中国领先的车载逆变器供应商珠海英搏尔电气股份有限公司率先引入了英飞凌科技股份公司（FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY）最新推出的750 V车规级IGBT ，包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2两个型号。这款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封装，可以提升电动汽车主逆变器和直流链路放电开关的性能，并节约系统成本。除此之外，它们还能够为设计师提供更大的自由度，有助于实现系统集成。 &
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英博尔 英飞凌 IGBT
随着PD产品在市场的日趋成长，Type-C连接口的应用越来越广泛，PD协议是以Type-C作为载体传输资料或充电，也就是说PD协议需要搭配Type-C界面来实现。常见笔电标配的电源供应器由于体积较大，加上不好收纳的电源线，影响携带时的便利性，因此利用大功率的PD充电器加上诱骗器即能快速解决问题。具有智慧快充诱骗功能的PD电源，可解决USB输入口供电不足的问题并结合快充功能的充电器使用，达到输出功率更大，效率更高，提高其实用性，并可利用不同的PD电源产品利用诱骗器来提供给无Type C界面的产品使用，既可提
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英飞凌 BCR CYPD3177 PD控制
物联网提升生活品质的潜力有赖于无数设备之间分享、传输和访问海量信息的能力。不过这种便利却增加了数据泄露的风险，因此需要强大的安全技术，以保护敏感数据。这就是为什么安富利为您推介英飞凌，实事可以证明其解决方案将对您的物联网设计非常有价值。 英飞凌OPTIGA物联网安全解决方案在物联网节点参考设计中并入了主管安全的器件。它还包括了使用意法半导体(ST Micro)传感器的传感器中枢和围绕Dialog Semi设计的低功耗蓝牙模块，通用性极强。令人印象深刻的是，英飞凌OPTIGA Trust产品为在安全应
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安富利 英飞凌 物联网
SiC MOSFET短路时间相比IGBT短很多，英飞凌CoolSiC™ MOSFET单管保证3us的短路时间，Easy模块保证2us的短路时间，因此要求驱动电路和的短路响应迅速而精确。今天，我们来具体看一下这个短而精的程度。图1是传统典型的驱动芯片退饱和检测原理，芯片内置一个恒流源。功率开关器件在门极电压一定时，发生短路后，电流不断增加，导致器件VCE电压迅速提升至母线电压，高压二极管被阻断，恒流源电流向电容CDESAT充电，当上电容CDESAT的电压被恒流源充至大于比较器参考电压后，触发驱动器关闭输出。
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英飞凌 desat 驱动芯片
导读】事物皆有两面：SiC MOSFET以更快的开关速度，相比IGBT可明显降低器件开关损耗，提升系统效率和功率密度；但是高速的开关切换，也产生了更大的dv/dt和di/dt，对一些电机控制领域的电机绝缘和EMI设计都带来了额外的挑战。应用痛点氢燃料系统中的高速空压机控制器功率35kW上下，转速高达10万转以上，输出频率可达2000Hz，调制频率50kHz以上是常见的设计，SiC MOSFET是很好的解决方案。但是，SiC的高dv/dt和谐波会造成空压机线包发热和电机轴电流。一般的对策有二：1.采用大的栅
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英飞凌 MOSFET 2L-SRC
IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活中开关门太快容易挤压手一样，过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。这种现象随着IGBT被高频PWM调制信号驱动时，时常会无奈发生，占空比越小越容易输出窄脉冲，且IGBT反并联续流二极管FWD在硬开关续流时反向恢复特性也会变快。什么是窄脉冲现象IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活中开关门太快容易挤压手一样，过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。这种现象随着I
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英飞凌 IGBT 窄脉冲
【导读】先说结论，如果条件允许还是很建议使用负压作为IGBT关断的。但是从成本和设计的复杂度来说，很多工程师客户希望不要使用负压。下面我们从门极寄生导通现象来看这个问题。IGBT是一个受门极电压控制开关的器件，只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关，在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化di/dt。电压变化Dv/dt通过米勒电容CCG电容产生分布电流灌入门极，使门极电压抬升，可能导致原本处于关断状态的IGBT开通，如图1所示。电流变化di/dt可以通过发射极和驱动回路共用的
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英飞凌 门极驱动
