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半导体「权力游戏」:GAAFET
- 北京大学团队研发出全球首款二维 GAAFET 晶体管,以铋材料突破接触电阻量子极限,开启后摩尔时代。这项成果在《自然》发表,实测性能超越国际巨头,二维堆叠技术使中国半导体站上 1 纳米制程竞争最前沿。近年来,随着半导体行业的不断发展,摩尔定律逐渐失效,使得人们越来越难以改进芯片制造工艺。许多人认为全环绕栅极(GAA)架构工艺推动了芯片工艺的发展。后摩尔定律时期,AI 芯片又如何发展?如何走向 GAAFET在 GAA 之前,半导体制造工艺主要经历了两个重要时期:平面场效应晶体管(PlanarFET)和鳍式场
- 关键字: GAAFET
HBM4标准,正式发布
- 4月16日,微电子行业标准制定者JEDEC固态技术协会正式发布了备受业界期待的HBM4标准。HBM4标准作为先前HBM3标准的升级版,将进一步提升数据处理速率,同时保持更高带宽、更高能效及每颗芯片/堆叠的容量等基本特征。HBM4带来的改进对于需要高效处理大型数据集和复杂计算的应用至关重要,例如生成式人工智能(AI)、高性能计算、高端显卡和服务器。据介绍,与此前的版本相比,HBM4标准在带宽、通道数、功耗、容量等多方面进行了改进。具体来看:●增加带宽:通过2048位接口,传输速度高达8Gb/s,HBM4可将
- 关键字: HBM4
TrendForce:预估2Q25存储器合约价涨幅将扩大
- 根据TrendForce集邦咨询最新调查,近期国际形势变化已切实改变了存储器供需方操作策略。TrendForce资深研究副总吴雅婷表示,由于买卖双方急于完成交易、推动生产出货,以应对未来市场不确定性,预期第二季存储器市场的交易动能将随之增强。基于对未来国际形势走向不明的担忧,采购端普遍秉持“降低不确定因素、建立安全库存”的策略,积极提高DRAM和NAND Flash的库存水位。TrendForce集邦咨询表示,受到积极备货潮带动,第二季的DRAM和NAND Flash合约价调涨幅度皆较原本预期扩大。然
- 关键字: TrendForce 集邦咨询 存储器
从本土突围到全球布局,瑞能半导体携创新方案亮相2025慕尼黑上海电子展
- 2025年4月17日,中国上海 —日前,瑞能半导体携多款高性能功率器件解决方案亮相2025慕尼黑上海电子展(Electronica China 2025),全方位展示了其在碳化硅、IGBT、MOSFET等领域的最新突破成果。本次展会,瑞能半导体延续“高效、可靠、创新”的核心品牌理念,助力消费电子、工业和大数据、可再生能源、汽车电子这四大核心应用领域的高效发展。在全球能源转型与智能化浪潮加速的背景下,瑞能半导体正成为推动产业升级的核心引擎。“我们很高兴能够在今年的慕尼黑上海电子展上与同行和用户再次
- 关键字: 瑞能
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