- 随绿色经济的兴起，节能降耗已成潮流。在现代化生活中，人们已离不开电能。为解决“地球变暖”问题，电能消耗约占人类总耗能的七成，提高电力利用效率被提至重要地位。
据统计，60%至70%的电能是在低能耗系统中使用的，而其中绝大多数是消耗于电力变换和电力驱动。在提高电力利用效率中起关键作用的是功率器件，也称电力电子器件。如何降低功率器件的能耗已成为全球性的重要课题。
在这种情况下，性能远优于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人们青睐。SiC器件耐高温(工作温度和环境
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丰田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
- 历史发展
自从1971年Intel公司研发出lKB的DRAM，距今已近40年，从此开创了DRAM的历史。DRAM不仅推进了电子技术的前进，而且对各国半导体业的发展也发挥了举足轻重、无可取代的巨大作用。
众所周知，进入上世纪80年代，随着大型计算机市场扩大，DRAM需求巨增。由于当时DRAM技术要求较低，其特点是量大面广，胜负在于大规模生产技术，而这正是日本公司的强项。因而尽管日本在LSI(大规模集成电路)DRAM时代还落后于美国两年，但在“官产学”举国一致的努力下，
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Intel DRAM VLSI LSI 200910
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