明年下半年DRAM供给可能会供不应求，韩媒指出，存储器厂商转进20纳米制程的产能损失，或许会让DRAM陷入供给短缺，炒热行情。
BusinessKorea 12日报道，半导体和投资银行的业界消息指出，2017年DRAM需求预料将年增19.3%，不过2017年DRAM每月产量将减少2万组，从当前的105万组、2017年降至103万组，主要是制程转换造成产能减少。不仅如此，产程转换的供给成长率以往大约是30%，2017年成长率可能减至10%，加剧供给不足问题。
据了解，明年上半年是淡季，DRA
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DRAM 美光
南韩半导体大厂SK海力士(SK Hynix)将重整业务组织，将DRAM、NAND Flash、CMOS影像感测器(CIS)等三大事业群分开各自营运，事业群自行加强竞争力，而SK海力士
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SK海力士 DRAM NAND
全球市场研究机构 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 根据记忆体营收部分发布 2012年记忆体模组厂排名调查，该年度全球模组市场总销售金额为
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记忆体储存 金士顿 DRAM
随着DRAM和NAND技术持续迈向更先进几何制程与多层次存储器的道路，IC Insights密切观察有关DRAM和NAND供应商的最新动态，期望能提供更清楚的DRAM/NAND发展
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NAND DRAM
近来DRAM 价格晶片大宗订单的价格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供应给日益成长的智慧手机市场，令人担心个人电脑(PC)未来的供应。预料
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DRAM 晶片 智能手机
RAMRAM是指通过指令可以随机的、个别的对各个存储单元进行访问的存储器，一般访问时间基本固定，而与存储单元地址无关。RAM的速度比较快，但其保
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SRAM DRAM SDRAM 比较
DRAMeXchange表示，由于DRAM产业寡占市场格局确立，加上各大DRAM供应商按照原先规划减少标准型存储器部位影响下，主流模块4GB均价在第2季上扬16%，由23.5
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存储器 DRAM 三星
由于闪存比传统媒介有着更为明显的优势，在过去一年里，闪存的普及率开始飙升。不过，我们总是很难判断不同闪存产品之间的区别。在本文中，我
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NFS PCIe NAS DRAM 闪存
根据TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查，DRAM产业的减产效应已正在逐步发酵当中，在跌无可跌的前提之下，短时间内现货价格有机会带动一波价格的上
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DRAM 现货价 短期看涨
行业专家认为，对于一个典型的大型数据中心而言，其50亿美元成本的80%左右会用在设备的机械和电子基础设施上。对于数据中心服务器，高功率密度的
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存储器 子系统效率 DRAM
DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM，中文名为“双倍数据率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基础上改进而来，严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR。
说到这里，很多人可能会问SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼，怎么区别的?小编还是来简单普及下关于存储的基础知识吧。
ROM 和RAM指的都是半导体存储器，ROM是只读存储器(Read-Only Memory)的简称，是一种只能读出事先
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DDR DRAM
受到第三季进入旺季需求带动，存储器、面板等关键零组件皆终止长期价格颓势。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示，存储器在笔电需求回温、智能手机延续强劲成长态势与服务器需求增温带动下，DRAM与NAND Flash第四季价格预计将同步上扬，特别是DRAM合约价第四季估将再涨逾一成。
供应持续吃紧，DRAM市场至2017年维持健康供需状态
由于今年中国品牌智能手机表现超乎预期，服务器出货也受惠于中国大陆数据中心需求增温，下半年台系服务器代工厂
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存储器 DRAM
存储器作为四大通用芯片之一，发展存储芯片产业的意义不言而喻。对电子产品而言，存储芯片就像粮食一样不可或缺。它与数据相伴而生，哪里有数据，哪里就会需要存储芯片。而且随着大数据、物联网等新兴产业的发展，存储产业与信息安全等亦息息相关。
当前，我国笔记本、智能手机出货量均居全球首位。华为、联想等厂商崛起，以及阿里巴巴、腾讯、百度等互联网厂商带动数据中心爆发，使得国产厂商对存储需求量巨大。
相关数据显示，2015年大陆DRAM采购规模估计为120亿美元、NAND Flash采购规模为66.7亿美元
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3D NAND DRAM
继上周日系外资提高存储器厂美光(Micron)自每股16元的目标价到每股20元之后，30日另一家美系外资的最新研究报告也指出，在当前DRAM市场价格逐步回稳的情况下，加上美光逐步降低成本、提高每股获利的转变，也将美光的目标价由原本的每股18美元，提高至每股20美元的价位。
该外资报告一开始便提及，看好2016年以来DRAM市场的回温与产品价格的回稳，而且实际上的表现还比当时预估的要好一些。不过，在当前许多供应商的产能不足的情况下，2017年DRAM的供应依旧是吃紧的。尤其，是在3D NAND闪存
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美光 DRAM
在全球持续突破存储器运行速度的努力进程中，全球各研究人员均对于“相变化存储器”(Phase Change Memory;PCM)领域的研究感兴趣，并投入大量时间从事研发，最新则是美国史丹佛大学(Stanford University)的研究做出了新突破，据称可让PCM的运行速度较传统DRAM快上逾1,000倍以上。
据Techspot网站报导，所谓的相变化存储器运作原理，是指在低阻抗的结晶态及高阻抗的非结晶态两种物理状态下进行移动，虽然此技术在现今全球储存技术领域中已展现
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存储器 DRAM
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