仅是让一些颗粒落在掩模上，产量就会显着下降[2]。令人惊讶的是，最近有报道称，EUV用户通常不使用薄膜[3,4]。关键原因是薄膜可能会因EUV光照射而损坏甚至破裂[5]。台积电还在2023年报告称，其E
- 关键字：
薄膜 EUV光刻 低产量
- 2022 年，半导体市场规模约为 0.6 万亿美元，商业分析师预计到 2030 年将翻一番 1.0 万亿美元至 1.3 万亿美元。半导体制造业的大幅增长可以在光刻工艺中体现出。光刻是一种图案化过程，将平面设计转移到晶圆基板的表面，创造复杂的结构，如晶体管和线互连。这是通过通过复杂的多步过程选择性地将光敏聚合物或光刻胶暴露于特定波长的光下来完成的。最近，光刻技术的进步在生产最先进的半导体方面创造了竞争优势，使人工智能（AI）、5G 电信和超级计算等最先进的技术成为可能。因此，先进的半导体技术会影响国家安全和
- 关键字：
EUV光刻
- 半导体制造中微型化的进展使得光刻掩膜和晶圆上的几何图形不断增加。准确模拟这些图形产生的衍射要求运用精 ...
- 关键字：
光学光刻 EUV光刻 掩膜 晶圆形貌
euv光刻介绍
您好，目前还没有人创建词条euv光刻!
欢迎您创建该词条，阐述对euv光刻的理解，并与今后在此搜索euv光刻的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
