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美光1γ dram 文章 进入美光1γ dram技术社区

美光重心押注台湾 3D DRAM封测厂和华亚科扩建案投资达千亿

  •   美光全数收购华亚科股权,华亚科并于6日下市,美光定于12日举行华亚科加入美光典仪,并将宣布在中国台湾地区扩大投资案,包括3D DRAM封测厂和华亚科扩建案,估计总投资金额上看千亿元新台币。   美光已网罗前艾克尔总经理梁明成出任负责美光存储器后段封测厂投资案,12日华亚科加入美光的庆祝典礼,美光执行长邓肯(Mark Durcan)将亲自主持,预料将同步宣布相关人事及扩大在台投资布局。   这也是美光继在大陆西安厂之后,在海外最大手笔的封测投资计划,美光也借由邀请包括台湾桃园市长郑文灿及经济部长等相
  • 关键字: 美光  DRAM  

美光计划扩大3D DRAM封测厂和华亚科扩建案

  •   继以一千三百亿元新台币收购华亚科股权后,美光决定扩大在台投资,计划在中科兴建美光在海外首座3D架构的存储器封测厂,并网罗前艾克尔(Amkor)总经理梁明成出任这项业务台湾区总经理,新投资计划预定十二日宣布。   梁明成四日证实已于十月底离开艾克尔,但因美光还未正式对布发布人事,他低调表示还在休息,详细职务等美光宣布。   据了解,美光收购华亚科股权案已进入尾声,华亚科已于十一月卅日停止交易,美光预定十二日举办华亚科加入美光的庆祝典礼,美光执行长邓肯(Mark Duncan)将再度亲自抵台主持,预料
  • 关键字: 美光  DRAM  

一文看尽最新最全的大陆晶圆厂产能数据

  • 无论如何,产业要想发展、进步,就必须要有投资,而投资必然会伴随着风险,大量资金和资源投入,都打了水漂的情况以前也曾频频出现过,只希望在国家大力扶持下的IC产业,能尽量少走弯路,早日实现中国“芯”,强国梦。
  • 关键字: 晶圆  DRAM  

三星内存霸占手机:市场份额创纪录

  •   市调机构DRAMeXchange的最新数据显示,2016年第三季度的全球移动DRAM内存市场上,三星电子的份额已经达到创纪录的64.5%,比此前季度提高了3.0个百分点。   当季,三星移动内存业务收入达29.6亿美元(约合人民币205亿元),环比大涨22.4%。   作为三星的头号对手,SK海力士的份额从25.1%下降到了22.8%,基本上只有三星1/3的规模,不过两家合计已经占到了87.3%。   美光位列第三,但形势也不太好,跌落到10.6%。台湾南亚有所上升,但也不过1.3%。   上
  • 关键字: 三星  DRAM  

第三季移动DRAM内存产值季增16.8%

  •   TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示,受惠于全球智能手机进入传统备货旺季,加上各DRAM产品价格同步上扬,第三季行动式内存总产值达45.88亿美元,季成长约16.8%。   DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,第三季有苹果iPhone 7与三星Note 7旗舰机型发布,让全球行动式内存出货大增,纵使Note 7受爆炸影响于第四季宣布停产,先前的备料动作已为第三季行动式内存的营收做出贡献。   以三大DRAM厂行动式内存营收市占来
  • 关键字: DRAM  

兆易创新即将与ISSI整并 成国产DRAM新担当?

  •   中国发展半导体在存储始终无法取得突破性进展,现在有关厂商团队都积极动起来,近来相关整并、建厂消息一桩接一桩。早前曾报导过,中国NOR Flash厂商兆易创新(Gigadevice)可能与武岳峰等中国基金所收购的美国DRAM厂ISSI合并,从9月中停牌迄今的兆易创新19日再发出持续停牌公告,并正式揭露了即将与ISSI整并的消息!   19 日上海交易所上市的兆易创新再发停牌公告,以正在筹划重大事项为由,即日起将持续停牌,今年9 月中开始兆易创新即以重大资产重组为由停牌多时,此次,兆易创新也正式揭露了原
  • 关键字: 兆易创新  DRAM  

TrendForce:价格涨势不停,第三季DRAM总营收大幅季成长15.8%

  •   TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示,受惠于全球智能手机出货成长,及内存搭载量不断攀升,第二季开始DRAM原厂逐步降低标准型内存的产出,转为行动式内存与服务器用内存。在供应逐渐吃紧下,第三季开始标准型内存价格呈上涨走势,同时带动其他类别内存的价格上扬。使得第三季全球DRAM总体营收较上季大幅成长约15.8%。   DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,第三季适逢苹果iPhone 7与三星Note7二大旗舰机备货潮,虽然Note 7后来于第四
  • 关键字: TrendForce  DRAM  

