在摩尔定律引领下的集成电路生产正在逼近物理定律的极限，芯片产业迫切需要替代技术。目前尚处于研发状态中的各种新的芯片生产技术—分子计算、生物计算、量子计算、石墨烯等技术中，谁将最终胜出?
1965年，芯片产业的先驱戈登-摩尔(GordonMoore)发布了著名的摩尔定律：集成电路芯片的复杂程度每过两年就会增加一倍。此后的几十年来，在这一定律的指引下，芯片制造工艺的进步让芯片的晶体管尺寸得以不断缩小，从而使电气信号传输的距离更短，处理速度也更快。
对电子行业和消费者来说，摩尔定律意
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英特尔 摩尔定律 晶体管
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支：超低VCEsat晶体管以及高速开关晶体管。其电压范围为20 V - 60 V，采用小型SMD封装SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
这些晶体管称为突破性小信号(BISS)晶体管，正如其名，它们为减少打开导通电阻确立了新的基准，使开关时间减到绝对最小值。超低VCEsat 分支的晶体管
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NXP 晶体管 VCEsat
Avago Technologies(安华高科技)今日宣布推出两款新经济型容易使用的通用InGaP异质结双极晶体管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方块放大器产品，适合各种不同的无线通信应用。于DC到6,000MHz频带工作，Avago的AVT-51663/53663增益方块可以作为宽带增益方块或驱动放大器使用，这些面向移动通信基础设施应用设计的增益方块也可以使用在如基站、WiMAX、WLAN、CATV、卫星电视和机顶盒等各种其他无线通信应
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Avago 放大器 晶体管 HBT
爱尔兰丁铎尔国家研究院的科学家最近宣称他们成功制出了业内首款非节型晶体管，并称此项发明对10nm级别制程意义重大，可大大简化晶体管的制造工艺复杂 程度。这种晶体管采用类似Finfet的结构，将晶体管的栅极制成婚戒型的结构，并在栅极中心制出硅质沟道，沟道的尺寸仅有数十个原子的直径加起来那么大。
该研发团队是由Jean-Pierre Colinge教授领导的，这种晶体管的亚阀值斜率接近理想状态，而且还具备漏电电流小，门限电压低以及耐温性好的优点，而且还可以兼容于CMOS工艺。
硅沟道中的电
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晶体管 CMOS
CISSOID，在高温半导体解决方案的领导者，介绍了 VENUS，他们的新系列高温 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶体管保证操作在摄氐负55度到225度之间。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名为 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏电流额定分别为2A，4A及8A。它们补充了该公司在2009年11月介绍的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。
VENUS 功率 MOSFETs 表现出色的高温性能。在摄氏 225
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CISSOID MOSFET 晶体管
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶体管，扩充Trench 6 MOSFET产品线。新产品采用Power SO-8LFPAK封装，支持60 V和100 V两种工作电压。Trench 6芯片技术和高性能LFPAK封装工艺的整合赋予新产品出色的性能和可靠性，为客户提供众多实用价值。
LFPAK是一种“真正”意义上的功率封装，通过优化设计实现最佳热/电性能、成本优势和可靠性。LFPAK是汽车行业标准AEC-Q101唯一认可的
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NXP 晶体管 MOSFET
法国研究人员最新开发出一种新型智能晶体管，它能够模仿神经系统的运行模式，对图像进行识别，帮助电脑完成更加复杂的任务。
