8月27日消息，中国目前大力推动国内芯片产业发展，目标是在将来成为全球电脑芯片制造业的领军者。这一宏伟计划似乎遇到了难以逾越的障碍。
在2014年，中国就宣布将投资1000亿美元以发展芯片设计和制造产业，以期在未来占据行业头把交椅。大笔资金已经投入了新制造工厂的修建之中。但贝恩管理咨询公司(Bain & Company )的最新分析显示，中国仅仅依靠这1000亿美元的投资是无法保证自己在芯片行业取得领先的。
中国国有芯片制造企业XMC(武汉新芯集成电路制造有限公司)正大举兴建用于加
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芯片 DRAM
韩联社首尔8月17日电 据半导体市场调研机构DRAMeXchange消息，三星电子2016年第二季移动动态随机存储器(DRAM)的销售额同比增长19.4%至24.18亿美元，全球市场占有率升至61.5%，创下移动DRAM市场份额单独统计以来的历史最高纪录。
三星2015年后三季度的移动DRAM市场份额均未突破60%关口，分别为57.6%、56.9%、58.2%。继今年第一季突破60%后，第二季又提升1.1个百分点。三星移动DRAM的市场份额更是比DRAM市场份额(47.4%)高出14.1个百分点
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三星 DRAM
DRAMeXchange最新报告指出，中国地区的智慧型手机出货依然强劲，DRAM三大厂同步调整产品类别，持续向行动式记忆体转进，伴随第3季强劲的旺季备货需求到来，预估第3季全球DRAM总营收将出现较显著的成长。
DRAMeXchange表示，因市况供过于求，第2季DRAM的平均销售单价持续下滑，整体均价季跌幅超过5%，但受惠美光20奈米及SK海力士21奈米产出顺利，带动位元供给成长，使得第2季全球DRAM总营收约91亿美元，季成长6.3%。
三星在第2季的DRAM产业营收仍排行第一，营收季
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三星 DRAM
TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，由于市况供过于求，第2季DRAM的平均销售单价持续下滑，整体均价季跌幅超过5%，但受惠美光20纳米及SK海力士21纳米产出顺利，带动位元供给成长，第2季全球DRAM总营收约91亿美元，季成长6.3%;三星、SK海力士、美光三大厂营收都成长，台厂部分，以华邦电( 2344-TW )营收季增3.3%表现最佳。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第2季笔记型电脑及伺服器相关产品出货动能表现一般，但中国地区的智慧型手
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DRAM
按IC Insight的最新IC市场观察报告，2016年因供过于求，导致全球DRAM的平均售价(ASP)下降16%，导致全球IC销售额下降2%。
由于PC，笔记本，及平板电脑，包括智能手机等的出货量减少，今年全球DRAM销售额下降19%。DRAM的ASP有很大的起伏，由2014年的3.16美元高点，到2012年时的1.69美元。
IC Insight认为，一组DRAM的ASP曲线，从2007年开始象飞机飞过山谷时一样的起伏。预计在服务器及新智能手机等市场需求推动
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DRAM
受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米产出顺利，带动位元供给成长，使得第二季全球DRAM总营收约91亿美元，季成长6.3%。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，由于市况供过于求，第二季DRAM的平均销售单价持续下滑，整体均价季跌幅超过5%。然而，受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米产出顺利，带动位元供给成长，使得第二季全球DRAM总营收约91亿美元，季成长6.3%。
DRAMe
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美光 DRAM
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新报告显示，由于市况供过于求，第二季DRAM的平均销售单 价持续下滑，整体均价季跌幅超过5%。然而，受惠于美光20纳米及SK海力士21纳米产出顺利，带动位元供给增长，使得第二季全球DRAM总营收约91亿 美元，季增长6.3%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第二季笔记本电脑及服务器相 关产品出货动能表现一般，但中国地区的智能手机出货依然强劲，因此DRAM三大厂也同步调整产品类别，持续向行动式内存
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SK海力士 DRAM
全球业界首选光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批准对近期扩建的中国上海厂的下一阶段投资计划;该厂由TPI独资子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 运营。TPI将对此工厂再投资8000万美元以展现其对中国快速成长的半导体产业及客户之长期承诺。TPI先前已投资2000万美元扩建上海二厂(TPCS Shanghai II);该厂现已量产并且为中国唯一提供全方位技术及产品的商业光掩模厂。
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DRAM NAND
并购以后DRAM市场的“贫富差距”愈形明显，产业结构可能掀起巨变。
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DRAM 美光
本文主要介绍和分析了2015和2016年DRAM市场走势。结论是2016年第三季度DRAM已经平稳上涨4%~8%左右。预计在2016第四季度价格会略有下滑，但2017年成长会低于20%。
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DRAM 市场 手机 服务器 201608
摩尔定律并未失效，可能无法像以前那样自动跳到下一世代制程，不过可以看到有很多公司在进行20 nm及以下的设计开发。
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摩尔定律 DRAM
NAND快闪记忆体受惠固态硬盘(SSD)销售热络，加上智能手机搭载容量提高，带动近月价格持续上涨，创见、威刚等模组厂营运受惠，市场预期苹果将推出的iPhone 7拉货动能如何，将攸关NAND快闪记忆体价格续涨力道。
市场指出，上半年非苹阵营智能手机产品销售强劲，产品功能提升带动记忆体需求大增，加上6月三星西安厂因变电厂爆炸导致停工，带动NAND快闪记忆体价格上涨，主流产品在1个月内涨幅超过2成。
市况变化带动记忆体模组厂营运增温，创见表示，在涨价预期心理带动下，通路拉货力道明显回升，DRA
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NAND DRAM
韩国经济日报周二报导，国营福建晋华积体电路公司(音译：Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.)在来自联电(2303)技术的加持下，已着手建造半导体厂，将藉此切入DRAM市场。
来自产业内的讯息指出，福建晋华上周六已在晋江市，举行DRAM厂破土动工仪式，第一期工程投资规模预估来到370亿人民币，或相当于55亿美元，2018年投产后每月可产出6万片晶圆(32奈米)。
据报导，福建晋华将获得联电技术支援，且全球晶圆代工龙头台积电(2330)传也有参与投资，但未获
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DRAM 三星
IC Insights近日调降2016年半导体产业成长率预测至-1%，表示英国脱欧也是为产业带来负面冲击的原因之一…
市场研究机构IC Insights近日调降了对2016年半导体产业的成长率预测，由原先的2%下修为-1%;该机构表示，调降产业成长率预测的主要原因，是基于全球经济表现衰弱，以及低迷不振的DRAM市场。
消 费性电子市场与半导体产业之间的连动关系越来越密切，IC Insights预期，2016年全球GDP与成长率仅2.3%;而GDP成长率若低于2.5%，被认为是
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半导体 DRAM
据韩媒BusinessKorea报道，IBM和三星近日在IEEE上发布研究论文称，两家公司联手打造了一种被称为STT-MRAM的新内存，有望成为目前DRAM内存的最实际接替者。
DRAM，即动态随机存取存储器，目前最大的发展障碍就是其很难被压缩至10nm以下，因此两家公司研发的STT-MRAM(自旋传输磁性记忆体)首先就将解决这一问题。
另外，新内存也将拥有更高的传输速度且更加省电，理论性能也将超越DRAM。
业界认为，这可能是目前DRAM的最佳接替者，因为95%的DRAM制造设施都
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