价格涨势不停,第三季DRAM总营收大幅季成长15.8%

  •   TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示,受惠于全球智能手机出货成长,及内存搭载量不断攀升,第二季开始DRAM原厂逐步降低标准型内存的产出,转为行动式内存与服务器用内存。在供应逐渐吃紧下,第三季开始标准型内存价格呈上涨走势,同时带动其他类别内存的价格上扬。使得第三季全球DRAM总体营收较上季大幅成长约15.8%。   DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,第三季适逢苹果iPhone 7与三星Note7二大旗舰机备货潮,虽然Note 7后来于第四
  • 关键字: DRAM  南亚科  

日本半导体产业发展历程解读

  • 目前世界半导体产业进入到寡头时代,竞争格局相对稳定。尽管日本企业在半导体设备行业份额日益减少,但在半导体的一些其他细分行业以及半导体材料领域, 日本企业仍保持着优势地位。
  • 关键字: 半导体  DRAM   

DRAM战国时代 长江存储、联电、合肥长芯三大势力将对决

  •   近期大陆三股势力正如火如荼点燃DRAM主导权大战,长江存储传已评估到南京设立12寸厂,联电大陆DRAM厂福建晋华计划2018年量产,并在南科厂同步研发25、30nm制程,至于合肥市与北京兆易创新(GigaDevice)合作的合肥长芯,由前中芯国际执行长王宁国操刀,大陆这三股DRAM势力将决战2018年,抢当大陆DRAM产业龙头。   尽管大陆布局自制3D NAND Flash雏形渐现,长江存储将与已并购飞索(Spansion)的赛普拉斯(Cypress)合作,切入32层和64层3D NAND技术,由
  • 关键字: DRAM  长江存储  

SK海力士:10纳米级DRAM估2017年上半投产

  •   据韩国经济报导,SK海力士(SK Hynix)以21纳米制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品,2016年底生产比重将达全部DRAM的40%;10纳米级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半投产72层3D NAND Flash,持续扩大3D NAND的生产比重。   SK海力士DRAM技术本部长金进国(音译)表示,IT产业对大容量、低耗电、存取速度快的DRAM需求渐增,2016年以来市场需求开始由DDR3、LPDDR3转移到DDR4、LPDDR4,公司
  • 关键字: SK海力士  DRAM  

SK海力士:10纳米级DRAM估2017年上半投产

  •   据韩国经济报导,SK海力士(SK Hynix)以21纳米制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品,2016年底生产比重将达全部DRAM的40%;10纳米级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半投产72层3D NAND Flash,持续扩大3D NAND的生产比重。   SK海力士DRAM技术本部长金进国(音译)表示,IT产业对大容量、低耗电、存取速度快的DRAM需求渐增,2016年以来市场需求开始由DDR3、LPDDR3转移到DDR4、LPDDR4,公司
  • 关键字: SK海力士  DRAM  

赛普拉斯率先推出采用低引脚数MCP封装的串行存储器解决方案,实现汽车、工业和物联网应用的瞬时启动

  •   赛普拉斯半导体公司今日宣布其一款用于支持瞬时启动应用的全新小尺寸存储器解决方案已验证成功。赛普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封装(MCP)解决方案在8mm x 6mm的空间内集成了赛普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存储器。该方案在一个低引脚数封装内结合了用于实现快速启动和随开随用高速NOR闪存,和用于扩展便笺式存储器的自刷新DRAM ,特别适合空间受限和成本优化的嵌入式 设计。 该解决方案可用于广泛的应用类别,包括
  • 关键字: 赛普拉斯  DRAM   

三星2Q'17起或将全面采20纳米制程生产移动DRAM

  •   三星电子(Samsung Electronics)被预估自2017年第2季开始,将全面采用20纳米或以下的制程技术生产所有移动DRAM产品,意谓2017年第2季以后三星也将停止采用25纳米制程技术生产移动DRAM芯片,由此显示出三星在制程技术上的加速演进。   韩联社等外媒报导,根据市场研究公司DRAMeXchange指出,据信在2016年第4季三星生产的移动DRAM芯片中,约94%已开始采用20纳米或以下纳米制程技术生产。   到目前三星移动DRAM芯片采20纳米制程生产比重为82%、18纳米为
  • 关键字: 三星  DRAM  

TrendForce:十月DRAM价格月涨逾20%,4GB模组均价来到17.5美元

  •   TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示,DRAM原厂与一线的PC-OEM(代工)大厂敲定第四季度的合约价格,4GB模组均价来到17.5美元,较上月的14.5美元上涨逾20%;现货市场也依然维持强劲的上升格局,DDR3/4 4Gb价格分别来到2.46/2.48美元,较上月同期比较已上涨17%与24%,显见市场对于后市上涨仍将持续保持乐观的态度。   DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,观察市场面,由于原厂产能陆续转进行动式内存与服务器内存后,
  • 关键字: TrendForce  DRAM  
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