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EEPW首页 >> 主题列表 >> 90-nm

UPS逆变模块的Nm冗余并联结构和均流

  • 0 引言 随着国民经济的发展和用电设备的不断增加,对UPS容量的要求越来越大。大容量的UPS有两种构成方式:一种是采用单台大容量UPS;另一种是在UPS单机内部采用功率模块N+m冗余并联结构。前者的缺点是成本高
  • 关键字: 余并联  结构  Nm  模块  逆变  UPS  

用FPGA解决65nm芯片设计难题

  •  随着工艺技术向65nm以及更小尺寸的迈进,出现了两类关键的开发问题:待机功耗和开发成本。这两个问题在每一新的工艺节点上都非常突出,现在已经成为设计团队面临的主要问题。在设计方法上从专用集成电路(ASIC)和专
  • 关键字: FPGA  65  nm  芯片设计    

可在0~-180度范围内变化的-90度移相电路

  • 电路的功能“具有平坦频率特性的±90度的移相电路”的移相电路只能在0~+180度范围内移相,可使用CO与RO位置互换的-90度的移相电路。电路的工作原理基本工作原理与“具有平坦频率特性的±90度的移相电路”相同,只是改
  • 关键字: 180  90  变化  移相电路    

可用10DB为单位选定40~90DB增益的可编程放大器

  • 电路的功能当用OP放大器进行高倍数AC放大时,若改变反馈电路的分压比,使放大倍数改变,频率特性也会大幅度地改变。本电路设有40、20、20、10DB增益固定的放大器,通过继电器选用这些放大器,可使最大增益达90DB。本
  • 关键字: DB  10  40  90    

在28-nm FPGA 上实现集成100-GbE 交换解决方案

  • 随着高速100-GbE 通信网络标准的完成,交换功能在互联网正常运行中扮演了重要角色。网络总流量每6个月翻倍,通过多种协议进行传送,网络越来越复杂,交换体系结构面临很大的挑战。目前的单芯片体系结构无法满足越来越大的带宽和复杂度要求,因此,需要开发高效算法和交换体系结构,以满足高速网络需求。Stratix V FPGA 支持硬件设计人员在下一代交换机和路由器中集成100-GbE 元件,在系统中均衡的分配数据,确保QoS。 详情参见 http://share.eepw.com.cn/share/downlo
  • 关键字: 28-nm  FPGA   100-GbE 交换  

在28-nm FPGA 上实现100-Gbit OTN 复用转发器解决方案

  • 视频和宽带无线技术对带宽越来越高的要求使得通信网络承受了很大的压力。目前的10-Gbit OTN 基础设备通道容量接近了极限,面临带宽耗尽的问题。面对越来越高的资本支出和运营支出以及不断下滑的利润,服务提供商转向了100-Gbit OTN 解决方案,将目前的10-Gbit 网络容量提高10 倍。但是,还有很多在用的低速率OTN、SONET、以太网和存储系统,这需要通过100-Gbit OTN 复用转发器将这些系统置入到新的基础光设施中。Altera Stratix V FPGA 系列采用了多项关键创新技术
  • 关键字: 28-nm  FPGA  100-Gbit OTN   复用转发器  

Altera发布28-nm Stratix V FPGA系列

  • Stratix V FPGA突破带宽瓶颈,同时降低了系统功耗和成本 2010年4月20号,北京——Altera公司(NASDAQ: ALTR)今天发布业界带宽最大的FPGA——下一代28-nm Stratix® V FPGA。Stratix V FPGA具有1.6 Tbps串行交换能力,采用各种创新技术和前沿28-nm工艺,降低了宽带应用的成本和功耗。 Stratix V FPGA系列采用TSMC 28-nm高性能(HP)工艺进行制造,提供1
  • 关键字: Altera  28-nm  Stratix V FPGA  

采用带有收发器的全系列40-nm FPGA 和ASIC 实现创

  • 人们对宽带服务的带宽要求越来越高,促使芯片供应商使用更多的高速串行收发器。因此,下一代应用采用了多种数据速率,从几Mbps 到数百Gbps,在一种设备中集成了多种协议和服务。以太网等迅速发展的标准以及对提高
  • 关键字: FPGA  ASIC  40  nm    

