- ―100uA工作电流下可实现416KB/s写入速度和20ns的读取时间―
东京，2007年2月16日——为了满足新一代高密度片上非易失性存储技术的需求，日立有限公司与瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，开发出运行于1.5V电源电压的512KB（相当于4Mb）相变存储模块。该器件能够实现416KB/s的写入速度和20ns的读取时间。利用以前开发的100μA（Micro*2安培）写入操作电流的“低功耗相变存储单元”，两家公司开发了一种可以实现高速读写操作的外设电路技术。
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电源技术 模拟技术 日立 瑞萨 模块
- 瑞萨科技公司宣布与诺基亚签订一项合作协议，为支持S60第三版软件的瑞萨SH-Mobile应用处理器提供充分利用运行于Symbian OS的S60的优势。该行动是一次有意义的升级，可以为高档智能电话提供先进的多媒体功能。 运行S60的瑞萨处理器可以满足移动电话制造商为移动电话应用开发复杂的多媒体软件结构对缩短设计时间和降低成本的需求。该处理器可满足日益增长的音频、视频和图形多媒体加速的需求，以及降低功耗的要求。 由于该处理器可支持S60第三版软件，有助于缩短设计时间并降低成本。利用其高
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S60第三版软件 SH-Mobile处理器 单片机 嵌入式系统 瑞萨 通讯 网络 无线 消费电子 消费电子
- 为了满足新一代高密度片上非易失性存储技术的需求，日立有限公司与瑞萨科技公司宣布开发出运行于1.5V电源电压的512KB（相当于4Mb）相变存储模块。该器件能够实现416KB/s的写入速度和20ns的读取时间。利用以前开发的100μA（Micro*2安培）写入操作电流的“低功耗相变存储单元”，两家公司开发了一种可以实现高速读写操作的外设电路技术。 日立和瑞萨科技在2007年2月11日在美国旧金山举行的国际固态电路会议（ISSCC）上提交了有关报告。 最近几年，微控制器已成为车载系统、家庭电子产品
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1.5V低功耗 单片机 非易失性存储器应用 高速相变存储模块 嵌入式系统 日立 瑞萨 模块
- NTT DoCoMo公司、瑞萨科技公司、富士通有限公司、三菱电机公司、夏普公司和索爱移动通信公司今天宣布，计划共同开发支持HSDPA2/W-CDMA（3G）和GSM/GPRS/EDGE（2G）双模手机的新一代移动电话平台1。该平台的开发预计将在2008财政年度第二季度（7月至9月）期间完成。 六家公司同意联合开发一种可以提供先进功能的3G移动电话平台。新型平台将基于SH-Mobile G3，一种采用支持HSDPA cat.82/W-CDMA和GSM/GPRS/EDGE
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- 东京，2007年2月8日——NTT DoCoMo公司、瑞萨科技公司、富士通有限公司、三菱电机公司、夏普公司和索爱移动通信公司今天宣布，计划共同开发支持HSDPA2/W-CDMA（3G）和GSM/GPRS/EDGE（2G）双模手机的新一代移动电话平台1。该平台的开发预计将在2008财政年度第二季度（7月至9月）期间完成。 六家公司同意联合开发一种可以提供先进功能的3G移动电话平台。新型平台将基于SH-Mobile G3，一种采用支持HSDPA cat.82/W-CDMA和GSM
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NTTDoCoMo 富士通 瑞萨 三菱电机 索爱 夏普
- 瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界最高水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等产品。 作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQG2003是一种用于功率放大器的晶体管，它可以对传输无线LAN终端设备等RF前端功率进行放大。 RQG2003的功能总结如下： 业界最高的性能水
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功耗 晶体管 瑞萨
- ——在中国的销售和应用技术将实现一体化运营 株式会社瑞萨科技 (Renesas Technology Corp.)宣布，为了扩大在中国的事业，瑞萨将重组在中国的销售和应用技术体制，新的事业体制于2007年1月正式实施。 作为此次改革的第一步，瑞萨于2006年12月1日已完成销售公司的重组。紧接着，今年1月1日又完成了应用技术公司的重组。作为在华地区的总经营负责人，业务执行董事山村雅宏先生将在上海帷幄负责重组后4家销售、应用技术公司的一体化事业管理和运营。 瑞萨自2003年设立
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- 2007年1月11日，为了扩大在中国的事业，瑞萨将重组在中国的销售和应用技术体制。
