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3d nand 文章 进入3d nand技术社区

日月光和台湾交大合作开发三维IC封测技术

  •   将以最先进的三维集成电路(3D IC)封测技术为研发主题,“日月光交大联合研发中心”日前成立,日月光总经理暨研发长唐和明表示,日月光积极和半导体产业供应链进行技术整合,3D IC预计2013年导入量产,将应用在手机、PC及生医等高阶产品。   
  • 关键字: 日月光  3D IC  

基于DDR NAND闪存的高性能嵌入式接口设计

  • 基于DDR NAND闪存的高性能嵌入式接口设计,摘要:介绍了一种最新DDR NAND闪存技术,它突破了传统NAND Flash 50 MHz的读写频率限制,提供更好的读写速度,以适应高清播放和高清监控等高存储要求的应用。分析该新型闪存软硬件接口的设计方法。
    关键词:DDR NAN
  • 关键字: 嵌入式  接口  设计  高性能  闪存  DDR  NAND  基于  

基于NAND FLASH的高速大容量存储系统设计

  • 摘要:为了解决目前记录系统容量小、存储速度低的问题,采用性能优良的固态NAND型FLASH为存储介质,大规模集成电路FPGA为控制核心,通过使用并行处理技术和流水线技术实现了多片低速FLASH时高速数据的存储,提高了整
  • 关键字: FLASH  NAND  大容量  存储    

存储器思谋发展

  •   存储器是随着计算机而发展起来的一种专用电子部件,用于保存数据和程序,传统上计算机的主存储器称Memory,外部设备用存储器称Storage(常用磁盘、磁带)。上世纪50年代中期,主存曾用磁芯存储器,60年代中期以来,半导体存储器开始取代磁芯存储器。随着时间的前进,存储器获得了长足的发展。   
  • 关键字: 存储器  NAND  201105  

Gartner认为SSD将在明年成为市场主流

  •   数年来固态硬盘正在变得越来越便宜和可靠,但相比大容量的硬盘而言,这种产品在容量和价格比上依然显得有些奢侈,例如40GB的Intel SSD相当于1TB的西部数据硬盘的价格。尽管如此,Gartner依然对SSD市场的前景十分看好,并认为到2012年下半年,固态硬盘将成为市场的主流,并预期到时候的价格将会下降到每1美元1GB,这意味着主流的SSD价格将下调到100美元以下,例如64GB64美元,从而开始被大众接受。
  • 关键字: NAND  SSD  

NAND FLASH在储存测试系统中的应用

  • 0 引言  计算机技术的高速发展,存储系统容量从过去的几KB存储空间,到现在的T8;乃至不久的将来要达到的PB存储空间,其数据存取的能力在飞速扩展。随之而来产生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和数据生命周期管
  • 关键字: FLASH  NAND  储存  测试系统    

三星量产新型NAND闪存芯片

  •   5月13日消息,据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称,它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何其它NAND闪存芯片都要快。   
  • 关键字: 三星  NAND  

3D标准列入工信部重点工作

  •   工业和信息化部日前对外公布了2011年标准化重点工作,其中3D电视等标准的制定被列进今年的标准化重点工作。   
  • 关键字: 3D  三网融合  

NAND Flash大厂积极制程转换

  •   2011年全球NAND Flash中,全球三星电子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市场龙头,市占率高达36.2%,紧追在后的是东芝(Toshiba),市占率达35.1%,两者合计掌握70%以上NAND Flash市场;根据市调机构TrendForce最新统计,2011年第1季NAND Flash品牌供应商的位元出货量为13%,营收成长9.9%,达53.63亿美元。   2011年第1季全球NAND Flash市场变化相当多,最大影响当属日本311东北强震,对
  • 关键字: 三星电子  NAND  

三星与海力士提升NAND Flash芯片产量

  •   据了解,由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增,三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。   
  • 关键字: 三星  NAND Flash  

单片型3D芯片集成技术与TSV的研究

  • 单片型3D芯片集成技术与TSV的研究,尽管晶体管的延迟时间会随着晶体管沟道长度尺寸的缩小而缩短,但与此同时互联电路部分的延迟则会提升。举例而言,90nm制程晶体管的延迟时间大约在 1.6ps左右,而此时互联电路中每1mm长度尺寸的互联线路,其延迟时间会
  • 关键字: TSV  研究  技术  集成  3D  芯片  单片  

三星、海力士扩大NAND Flash投资

  •   由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增,三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。   
  • 关键字: 三星  NAND  移动设备  

三星FULL HD全高清3D横扫中国市场

  • 5月6日-8日,深圳光电显示周暨中国(国际)彩电节“CODECTVF2011”在深圳召开,作为专业显示器展览会,三星电子在本...
  • 关键字: 3D  HD  

美光:未来NAND Flash不求市占率但求低成本

  •   由于智能型手机等行动装置应用驱动NANDFlash需求成长,加上日本强震造成东芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供货锐减50%,美光(Micron)看好NANDFlash产业将持续供不应求,除与英特尔(Intel)合资新加坡厂取得多数股权和产能,未来不排除再扩大NAND Flash产能,可行方案包括释出代工权给华亚科生产,或是启动新加坡二厂。美光指出,未来NAND Flash策略不追求市占第1,但要做到成本最低。   
  • 关键字: 美光  NAND  

4月上旬闪存芯片价格创7个月新高

  •   据韩国媒体报道,内存调研公司集邦科技发布最新研究数据,今年四月上旬NAND闪存芯片价格创下了7个月以来的新高水平,一定程度上反映了继上月日本地震海啸灾害中断相关供应链后芯片价格的总体情况。  
  • 关键字: 闪存  NAND  
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