- 用于消防控制系统的集中供电电源应具备不间断供电的特性，能够进行电池充电及智能显示。本文通过半桥拓扑设计主电电路，以STM8S003F3P作为电源的控制单片机，使用继电器控制电路实现主备电无缝切换，使用电池充电电路对蓄电池进行智能充电管理，最后搭建实际电路进行验证。验证结果表明：设计的集中供电电源输出性能指标较高，且能够实现不间断供电及电池充电功能，满足消防控制系统供电要求。
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集中供电电源 半桥拓扑 充电管理 智能 202104 MOSFET IGBT
- 2018年比亚迪半导体在宁波发布了IGBT4.0芯片，树立了国内车规级中高端IGBT芯片标杆。历时两年积累沉淀，比亚迪半导体即将在西安新研发中心发布更高性能的IGBT6.0。西安高新区已经汇聚了华为、浪潮、三星等一大批知名企业，随着西安研发中心大楼的落成，也标志着比亚迪半导体正式入驻中国“西部硅谷”。2008年比亚迪1.7亿元收购了宁波中纬。中纬账面上最有价值的东西是源自台积电淘汰的一条8英寸晶圆线，但这笔收购给还给比亚迪带来了晶圆车间、技术团队等资源。当时长三角地区是中国半导体制造的重要基地。彼时这些资
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比亚迪 IGBT
- 1 低碳时代驱动功率转换的变革当前，世界各国以全球协约的方式减排温室气体，我国也提出了碳达峰和碳中和的目标，这对电子产品的降低能耗提出了巨大挑战。因为随着物联网的普及，产品需要有更长的待机时间；由于产品的性能提高和功能丰富，也会增加工作能耗。这就需要功率转换元器件和模块的效率进一步提升，因此，近年来IPM（智能功率器件）开始盛行。2 适合小功率电机的IPM IPM的优势是高效率、低功耗、模块化。以空调市场为例，全球空调市场的出货量这两年约1.5亿台
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IPM IGBT
- 电磁感应加热在小家电市场(如电饭煲，油炸锅和牛奶泡沫器等)已经得到广泛应用，减小系统尺寸，降低系统成本和提高可靠性是越来越多客户的需求。本文设计了一款2.1 kW电磁感应加热平台。搭载了英飞凌自带保护IPD Protect，XMC单片机和CoolSET PWM控制器辅助电源。电路拓扑采用单端并联谐振电路，最大输出功率2.1 kW，实现了IPD Protect的快速过流保护，过压保护，过温报警和保护，输入电压欠压保护和低静态电流等功能，其中IPD protect过压和过流保护点可以根据系统要求来调节。同时，
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感应加热 IPD Protect IGBT 小家电 TRENCHSTOP 202102
- 功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等，是电子装置中电能转换与电路控制的核心。功率半导体器件种类众多，按集成度可分为功率IC、功率模块和功率分立器件三大类，其中功率分立器件中MOSFET、功率二极管、IGBT占比较大，是最主要的品类。根据iHS预测，MOSFET和IGBT将是2020-2025年增长最强劲的半导体功率器件。增长的市场空间被行业专家拆解成两个方面：折旧带来的替换市场以及电气化程度加深带来的新增市场。既然新增市场源于电气化程度的加深，那
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IT6862A IT6015D-80-450 电动车用大功率 IGBT 模块测试
- 科索有限责任公司近日宣布扩大其为中型机器人和工厂自动化设计的RB系列，增加一款300W的版本。RBC300F是一种开放式框架，可配置AC/DC电源，具有三路输出，专门为机器人控制器和工厂自动化定制。基于一个独特的概念，科索RBC300F系列提供三个可配置隔离输出，其中一个具有增强隔离给智能栅双极型晶体管（IGBT）或等效应用供电。RBC300F通过EN62477-1过电压类别（OVC）Ⅲ认证，当连接到配电板时，通过减少额外的隔离变压器，RBC300F电源简化了系统架构师的设计过程，同时降低了成本。RBC3
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OVC IGBT COSEL RBC300F 对流冷却设计
- 随着电动汽车（EV）数量的增加，对创建更加节能的充电基础设施系统的需求也在日益增长，如此便可更快地为车辆充电。与先前的电动汽车相比，新型电动汽车具有更高的行驶里程和更大的电池容量，因此需要开发快速直流充电解决方案以满足快速充电要求。150 kW或200 kW的充电站约需要30分钟才能将电动汽车充电至80％，行驶大约250 km。根据联合充电系统和Charge de Move标准， 快速DC充电站 可提供高达400 kW的功率。今天，我们将研究驱动更快、更安全、更高效的充电器的半导体技术
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EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
- 受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型拓扑。GaN具有低寄生电容（Ciss、Coss、Crss）和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥功率因数控制器（PFC）等较高频率的硬开关拓扑。由于它们的高开关损耗，MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）实现此类拓扑。本文中，我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点，包括更低的开关损耗、更佳
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MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