在疫情反复和隔离封闭的环境下，如何自主的检测身体和环境状态并进行改善和调整成为当下人们的热点话题。近日，英飞凌召开“智”在健康媒体会，根据英飞凌科技大中华区电源与传感系统事业部应用市场总监李国豪先生的介绍，英飞凌目前有4类广泛应用的传感器。第一种是MEMS类产品，在手机、耳机、智能音箱上都有广泛的应用。第二类是3D立体毫米波雷达传感器，主要应用在汽车领域，雷达传感器可在较远距离侦测到是否有障碍物。第三类传感器是3D ToF飞行光传感器，它能够侦测到人体或者是物体的距离、深度，可以应用在手机面容解锁、面
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英飞凌 传感器 智慧健康
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货英飞凌的XENSIV™ PAS CO2二氧化碳传感器。该产品基于光声光谱学 (PAS) 原理，采用高灵敏度MEMS麦克风检测传感器腔内CO2分子产生的压力变化。这种检测方式可以显著减小CO2传感器的尺寸，与市面上其他CO2传感器相比，可以在最终产品中节省超过75%的空间。贸泽电子分销的英飞凌XENSIV PAS CO2传感器集成了光声传感器（包含检测器、红外源和光学滤波器）、用
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贸泽电子 英飞凌 XENSIV PAS CO2传感器 MOSFET
该文描述了引起功率MOSFET发生寄生导通的机制，并进一步指出为了避免寄生导通，在选取MOSFET时应遵循什么准则。
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MOSFET 英飞凌
英飞凌(Infineon)今日发表了一系列的先进传感器产品，包含毫米波雷达（mmWave Radar）感测、ToF感测和二氧化碳感测等，并聚焦目前正快速成长的医疗照护应用领域，如智能手表、手环、眼镜等。此外，包含汽车、工业、智慧家庭、智慧建筑，以及新兴的元宇宙ARVR等应用也是锁定的市场。此次发表的传感器方案系隶属于英飞凌XENSIV感测技术系列中的产品，其中动态侦测器BGT60LTR11AIP，以及先进传感器BGT60TR13C皆是采用毫米波雷达的解决方案，并使用AiP的天线封装技术，能缩短系统开发商的
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英飞凌科技首席应用工程师Zhong Fang Wang、英飞凌科技高级主任应用工程师Matt Yang 如今，充电器和适配器应用最常用的功率转换器拓扑是准谐振（QR）反激式拓扑，因为它结构简单、控制简便、物料（BOM）成本较低，并可通过波谷切换工作实现高能效。然而，与工作频率密切相关的开关损耗和变压器漏感能量损耗，限制了QR反激式转换器的最大开关频率，从而限制了功率密度。 在QR反激式转换器中采用GaN HEMT和平面变压器，有助于提高开关频率和功率密度。然而，为了在超薄充电器和适配器设计中实现更
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英飞凌 GaN转换器
汽车智能化，离不开硬件的迭代。即将亮相的理想L9（理想ONE之后的第二款车）将搭载3D-ToF传感器，除了驾驶员眼睛注视和头部跟踪监控，还将作为理想自研的深度学习+多模态三维空间交互技术的主要硬件载体。而此前，大部分用于检测驾驶员疲劳的驾驶员监测系统 (DMS)均采用成本较低的传统2D可见光摄像头（配合IR红外LED）。当应用需要高距离精度以及三维成像时，3D ToF具有明显的优势。一般而言，ToF传感器的图像处理深度精度比2D摄像头（视频流）要高。例如，在一米距离内，ToF利用VCSEL（可选光源的一种
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2011年9月2日，中国北京——英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）与福田汽车今日在京召开联合新闻发布会，宣布双方签订新能源领域合作备忘录。此次签约将使双方在新能源汽车关键系统开发、充电和储能系统开发等领域展开深入而广泛的合作，对于双方确立共赢的伙伴关系具有重要意义。 根据该合作备忘录，福田汽车将首先在多款电池管理系统（BMS）中采用英飞凌的主动平衡解决方案作为其特色供应商，优化电池管理系统软、硬件。这也是英飞凌公司首次将该技术应用于商用车领域。英飞凌的主动平衡解决方案是针对
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BMS 英飞凌 福田
现代电力电子器件需要尽可能实现更高的系统效率，这也促使器件的功率密度不断提高。然而，一旦发生短路故障，就会对高价值系统构成威胁。为了避免这种状况的发生，并为系统提供可靠的保护，英飞凌科技股份公司近日宣布推出EiceDRIVER™ F3 （1ED332x）增强型系列栅极驱动器，进一步壮大其EiceDRIVER™ 增强型隔离栅极驱动器的产品阵容。该系列栅极驱动器能够提供可靠且全面的保护，防止短路故障的发生，让包括IGBT在内的传统功率开关以及CoolSIC™宽禁带器件得到有效保护。该系列栅极驱动器专为工业驱动
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英飞凌介绍
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，至今在世界拥有35,600多名员工，2004财年公司营业额达71.9亿欧元，是全球领先的半导体公司之一。作为国际半导体产业创新的领导者，英飞凌为有线和无线通信、汽车及工业电子、内存、计算机安全以及芯片卡市场提供先进的半导体产品及完整的系统解决方案。英飞凌平均每年投入销售额的17%用于研发，全球共拥有41,000项专利。自从1996年在无锡建立 [
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