The Motley Fool谈论了英特尔计划推出的三个10nm节点架构，而不是此前预期的两种：“管理层向投资者表示，他们正试图回到2年/低于10nm的节奏(此话或意味着2年内从10nm转到7nm)。不过根据刚从熟知英特尔计划的消息人士那获得的信息，该公司正致力于三款、而不是两款10nm节点架构”。
此前有消息称，Kaby Lake会停留在当前的14nm节点，并打乱英特尔每2年一升级的制造技术步伐。该公司首款10nm处理器架构被称作“Cannonlake&rd
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英特尔 5nm
先前证实采用10nm制程技术的“Cannonlake”将延后至2017年下半年间推出消息后，相关消息具体透露Intel计画将以10nm制程打造代 号“Icelake”与“Tigerlake”处理器系列，分别将于2018年与2019年揭晓，同时预计在2020年时进入5nm制程发展，但目前暂时 尚未透露预计推行处理器代号名称。
根 据overclock3d.net网站取得资料显示，Intel将以10nm制程技术打造代号&ldqu
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Intel 5nm
芯片制造工艺的提高有助于降低功耗并提升性能，目前三星和台积电均已经可以以14nm/16nm工艺制造芯片，而据报道，台积电正计划最早在2020上半年推出5nm工艺制造技术。此外，7nm工艺的芯片也有望在2018年早些时候量产。如果他们的进度靠谱，就意味着2年间的芯片尺寸缩减会达到50%。
开发7nm以下芯片的制造过程是相当棘手的，但台积电将答案寄托在了极紫外光刻(UAV)技术上。该公司称，他们已经在这方面取得了“重大进展”，并预计延伸至5nm技术
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台积电 5nm
台积电与英特尔、三星的先进制程竞赛依旧打得火热，10纳米以下制程成为半导体三雄间的竞逐场，三星虽于11月中抢先发表10纳米FinFET制程生产的SRAM(静态随机存取存储器)，看似抢先台积电与三星，不过，台积电3日透露，早已成功以7纳米制程产出SRAM，而且预告5纳米也要来了! 台积电于3日举办第十五届供应链管理论坛，台积电总经理暨共同执行长刘德音表示，库存调整已近尾声，2016有望恢复成长，台积明年将比今年更好，与先前自家董事长张忠谋的说法一致，刘德音对台积电先进制程进度也透露更多的讯息。 在1
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台积电 5nm
就在昨天的 ISSCC(International Solid State Circuit Conference)国际固态电路会议上，三星的举动令业界感 到惊讶，全球首次展示了 10nm FinFET 半导体制程。当时业内人士纷纷表示，三星有望抢在英特尔之前造出全球第一款 10nm 工艺用于移动平台的处理器。
实 际上，作为韩国高科技巨头，三星在半导体制造方面已经非常超前，目前仅有三星一家可以正式大规模量产 14nm FinFET 工艺的移动设备芯片，而此前在工艺方面
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三星 固态电路 5nm
三十多年来，半导体工业绕来绕去都绕不开“摩尔定律”，但是随着工艺的提升，业内专家表示摩尔定律快要失效了。博通公司CTOHenrySamueli此前就表示过15年后摩尔定律就不管用了，日前他在IEDM国际电子元件会议上同样做了类似表示，现有半导体工艺将在5nm阶段达到极限，而且28nm工艺之后制造成本已不能从中获益。
Samueli在接受EETimes采访时谈到了现在的半导体工艺状态，28nm及之后的工艺虽然会继续提升芯片的性能、降低功耗，但在成本上已经不能继续受益，未
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28nm 5nm
Intel CEO Paul Otellini近日对投资者透露，半导体巨头已经开始了7nm、5nm工艺的研发工作，这也是Intel第一次官方披露后10nm时代的远景规划。
他说：“我们的研究和开发是相当深远的，我是说(未来)十年。”
按照路线图，22nm工艺之后，Intel将在2013年进入14nm时代，相应产品代号Broadwell。下一站是10nm，目前还在早期研究阶段，预计2015年左右实现。
7nm、5nm现在都处于理论研究阶段，具体如何去做还远未定案
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Intel 5nm
三星电子公司执行副总裁兼研发中心总经理Kinam Kim在近日IMEC技术论坛上表示，业界有人认为芯片特征尺寸微缩极限在5nm左右，而他并不同意这一说法，他相信存在众多可能的途径来克服硅微缩过程中所遇到的障碍，使硅产业越过纳米量级。
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三星 硅 5nm
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