法国国家科研中心和法国原子能委员会的研究人员在最新一期《先进功能材料》杂志上介绍说，普通晶体管功能单一，无法完成图像识别和处理等复杂任务。
他们此次开发的这种名为Nomfet的新型晶体管中，含有一种纳米微粒，它能像人脑的神经系统一样灵活调整电子信号。
参与研究的多米尼克·维尧姆介绍说，在信息处理的过程中，Nomfet还可以与周边晶体管互通有无，更好地对不
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美国耶鲁大学23日发表新闻公报称，该校及韩国光州科学技术研究院科学家最近合作制成世界上首个分子晶体管，制作分子晶体管的材料是单个苯分子。
研究人员说，苯分子在附着到黄金触点上后，就可以发挥硅晶体管一样的作用。研究人员能够利用通过触点施加在苯分子上的电压，操纵苯分子的不同能态，进而控制流经该分子的电流。
负责这项研究的耶鲁大学工程和应用科学系教授马克·里德说：“这就像推一个球滚过山顶，球就代表电流，而山的高度则代表苯分子的不同能态。我们能够调整山的高度，山低时允许电
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材料 晶体管 硅晶体管
晶体管图示仪是电路设计中常用的电子仪器，它能够显示晶体管的输入特性、输出特性和转移特性等多种曲线和参数。它不仅可以测量晶体二极管和三极管，还可以测量场效应管、隧道二极管、单结晶体管、可控硅和光耦
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CPLD 应用于 晶体管 图示仪
0 引言 TIP41C是一种中压低频大功率线性开关晶体管。该器件设计的重点是它的极限参数。设计反压较高的大功率晶体管时，首先是如何提高晶体管的反压，降低集电区杂质浓度NC。但由于电阻率ρC的增大，集电区体电阻
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Intel近日宣布在化合物半导体晶体管的研究中取得了里程碑式的重大突破，通过集成高K栅极获得了更快的晶体管切换速度，消耗能量却更少。Intel一直在研究将现在普遍适用的晶体管硅通道替换成某种化合物半导体材料，比如砷化镓铟(InGaAs)。目前，此类晶体管使用的是没有栅极介质的肖特基栅极(Schottky gate)，栅极漏电现象非常严重。
Intel现在为这种所谓的量子阱场效应晶体管(QWFET)加入了一个高K栅极介质，并且已经在硅晶圆基片上制造了一个原型设备，证明新技术可以和现有硅制造工艺相结
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Intel 晶体管 芯片
高温半导体方案的领导者 CISSOID 推出了新产品的行星家族高温晶体管和开关。汞是一种高温 80V 的小信号 N 沟道 MOSFET 晶体管，其保証的工作温度範围为摄氏负 55 度至 225 度。凭藉其极端温度的鲁棒性，其输入电容仅为 32pF，在225度其栅极洩漏限于 5.6μA，这 80V 的晶体管非常适合用于高温度传感器接口，如压电式传感器或执行一个保护放大器。
在225度这种逻辑级 MOSFET 可匯到 230mA，也可用于切换中或高电阻，例如：转换 3.3V/5V的逻辑信号
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刚刚结束访华的英特尔总裁兼首席执行官保罗·欧德宁在北京表示，摩尔定律将继续有效，英特尔将遵循摩尔定律，继续推动产业的发展。
针对有人认为“没有必要去不断追求更强大的性能，产品功能够用就好，摩尔定律已经不再重要了”，欧德宁表示：“摩尔定律将继续有效。摩尔定律不仅仅是指推动性能提升，实际上指的是晶体管密度。更高的晶体管密度可以提高性能或集成度。对于智能手机或小型电子产品，我们提供片上系统(SoC)，把多个芯片集成到一个芯片上，这将给消费者带来诸多好处
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英特尔 摩尔定律 晶体管
(首尔法新电)韩国科学家成功开发出一种全新的晶体管，其反应速度和能源效率比现有晶体管更快更好，令不需启动过程的电脑有望实现。韩国科学技术研究院(KIST)说，这种晶体管除了像现有晶体管般运用电流开关，也运用电子的顺时逆时旋转方向，来处理信息。
这种运用电子旋转方向来处理信息的半导体称为“自旋场效应晶体管”(spin-injected field effect transistors)，其概念于1990年代首次出现，被认为是可以取代传统氧化物晶体管的下一代半导体。
其
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