在40-nm 工艺节点实现世界上最先进的定制逻辑器件

  • 实现世界上最先进的定制逻辑器件引言
    Altera于2008年第二季度推出Stratix® IV和HardCopy® IV器件系列标志着世界上首款40-nm FPGA和业界唯一
    40-nm ASIC 无风险移植途径的诞生。Altera 通过三年周密的规划和
  • 关键字: 40  nm  工艺  定制    

泰科电子推出全新热缩标识系列产品

  •   泰科电子宣布推出全新TMS-90-SCE热缩标识系列产品。该系列产品能够充分满足从航空、国防、船舶、铁路、公共交通到工业及电子等各行业领域对高性能电缆及线缆标记的需求。泰科电子TMS-90-SCE热缩标识系列产品的推出,为高温环境下的作业带来了可靠的机械强度、长时间高温防护,以及强大的高温防水性能。   泰科电子TMS-90-SCE热缩标识具备极高的耐用性,持久性。该产品所用材料为耐用、阻燃的辐射交联热缩均聚聚烯烃,适用温度范围为-55°C至+135°C。并且产品重量轻巧,收缩率
  • 关键字: 泰科  电子  TMS-90-SCE  热缩标识  

Altera发布业界首款40-nm FPGA和HardCopy ASIC

  •    为帮助设计人员提高集成度,进一步创新,Altera公司今天发布了业界的首款40-nm FPGA和HardCopy® ASIC。Stratix® IV FPGA和HardCopy IV ASIC都提供收发器,在密度、性能和低功耗上遥遥领先。Stratix IV系列有680K逻辑单元(LE),比Altera的Stratix III系列高2倍,是目前市场上密度最大的FPGA。HardCopy IV ASIC系列在密度上和Stratix IV器件等价,具有1330万逻辑门。Alte
  • 关键字: Altera  40-nm FPGA   ASIC  

安华高科技推出采用65 nm CMOS工艺的SerDes

  • Avago Technologies(安华高科技)宣布,已经在65纳米(nm) CMOS工艺技术上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能输出。持续其在嵌入式SerDes技术的领导地位,Avago最新一代的工艺技术能够节省高达25%的功耗和空间。拥有接近4,500万通道数的SerDes总出货量,Avago在提供可靠高性能知识产权(IP)上拥有辉煌稳定的纪录,现在更以65 nm工艺上经验证的17 Gbps SerDes性能将
  • 关键字: 嵌入式系统  单片机  安华高科技  65  nm  CMOS  嵌入式  

瑞萨科技开发出90 nm工艺SuperH系列SH72546RFCC微控制器

  • 瑞萨科技公司宣布,开发出32位SuperH™*1 系列SH72546RFCC,这是业界第一个采用90 nm(纳米)工艺并带有片上闪存的微控制器,可用于汽车引擎、传输等控制程序的开发。样品将从2007年10月开始在日本交付。 SH72546RFCC可在汽车应用所需的125℃的高温工作环境下实现200 MHz的业界最高运行速度。此外,它还采用了业界最大的片上闪存容量,可以实现领先的高精度的控制。 SH72546RFCC适用于控制程序开发,2008年瑞萨科技将根据SH7
  • 关键字: 工业控制  瑞萨科技  90  nm  SuperH  工业控制  

普华永道:全球半导体市场增长90%归功中国

  •   中国制造的电子系统推动2005年全球半导体消费增长90%。这种趋势在2003年首次被发现并延续至今。这是普华永道 (PricewaterhouseCoopers) 对在该课题上中国的和其它公布的统计数据进行全面分析后得到的论断。    《China's Impact on the Semiconductor Industry: 2006 Update》(《中国对半导体行业的影响:2006最新分析》)首次
  • 关键字: 90%  单片机  普华永道  嵌入式系统  全球半导体市场  增长  中国  

ARM发布基于TSMC 90纳米工艺的DDR1和DDR2存储器接口IP

  • ARM发布首款可即量产的基于TSMC 90纳米工艺的DDR1和DDR2存储器接口IP Velocity DDR存储器接口获得TSMC IP质量认证 ARM公司发布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2(1/2)存储器接口,支持TSMC的90纳米通用工艺。ARM Velocity DDR1/2存储器接口是第一个通过TSMC IP质量安全测试的9
  • 关键字: 90  ARM  DDR1  DDR2  IP  TSMC  存储器  单片机  工艺  接口  纳米  嵌入式系统  存储器  
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