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静态随机存储器(sram) 文章 进入静态随机存储器(sram)技术社区

基于FPGA与外部SRAM的大容量数据存储

  • 1引言我们将针对FPGA中内部BlockRAM有限的缺点,提出了将FPGA与外部SRAM相结合来改进设计的方法,并给出...
  • 关键字: FPGA  SRAM  

富士通与SuVolta展示其SRAM可在0.4伏低压下工作

  •   富士通半导体有限公司和SuVolta公司宣布,通过将SuVolta的PowerShrink 低功耗CMOS与富士通半导体的低功耗工艺技术集成,已经成功地展示了在0.425V超低电压下,SRAM(静态随机存储)模块可以正常运行。这些技术降低能耗,为即将出现的终极“生态”产品铺平道路。技术细节和结果会在12月5日开始在华盛顿召开的2011年国际电子器件会议(IEDM)上发表。   从移动电子产品到因特网共享服务器,以及网络设备,控制功耗成为增加功能的主要限制。而供应电
  • 关键字: 富士通  SRAM  

富士通和SuVolta展示低电压工作的SRAM模块

  •   富士通半导体和SuVolta宣布,通过将SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS与富士通半导体的低功耗工艺技术集成,已经成功地展示了在0.425V超低电压下,SRAM(静态随机存储)模块可以正常运行。这些技术降低能耗,为即将出现的终极“生态”产品铺平道路。技术细节和结果将会在12月5日开始在华盛顿召开的2011年国际电子器件会议(IEDM)上发表。   从移动电子产品到因特网共享服务器,以及网络设备,控制功耗成为增加功能的主要限制。而供应电压又是决定功耗的重要因素
  • 关键字: 富士通  SRAM   

富士通半导体与SuVolta携手合作

  • 富士通半导体有限公司和SuVolta,Inc今日宣布,通过将SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS与富士通半导体的低功耗工艺技术集成,已经成功地展示了在0.425V超低电压下,SRAM(静态随机存储)模块可以正常运行。这些技术降低能耗,为即将出现的终极“生态”产品铺平道路。技术细节和结果将会在12月5日开始在华盛顿召开的2011年国际电子器件会议(IEDM)上发表。
  • 关键字: 富士通  SuVolta  SRAM  

新型高可靠性低功耗6管SRAM单元设计

  • 摘要:提出一种新型的6管SRAM单元结构,该结构采用读/写分开技术,从而很大程度上解决了噪声容限的问题,并且该结构在数据保持状态下,采用漏电流以及正反馈保持数据,从而不需要数据的刷新来维持数据。仿真显示了正
  • 关键字: 单元  设计  SRAM  功耗  可靠性  新型  

非易失性SRAM DS1747

  • DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的 ...
  • 关键字: SRAM  DS1747  

Altera 选择赛普拉斯的高容量QDR™II 和 QDRII+ SRAM器件用于28 纳米 Stratix V FPGA 开发套件

  • 2011年10月24日,北京讯,加州圣何塞讯——SRAM领域的业界领先者赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票代码:CY)日...
  • 关键字: SRAM  赛普拉斯  FPGA  

科学家研制出新型铁电晶体管随机存取存储器

  •   据美国物理学家组织网近日报道,美国科学家们正在研制一种新的计算机存储设备——铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM),其将比现在的商用存储设备更快捷,且比占主流的闪存能耗更低。研究发表在美国化学学会的《纳米快报》杂志上。  
  • 关键字: FeTRAM  SRAM  

嵌入式MIPS32 M4K处理器内核SRAM接口应用

  • 嵌入式MIPS32 M4K处理器内核SRAM接口应用, 在微控制器尺寸和成本的限制下,M4K内核内部不支持指令高速缓存(I-cache)或数据高速缓存(D-cache)的标准功能。本文重点讨论的一个内容--SRAM接口,这是MIPS32 M4K内核的一个标准功能。  M4K内核SRAM接口基本描述
  • 关键字: SRAM  接口  应用  内核  处理器  MIPS32  M4K  嵌入式  

基于SRAM的可重配置电路PLD

  • 本文介绍了一种基于微控制器的PLD ICR控制电路,该控制电路结构简单、占用空间小、性价比较高,适用于需要ICR功能的电子装置中,该ICR控制电路是为配置ALTERR系列PLD器件来设计的,稍加屐也适用于XILINX公司的FPGA器件。这个配置电路的主要弱点在于配置速率较慢,只能适应用于配置速率要求不高的应用。
  • 关键字: SRAM  PLD  可重配置  电路    

赛普拉斯推出32位总线宽度低耗异步SRAM

  •   赛普拉斯半导体公司日前宣布推出具有 32 位总线宽度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更长电池使用寿命)异步 SRAM。这些器件的推出进一步丰富了赛普拉斯业界领先的 SRAM 产品系列(包括高性能同步、异步和微功耗器件)。这些全新 MoBL SRAM 与 32 位 DSP、FPGA 和处理器配合使用可显著提升系统性能,从而充分满足电信、计算机、外设、消费类产品、医疗、军事等领域的应用需求。   
  • 关键字: 赛普拉斯  SRAM  

赛普拉斯推出全球首批低功耗异步SRAM

  • 赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票代码:CY)日前宣布推出具有 32 位总线宽度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL (更长电池使用寿命)异步 SRAM。这些器件的推出进一步丰富了赛普拉斯业界领先的 SRAM 产品系列(包括高性能同步、异步和微功耗器件)。这些全新 MoBL SRAM 与 32 位 DSP、FPGA 和处理器配合使用可显著提升系统性能,从而充分满足电信、计算机、外设、消费类产品、医疗、军事等领域的应用需求。
  • 关键字: 赛普拉斯  SRAM  

Cortex―M3的SRAM单元故障软件的自检测研究

  • Cortex―M3的SRAM单元故障软件的自检测研究,引言
    目前,对于存储单元SRAM的研究都是基于硬件电路来完成,而且这些方法都是运用在生产过程中,但是生产过程并不能完全杜绝SRAM的硬件故障。在其使用过程中,如果SRAM硬件出错,将导致程序出错而且很难被发现
  • 关键字: 软件  检测  研究  故障  单元  M3  SRAM  Cortex  

四倍速SRAM与Spartan3 FPGA的接口设计

  • 互联网的飞速发展极大地促进了高速数据通信系统的需求量增加,同时也促进了更快速的处理器的发展,推动了存储器...
  • 关键字: SRAM  Spartan3  

QDR SRAM与Spartan3 FPGA的接口设计

  • QDR SRAM与Spartan3 FPGA的接口设计,为了满足当前系统和处理器的生产量需求,更新的静态存储器应运而生。QDR SRAM就是由Cypress、Renesas、IDT、NEC和Samsung为高性能的网络系统应用而共同开发的一种具有创新体系结构的同步静态存储器。  1 QDR SRAM的
  • 关键字: 接口  设计  FPGA  Spartan3  SRAM  QDR  
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静态随机存储器(sram)介绍

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