Steven Shackell （安森美半导体 工业业务拓展经理）摘 要：电动工具用电机正从有刷直流(BDC)转向无刷直流(BLDC)电机；工业电机需要更高能效的电机，同时 需要强固和高质量。安森美以领先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列赋能和应对这些转变带来的商机。 关键词：电机；电动工具；MOSFET；工业；IGBT；IPM安森美半导体提供全面的电机产品系列，尤其是功 率半导体方面。安森美半导体因来自所有电机类型的 商机感到兴奋，并非常看好无刷直流电机(BLDC)应用 （例如电动工具），
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202003 电机 电动工具 MOSFET 工业 IGBT IPM
基于国内外大客户对高端功率半导体器件的旺盛需求，特别是超级结产品(SJ)和绝缘栅双极型器件(IGBT)的应用，华虹集团旗下华虹二厂在2020年1月的投入再创新高，光刻层数达到了48万！生产线在年度动力检修后已满负荷运行，在1月也取得了出货6.12万片晶圆的佳绩！
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半导体 IGBT SJ 华虹
王定良（电子科技大学 电子科学与工程学院，四川 成都 610054） 摘 要：作为电机驱动电路的智能功率模块（IPM）正变得越来越重要，但是越来越快的开关速度，可能会引起IPM模块中的IGBT的误触发。另外，过高的dV/dt也会在IGBT关断状态下产生雪崩击穿。本文结合半桥电路的寄生参数模型，完善传统公式的推导。基于对公式与IGBT擎住现象的分析，并结合IGBT的安全工作区提出了一种根据dv/dt的大小来动态扩展IGBT安全工作区的电路结构，改善了传统半桥电路工作时的可靠性。 关键词：IGBT；
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202002 IGBT 误触发 dV/dt 可靠性
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“GT20N135SRA”，这是一款用于桌面电磁炉、电饭煲、微波炉等家用电器电压谐振电路的1350V分立IGBT。该产品于今日起开始出货。 GT20N135SRA产品图GT20N135SRA的集电极-发射极的饱和电压[1]为1.75V，二极管正向电压[2]为1.8V，分别比东芝当前产品[3]低10%和21%。IGBT和二极管都针对高温（TC=100℃）条件下的导通损耗特性进行了改进，而且新款IGBT还有助于降低设备功耗。该产品的结壳热阻为0
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IGBT 分立
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布：在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上，公司与湖南国芯半导体科技有限公司（简称“国芯科技”）签署了战略合作协议，将携手开展宽禁带功率技术的研究开发，充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势，并推动其在众多领域实现广泛应用。近年来，宽禁带半导体功率器件（如碳化硅SiC和氮化镓GaN等）凭借多方面的性能优势，在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而，在各类应用中
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IGBT SiC GaN
插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统，可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能，开发高能效、高性能、具丰富保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。常用的半导体器件有IGBT、超结MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半导体为电动汽车OBC和直流充电桩提供完整的系统方案，包括通过AEC车规认证的超级结MOSFET、IGBT、门极驱动器、碳化硅(SiC)器件、电压检测、控制产品乃至电源模块等，
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超级结MOSFET IGBT 充电桩
Thomas Brand（ADI慕尼黑公司 现场应用工程师） 摘 要：探讨了IGBT隔离式栅极驱动器的重要特性。 关键词：IGBT；隔离式；栅极驱动器 在功率电子（例如驱动技术）中，IGBT经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制，其主要损耗产生于开关期间。为了最大程度减小开关损耗，要求具备较短的开关时间。然而，快速开关同时隐含着高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器，还执行提供短路保护并影响开关速度的功能。然而，在选择栅极驱动器
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201909 IGBT 隔离式 栅极驱动器
在产业电子化升级过程中，作为电子产品的基础元器件之一的功率半导体器件越来越得到重视与应用。而中国作为需求大国，已经占有约39％的市场份额，在中国制造业转型升级的关键时期，对功率半导体器件的需求将会越来越大。自上世纪80年代起，功率半导体器件MOSFET、IGBT和功率集成电路逐步成为了主流应用类型。其中IGBT经历了器件纵向结构、栅极结构以及硅片加工工艺等7次技术演进，目前可承受电压能力达到6500V，并且实现了高功率密度化。在此背景下，6月26-28日，PCIM亚洲展2019将在在上海世博展览馆举行，三
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三菱电机 PCIM亚洲展 IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展最为迅速的新一代电
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IGBT 场效应管
电机用于电梯、食品加工设备、工厂自动化、机器人、起重机……这样的例子不胜枚举。交流感应电机在这种应用中很常见，且总是通过用于电源级的绝缘栅双极晶体管（IGBT）来实现驱动。典型的总线电压为200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用电子换向，以实现交流感应电机所需的正弦电流。在设计电机驱动器时，保护操作重型机械的人员免受电击是首要考虑因素，其次应考虑效率、尺寸和成本因素。虽然IGBT可处理驱动电机所需的高电压和电流，但它们不提供防止电击的安全隔离。在系统中提供安全隔离的重要任务由驱动IGBT的栅极驱动
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电机 IGBT
2019年4月30日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，将于5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC肖特基二极管技术，提供低导通损耗和开关损耗，用于多方面的电源应用，包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用，如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和逆变器。该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒
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安森美半导体 IGBT SiC肖特基二极管技术
Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers 作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德国 慕尼黑） 摘要：通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。 关键词：IGBT; MOSFET; 栅极驱动器；耐受性；隔离 &nb
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201905 IGBT MOSFET 栅极驱动器 耐受性 隔离
意法半导体的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V
STPOWER™IGBT两款产品能够在软开关电路中实现最佳的导通和开关性能，提高谐振转换器在16kHz-60kHz开关频率范围内的能效。 新IH系列器件属于意法半导体针对软开关应用专门优化的沟栅式场截止(TFS)
IGBT产品家族，适用于电磁炉等家电以及软开关应用的半桥电路，现在产品设计人员可以选用这些IGBT，来达到更高的能效等级。除新的IH系列外，意法半导体的软开关用沟栅式场截止(TFS)
IGBT系列产品
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意法半导体 IGBT
TrendForce在最新《中国半导体产业深度分析报告》指出，受益新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加，MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价，带动2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币，其中离散式元件市场规模为1,874亿元人民币，较2017年成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币，较2017年增长8%。
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功率半导体 IGBT
IGBT是电力电子装置的CPU，在电力电子变流和控制中起着举足轻重的作用。变频器中，IGBT模块更为重要。但是，IGBT模块会经常出现爆炸的情况。下面，小编就结合案例具体分析一下。 定义 一、IGBT爆炸：因为某些原因，模块的损耗十分巨大，热量散不出去，导致内部温度极高，产生气体，冲破壳体，这就是所谓的IGBT爆炸。 二. IGBT爆炸原因分析 1.爆炸的本质是发热功率超过散热功率，内部原因应该就是过热。 2.人为因素 (1)进线接在出线的端子上(2)变频器接错电源(3)没按要求接负载3.常
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IGBT，变频器
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