固态硬碟(SSD)致命弱点--价格将有显着突破。日、韩快闪记忆体(Flash)大厂及慧荣、群联等SSD控制器厂，正力拱新一代兼顾容量及成本的3D NAND Flash和三层式储存(TLC)记忆体解决方案，并将于2015～2016年逐渐放量，协助SSD厂商开发价格媲美传统硬碟的产品，驱动SSD在笔电、工控、企业端及消费性储存市场出货量翻扬。
慧荣科技产品企画处副总经理段喜亭表示，今年SSD总出货量将较去年成长一倍以上，主要因素在于SSD开发商扩大导入低成本的3D NAND和TLC Flash，让终
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3D NAND SSD
3D 打印和增材制造解决方案的全球领导者 Stratasys Ltd.上海分公司今日亮相中国(上海)国际技术进出口交易会(简称上交会)。Stratasys大中华区总经理汪祥艮先生于同期举行的“3D打印知识产权保护暨产业发展论坛”上发表主题演讲，分享了在“中国制造2025”的大背景下，3D打印如何以创新驱动各行业变革，推动“大众创业，万众创新”的时代浪潮，助力中国制造业的智能转型。展会期间，Stratasys发布了全新的Xtend
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Stratasys 3D 打印
在经历多次市场价格的大起大落后，全球存储器芯片产业终于在近年来迈向整合，使得定价渐趋稳定。不过，近来存储器大厂新帝(SanDisk)接连2季下修预测数据，并归因于快闪存储器的价格下滑，引发外界质疑新兴的稳定机制是否为昙花一现的假象，又或现状仅是个别公司所遭遇的瓶颈。
据Barron's Asia报导指出，眼下虽然存储器芯片价格有所衰退，但许多专家仍对整体产业抱持乐观态度，认为与2014年积弱不振的表现相比，快闪存储器的市场供需平衡现已渐入佳境，多数问题的发生恐是因公司而异，并非普遍的业界趋势。
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存储器 3D NAND
固态硬碟(SSD)致命弱点--价格将有显着突破。日、韩快闪记忆体(Flash)大厂及慧荣、群联等SSD控制器厂，正力拱新一代兼顾容量及成本的3D NAND Flash和三层式储存(TLC)记忆体解决方案，并将于2015～2016年逐渐放量，协助SSD厂商开发价格媲美传统硬碟的产品，驱动SSD在笔电、工控、企业端及消费性储存市场出货量翻扬。
慧荣科技产品企画处副总经理段喜亭表示，今年SSD总出货量将较去年成长一倍以上，主要因素在于SSD开发商扩大导入低成本的3D NAND和TLC Flash，让终
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3D NAND SSD
索尼在软硬件融合过程中的失败，在于轻视其原本拥有的硬件优势，进而导致产品本身丧失了品牌溢价；只有软件与硬件都做出高品质产品，才能确保生态的价值。
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索尼 3D
2014年NAND flash销售数据出炉，IHS报告称，前四大业者中，三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)销售皆有成长，唯有二哥东芝(Toshiba)疑似因为产品出包遭苹果召回，市占和业绩双双下滑。
BusinessKorea报导，IHS 13日报告称，三星电子稳居NAND flash老大，去年销售年增4%至90.84亿美元，市占率成长0.1%至36.5%。二哥东芝去年市占率由34.3%减至31.8%，销售也大减将近3亿美元。
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三星 NAND flash
近年来，固态硬盘似乎已经成为了计算机的标配。而随着SSD的普及，人们对于速度和容量的渴求也在迅速膨胀。为了能够在单颗闪存芯片上塞下更大的存储空间，制造商们正在想着3D NAND技术前进。与传统的平面式(2D)设计相比，垂直(3D)堆叠能够带来更显著的容量提升。但是最近，一家名为Stifel的市场研究公司却发现：为了实现这一点，制造商们正在砸下大笔投资，而这种成本压力却无法在多年的生产和销售后减退多少。
影响利润的一个主要原因是，3D NAND芯片的生产，比以往要复杂得
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3D NAND SSD
UNYQ是一家很有趣的3D打印公司，他们的主要业务是为残疾人的假肢提供3D打印的精美外壳或其他配饰。天工社早先曾经报道过这家公司。UNYQ是在2014年刚刚成立的，如今已经在西班牙塞维利亚和美国旧金山设立了精品工作室。
该公司目前提供30款限量版假肢外壳，当然，所有的都是3D打印的。UNYQ称设计师和工匠们会在这些款式的基础上，与客户一起创造独一无二、只适合其本人规格指标和个人风格的产品。
