- 摘要随着传统DRAM器件的持续缩小，较小尺寸下寄生电容的增加可能会对器件性能产生负面影响，未来可能需要新的DRAM结构来降低总电容，并使器件发挥出合格的性能。本研究比较了6F2蜂窝动态随机存取存储器 (DRAM) 器件与4F2垂直通道访问晶体管 (VCAT) DRAM结构的寄生电容。结果表明，与6F2结构相比，4F2结构显著降低了节点接触 (NC) 与位线 (BL) 之间的寄生电容。尽管4F2器件其他组件之间的寄生电容相比6F2器件略有增加，但它们仍处于支持器件达成目标性能的合格水平。相比6F2器件，4F
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泛林集团 DRAM
- IT之家 8 月 1 日消息，泛林集团 Lam Research 当地时间昨日宣布推出面向 3D NAND 闪存制造的第三代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0。泛林集团全球产品部高级副总裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 为（我们的）客户实现 1000 层 3D NAND 铺平了道路。泛林低温蚀刻已被用于 500 万片晶圆的生产，而我们的最新技术是 3D NAND 生产领域的一项突破。它能以埃米级精度创建高深宽比（IT之家注：High Aspect R
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NAND 闪存 泛林集团
- 近日，泛林集团 (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX产品，这是业界首个晶圆边缘沉积解决方案，旨在更好地应对下一代逻辑、3D NAND和先进封装应用中的关键制造挑战。随着半导体芯片关键尺寸的不断缩小，其制造变得越来越复杂，在硅晶圆上构建纳米级器件需要数百个工艺步骤。仅需一个工艺步骤，Coronus DX 可在晶圆边缘的两侧沉积一层专有的保护膜，有助于防止在先进半导体制造过程中经常发生的缺陷和损坏。这一强大的保护技术提高了良率，并使芯片制造商能够实施新的前沿工艺来生产下一代芯片。Coron
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泛林集团 晶圆边缘沉积 芯片良率
- 泛林集团 (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 和三菱化学集团旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一项战略合作，将为全球半导体制造商提供可靠的前体化学品，用于下一代半导体生产所需的、泛林突破性的极紫外 (EUV)干膜光刻胶创新技术。三方将合作对未来几代逻辑和 DRAM 器件生产所使用的 EUV 干膜光刻胶技术进行研发，这将有助于从机器学习和人工智能到移动设备所有这些技术的实现。
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泛林集团 EUV 干膜光刻胶
- 日前，半导体行业中率先主动设定净零排放目标的公司之一泛林集团 (NASDAQ: LRCX) 自豪地发布了其《2021 年环境、社会和公司治理 (ESG) 报告》。这是泛林集团第八年发布该报告，其中着重介绍了公司开展的环保活动以及如何促进半导体生态系统的可持续性。在报告中，泛林集团体现了 “为创造更美好的世界而努力” 的承诺，并介绍了其社会影响框架，该框架旨在促进社区的积极变化，激励和教育未来的创新者，以及建立一个更具包容性的社会。泛林集团总裁兼首席执行官 Tim Archer 表示：“当我们通过技术改变世
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泛林集团 净零排放
- 上海—— 近日，全球领先的半导体制造设备及服务供应商泛林集团宣布推出全新解决方案，帮助客户提高芯片存储密度，以满足人工智能和机器学习等应用的需求。通过推出用于背面薄膜沉积的设备VECTOR® DT和用于去除背面和边缘薄膜的湿法刻蚀设备EOS® GS，泛林集团进一步拓展了其应力管理产品组合。泛林集团推出晶圆应力管理解决方案以支持3D NAND技术的持续发展高深宽比沉积和刻蚀工艺是实现3D NAND技术持续发展的关键因素。随着工艺层数的增加，其累积的物理应力越来越大，如何控制由此引起的晶圆翘曲已成为制造过程中
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泛林集团 晶圆应力管理解决方案 3D NAND技术
- 上海 —— 近日，全球领先的半导体制造设备及服务供应商泛林集团宣布其自维护设备创下半导体行业工艺流程生产率的新标杆。通过与领先半导体制造商合作，泛林集团成功实现了刻蚀工艺平台全年无间断运行。在当今半导体工艺环境中，平均清洗间隔时间是限制刻蚀系统生产率提高的主要因素。为了保持稳定的性能，通常需要每月、甚至每周清洗刻蚀工艺腔室，并更换被等离子体工艺腐蚀的部件。2019 年 4 月，泛林集团与客户携手达成了一项宏伟目标，实现设备在无需维护清洗的情况下连续运行 365 天，创下里程碑式纪录。泛林集团自维护设备创生
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泛林集团 无需维护清洗 里程碑式纪录
- 我国的集成电路制造业正迎来大发展时代。世界芯片制造的现状与未来方向如何?我国晶圆制造的特点是什么?近几年人们常谈论摩尔定律，担忧是否会走到头?电子产品世界专访泛林集团副总裁兼中国区总经理刘二壮博士，为大家分析了芯片制造中包括职称和封装、多重曝光与EUV光刻等产业与技术，并探讨了国内市场发展状况的看法。
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泛林集团 刘二壮 集成电路 201709
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