核心要点应用材料公司系统‑材料（STM）事业部副总裁 Subi Kengeri 分享《AI 系统解决方案中的系统‑技术协同优化》。在 2026 年 8 月 11‑12 日举办的 OCP 亚太峰会上，应用材料的 Subi Kengeri 提出：人工智能是半导体行业最大的转折点。AI 市场需求正在推动行业向着万亿级美元年收入规模迈进，但这场主题演讲传递的核心观点比市场增长更值得关注：仅依靠传统工艺节点微缩，已经无法支撑算力所需的性能提升。下一发展阶段，行业将受限于能耗、互连、封装复杂度，以及整个产业生态将材料
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超越摩尔
系统
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压电陶瓷是一类可实现机械能与电能相互转换的功能陶瓷，依托正、逆压电效应，可在单一器件上同时实现感知与执行双重功能，正成为智能座舱、声学设备等领域的关键交互材料。其核心特性在于双向能量转换：受压时产生电荷实现传感，通电时发生微秒级形变提供触觉反馈，相比传统动圈 / 电机方案，具备响应快、损耗低、功耗小等优势。在车载场景中，该材料可实现无缝一体化触控面板，支持车窗、方向盘、顶灯等区域的轻触控制，并在高低温、高湿环境下保持稳定，有效降低驾驶时的视觉分心。在声学领域，压电陶瓷单元多用于耳机高频补偿，与动圈单元搭配
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压电陶瓷
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制约电动汽车（EV）普及的一大长期障碍就是充电速度。目前的快充技术，充电耗时仍远高于传统燃油车加油，这让不少潜在消费者犹豫不决。在充电性能方面，现有方案与理想状态相去甚远。电动汽车的充电速度因充电器类型而异：特斯拉车型使用最新 V3 或 V4 超充桩，充电 15 分钟大约可补充 200 英里续航；直流快充桩 30 分钟可补充 100~300 + 英里续航；二级家用充电桩每小时增加 10~20 英里续航；而普通家用墙插（一级充电）每小时仅能增加约 5 英里续航。OMI 基于 LnFP 技术的重大突破在这一领
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快充
20C
据新华社报道，由中国科技大学（USTC）张树辰教授领导的研究团队，与美国普渡大学和上海科技大学的研究人员合作，在新型半导体材料领域取得了显著进展。团队首次实现了在二维离子软晶格材料中可控制造面内、可编程、原子平坦“马赛克”异质结，开辟了下一代高性能发光和集成器件开发的新路径。研究结果于1月15日发表在《自然》杂志上。离子软晶格半导体，以二维卤化物钙钛矿表示，具有柔性但结构不稳定的晶格。传统制造技术如光刻通常涉及激进的加工步骤，可能损坏材料，难以实现高质量的横向异质整合。因此，如何在此类材料中实现精确、可控
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材料
半导体
原材料价格上涨，半导体基板行业感受到压力，关键投入成本持续上升。据ZDNet报道，韩国基材制造商正面临原材料价格急剧上涨带来的日益增长压力。报告援引业内消息指出，2025年主要半导体基材价格——包括黄金和铜包层压板（CCL）——大幅上涨。黄金和CCL合计占印刷电路板（PCB）原材料成本的近一半。报告补充说，PCB是DRAM、SSD模块和系统半导体中不可或缺的组成部分。PGC和CCL成本上涨满足高端PCB材料需求的激增报告指出，金氰化钾（PGC）是基底中最关键的金基材料。据报道，韩国PCB制造商TLB和Si
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随着中国加倍强调技术独立，华为及其合作伙伴生态系统在这一努力中发挥了关键作用。据日经报道，2019年美国制裁华为后，成立了包括全资子公司哈勃在内的投资部门，支持60多家半导体公司。这些与华为有关联的芯片公司正加快收购和扩产，努力构建自给自足的国内供应链。报告指出，虽然华为未直接参与其支持企业的投资，但这些举措正在加强其供应链，符合中国国家战略。以下是华为相关公司的一些重要举措。华为支持的HHCK着手整合中国包装材料市场据日经报道，华为持有2%股份的江苏HHCK先进材料，一家芯片封装材料制造商，已完成以16
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从热退火到原子级剥离，研究人员正在重新思考制造瓶颈，以解锁半导体新的性能上限。密歇根大学、麻省理工学院、威斯康星大学麦迪逊分校和多伦多大学的研究团队最近展示了如何通过新颖的工艺调整，而不仅仅是新材料，来显著提高设备性能和可扩展性。这些制造技术可以推动从压电传感、红外成像到太阳能能的应用。 热处理技术大幅提升压电薄膜性能密歇根大学的工程师们通过简单的生长后热退火步骤，将钪铝氮化物（ScAlN）的压电响应提高了八倍——这种材料已被视为传统陶瓷如 PZT 的继任者。转折点？将材料加热至 700°C 持
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半导体
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铜和光互连作为下一代数据中心的选择都面临局限性。了解第三种选择如何承诺在未来多年里支持数据中心中 AI 集群的扩展。在未来几年里，数据中心中 AI 加速器集群的扩展将面临复合挑战。系统架构师将需要同时应对三个挑战：提供更好的性能以满足飙升的带宽需求。在计算能力和复杂性的扩展中控制成本。继续提高能源效率。这三个挑战让网络运营商夜不能寐。虽然新技术的出现为创新创造了机会，但也让数据中心不堪重负。新的 AI 和机器学习工作负载，如生成式 AI 和大型语言模型（LLMs），正在将数据带宽推向传统互连之外，速度迅速