- 英飞凌科技股份公司近日为其1200 V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计,以及沟槽栅芯片技术,为碳化硅打开了250kW以上(硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限)中等功率应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上,将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET芯片,可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗
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MOSFET TIM IGBT
- 舒 晖（奇瑞新能源汽车股份有限公司，安徽 芜湖 241002） 摘 要：针对电动汽车在能量回馈时，动力电池高压继电器异常断开的特殊工况下，提出了一种IGBT保护策略优化方案，快速检测因动力电池瞬断产生的尖峰电压，触发保护机制保护IGBT模块。本文通过台架实验对比了方案优化前后的尖峰电压值，最终通过实车验证了该方案的可行性。结果表明，优化后的保护策略能更快地检测到抬升的母线电压，触发保护机制，停止IGBT工作，降低IGBT模块损坏的风险。 关键词：电动汽车；能量回馈；IGBT 0 引言 传统汽车
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202007 电动汽车 能量回馈 IGBT
- 我国正在大力进行新基建，工业物联网、汽车充电桩、5G手机等对电力与电源提出了更高的能效要求。与此同时，SiC、GaN等第三代半导体材料风生水起，奠定了坚实的发展基础。充电桩、工业物联网、手机需要哪些新电力与电源器件？近日，ST（意法半导体）亚太区功率分立器件和模拟产品部区域营销及应用副总裁Francesco MUGGERI接受了电子产品世界记者的采访，分享了对工业市场的预测，并介绍了ST的新产品。ST亚太区 功率分立器件和模拟产品部 区域营销及应用副总裁 Francesco MUGGERI1 工业电源市场
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电源 SiC IGBT GaN
- 本文将强调出无论就能源效率、散热片尺寸或节省成本方面来看,工业传动不用硅基(Si)绝缘栅双极电晶体(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些优点。摘要由于电动马达佔工业大部分的耗电量,工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此,半导体製造商必须花费大量心神,来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体(ST)最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体(SiC MOSFET)技术,为电力切换领域立下全新的效能标准。1.导言目前工业传动通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近开发的碳化
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MOSEFT FWD ST IGBT
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出型号为“TPD4162F”的高压智能功率器件（IPD）。该器件采用小型表面贴装封装，设计用于空调、空气净化器和泵等产品中的电机驱动。并计划于今日开始出货。TPD4162F采用新工艺制造，与东芝当前的IPD产品TPD4152F相比可降低功率损耗约10%[1]。这有助于为集成该器件的设备降低总体功率损耗。TPD4162F具有各种控制电路[2]、输出级安装了IGBT和FRD。其支持从霍尔传感器或者霍尔IC直接驱动带方波输入信号的无刷直流电机，无需PWM控制
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IPD IGBT IC
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和MOSFET的预驱动光耦，适用于工业逆变器和光伏（PV）的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1]，其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器，来控制中大电流IGBT和MOSFET。目前现有产品[2]需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大，这会在工作中消耗基极电流。新产品能够
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IGBT MOSEFT
- 中高压逆变器应用领域门极驱动器技术的创新者Power Integrations近日推出1SP0351 SCALE-2™单通道+15/-10V即插即用型门极驱动器，新产品专为东芝、Westcode和ABB等厂商的新款4500V压接式IGBT (PPI)模块而开发。新的门极驱动器基于Power Integrations广泛使用的SCALE-2芯片组设计而成，非常适合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性应用。1SP0351驱动器装备了动态高级有源钳位功能(DAAC)、短路保护
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门极驱动器 IGBT
绝缘栅双极管(igbt)介绍
您好，目前还没有人创建词条绝缘栅双极管(igbt)!
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