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瑞萨 Renesas
- 瑞萨科技发布符合第二阶段产品标准的第二代 “集成驱动器MOSFET（DrMOS）” 实现CPU稳压器应用的业界最高效能 --与瑞萨科技当前的产品相比，在引脚兼容的同样封装中可降低超过20%的功率损耗— 瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引脚QFN封装。该器件集成了一个驱动器IC和两个高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器（VR）。样品供货将从2006年12月在日本开始。 R2
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DrMOS MOSFET 单片机 电源技术 集成驱动器 模拟技术 嵌入式系统 瑞萨
- 2006年11月6日，瑞萨宣布赞助2006年HCMUNS-瑞萨单片机汽车竞赛(HCMUNS-Renesas Micom Car Rally)，该赛事是为支持教育事业在胡志明自然科学大学(HCMUNS)举办的。
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瑞萨 汽车电子 Renesas
- --全球第一款熔融状态切断的熔丝可防止低介电系数材料开裂--
瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布开发出一种用于65nm（纳米）工艺的铜电子熔丝技术，其低介电常数不会导致低介电系数材料的开裂，因此具有很高的可靠性。 这种新技术在全球首次实现了利用熔融状态下切断铜熔丝的方法来防止低介电系数材料的开裂。该技术已经应用于65nm制造工艺的试验阶段，且已被证实可提供以下卓越的性能：1.一根熔丝切断所需的时间少于10μs。2.在熔丝完好无损的条件下，熔丝切断后
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电源技术 工业控制 模拟技术 熔丝技术 瑞萨 铜电子 工业控制
- -- 丰富的电视系统开发解决方案有助于支持液晶电视、数字电视、HDMI等应用，使降低系统价格成为可能 --瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，推出阵容广泛的九种电视系统大规模集成电路（LSI）型号，这些产品将有助于高效而低成本地实现全球市场各种电视系统开发解决方案。 该产品系列和样品供货的开始日期如下。 1.液晶电视LSI（3个型号）：2006年（两个型号）9月6日，2006年10月（一个型号）； 2.液晶电视数字广播解码器LS
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HDMI 大规模集成电路 电视系统 瑞萨 数字电视 消费电子 消费电子
- --熊本制造工厂将建立一座新的建筑物将巩固福冈工厂的运营-- 瑞萨科技公司宣布，计划在位于日本九州的瑞萨九州半导体公司的熊本工厂建设一座新的建筑物，作为全资拥有的后道工序工艺制造子公司。增加新的建筑物的计划旨在提高生产能力并改进效率，从而有助于瑞萨利用新的厂房巩固瑞萨九州半导体福冈工厂的运营。目前熊本工厂主要从事微控制器、混合信号器件和分立器件的组装和测试业务。 今天，半导体市场需要出众的性能和质量，同时面对着降低成本的巨大压力。为了满足这种需求，实现前道工序的改进，例如采用更精细的制造工艺节点，以及后道
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单片机 工业控制 嵌入式系统 瑞萨 生产能力 通讯 网络 无线 工业控制
- --熊本制造工厂将建立一座新的建筑物将巩固福冈工厂的运营-- 瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，计划在位于日本九州的瑞萨九州半导体公司的熊本工厂建设一座新的建筑物，作为全资拥有的后道工序工艺制造子公司。增加新的建筑物的计划旨在提高生产能力并改进效率，从而有助于瑞萨利用新的厂房巩固瑞萨九州半导体福冈工厂的运营。目前熊本工厂主要从事微控制器、混合信号器件和分立器件的组装和测试业务。 今天，半导体市场需要出众的性能和质量，同时面对着降低成本的巨大压力。为了
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Renesas 单片机 后道工序 嵌入式 嵌入式系统 瑞萨 微控制器 组装和测试
- 2006年6月19日，瑞萨推出RKT101xxxMU m-Chip引入线。这是一种安装在RFID(射频识别)IC上的m-Chip，其全球最薄的85微米厚度有助于改善RFID标签的平坦度。
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瑞萨 RFID Renesas
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