如今UNYQ公司宣称，他们已经与数字化设计和制造专家3D Systems公司签订了多层次合作协议，后
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3D Systems 3D打印
英特尔公司和镁光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度闪存的3D NAND技术。
这一全新3D NAND技术由英特尔与镁光联合开发而成，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。
当前，平面结构的 NAND 闪存已接近其实际扩展极限
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英特尔 NAND
英特尔公司和镁光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度闪存的3D NAND技术。
这一全新3D NAND技术由英特尔与镁光联合开发而成，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。
当前，平面结构的 NAND 闪存已接近其实际扩展极限
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英特尔 镁光 3D NAND
东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出符合JEDEC(电子元件工业联合会) e∙MMC™ 版 5.1[1]标准、支持“command queuing”和“secure write protection”的嵌入式NAND闪存产品。新产品集成了采用15nm工艺技术制造的NAND芯片，广泛适用于各类数字消费产品，包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备。16GB和64GB产品样品即日起出货，32G
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东芝 NAND
虽然东芝的宣传口号是“智社会 人为本，以科技应人之求”，但2015慕尼黑上海电子展上，仔细观看东芝强大产品阵容之后，我倒更愿意用“半导体技术温暖你的心”来形容它。因为东芝的很多设计确实很贴心，真的可以让生活更加方便快捷。
东芝电子亚洲有限公司副董事长野村尚司说，中国市场大体上有两种产品需求，一是以量价为中心的产品，另一种是以提高附加值为中心的产品。东芝有非常宽广的产品线来满足以上两种市场的需求。
东芝展位
存储产品解决方案
东
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东芝 LED NAND
全球领先的闪存存储解决方案供应商闪迪公司近日宣布成功开发出48层第二代3D NAND闪存(亦称为BiCS2)。 计划于2015年下半年在位于日本四日市的合资工厂内投入试生产，于2016年进行规模化商业生产。
闪迪存储技术部执行副总裁Siva Sivaram博士表示：“我们非常高兴能够发布第二代3D NAND，它是一种48层架构，与我们的合作伙伴Toshiba共同研发。 我们以第一代3D NAND技术为基础，完成了商业化的第二代3D NAND的开发;我们相信，它将为我们的客户提供让人赞
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闪迪 NAND
三星电子(Samsung Electronics)领先全球同业、于去年10月抢先量产3D架构的NAND型快闪存储器(Flash Memory)产品，但三星的领先优势恐维持不了多久，因为三星NAND Flash最大竞争对手东芝(Toshiba)传出将在今年下半年量产3D NAND Flash、且其制造技术更胜三星一筹!
日本媒体产经新闻25日报导，三星于去年量产的3D NAND Flash产品为垂直堆叠32层，但东芝已研发出超越三星的制造技术、可堆叠48层，且东芝计划于今年下半年透过旗下四日市工厂
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东芝 3D Flash
TrendForce旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 表示，随着 TLC 产品的主流应用开始从记忆卡与随身碟产品往 eMMC / eMCP 与 SSD 等OEM储存装置移动，加上 NAND Flash 业者陆续推出完整的TLC储存解决方案，预估今年TLC产出比重将持续攀升，将在第四季接近整体 NAND Flash 产出的一半。
DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，由于成本较具优势，过去TLC广泛应用在记忆卡与随身碟等外插式产品中。三星(Samsung)从2013年起积极将
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