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【EEPW 电子产品世界 讯】在摩尔定律逼近物理极限、全球科技竞争加剧的背景下，芯片制造正不断向更高精度与更高效率迈进。近日，中国与美国团队分别在光刻技术与计算架构领域取得重要进展，为半导体行业注入新的活力。中国科学院实现193nm固态深紫外激光器来自中国科学院的一项最新研究成功开发出可发射193纳米波长光的固态深紫外（DUV）激光器，这一波段是先进芯片光刻的关键技术。目前，商用光刻系统普遍采用氟化氩（ArF）准分子激光器作为光源，存在体积大、系统复杂和运维成本高等问题。与之相比，固态激光器结构紧凑、稳定
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台积电（TSMC）近日正式宣布，将在2026年推出全新的共同封装光学（CPO）技术，融合其业界领先的Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWoS）封装技术与硅光子（Silicon Photonics）技术。此举旨在满足人工智能（AI）与高性能计算（HPC）领域对高速数据传输和低能耗的迫切需求，同时引领下一代数据中心的技术潮流。COUPE：台积电CPO战略的核心技术在此次技术布局中，台积电紧凑型通用光子引擎（Compact Universal Photonic Engine，COUPE）
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什么是电位器？电位器（Potentiometer），简称“Pots”，是工程师中常用的称谓，实际上是一种带有机械调节机构的电阻器，可以手动调节其阻值。电阻器本身提供固定的阻值，用于阻止或“限制”电路中的电流流动。而电位器的本质是一种可变电阻。电位器的工作原理是通过分压器调节输出电压，并能够精确测量（即“计量”）电势，这也是“电位器”名称的由来。它们产生的输出信号与电刷在电阻元件上的物理位置成比例，具有连续可变性。作为被动元件，电位器无需额外电源或电路即可运行。电位器的简史在19世纪初电力研究和开发快速发展
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明尼苏达大学的研究人员开发出一种透明的导电材料，大大提升了电子在高功率电子设备中的移动速度和效率，为人工智能、计算机技术和量子技术等领域带来了潜在变革。该材料能够在可见光和紫外光下保持透明，同时实现前所未有的高性能，这是半导体设计中的一项重要突破，有望推动全球半导体产业的发展。半导体是智能手机和医疗设备等电子产品的核心。为满足新技术需求，科学家不断研发超宽带隙材料，这些材料能在极端条件下高效传导电力，适用于更耐用的电子设备。本研究通过增大材料的“带隙”来提升透明度和导电性，为高性能计算、智能手机，甚至量子
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芝加哥大学的科学家们开发出一种新型凝胶材料，既具备传输信息的半导体功能，又能在活体组织和机器之间构建稳固连接。这一创新为生物电子学领域开辟了广阔前景，或将推动起搏器和其他植入式设备的发展。芝加哥大学普利兹克分子工程学院的研究表明，这种新材料或可用于改进脑机接口、生物传感器和心脏起搏器等设备。理想的生物电子接口材料应当柔软、可拉伸，并与人体组织一样具有亲水性，因此水凝胶被认为是最佳候选材料。然而，用于制造生物电子设备的核心材料——半导体——传统上却表现出刚硬、易碎且疏水的特性。在《科学》期刊上发表的芝加哥大
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冲绳科学技术研究所（OIST）的Tsumoru Shintake教授提出了一种超越半导体制造标准的极紫外（EUV）光刻技术。基于此设计的EUV光刻可以使用更小的EUV光源，降低成本并显著提高机器的可靠性和寿命。它的功耗也不到传统EUV光刻机的十分之一，有助于半导体行业变得更加环保可持续。通过解决两个以前被认为在该领域不可克服的问题，这项技术得以实现。第一个问题涉及一种仅包含两个镜子的全新光学投影系统。第二个问题涉及一种新的方法，可以有效地将EUV光引导到平面镜（光掩模）上的逻辑图案，而不会阻挡光学路径。E
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中国科学家们研发出一种超薄半导体材料，这一进展可能会带来更快、更节能的微芯片。由北京大学的刘开辉、人民大学的刘灿和中国科学院物理研究所的张光宇领导的团队，开发了一种制造方法，可以生产厚度仅为0.7纳米的半导体材料。研究人员的发现于7月5日发表在同行评议期刊《科学》上，解决了减少传统硅基芯片尺寸的关键障碍——随着设备的缩小，硅芯片遇到了影响其性能的物理极限。这些科学家探讨了二维（2D）过渡金属二硫化物（TMDs）作为硅的替代品，其厚度仅为0.7纳米，而传统硅芯片的厚度通常为5-10纳米。TMDs还消耗更少的
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2024年6月25日，美国国家核能办公室发表声明，橡树岭国家实验室（ORNL）的一项新研究证明氮化镓半导体可以在核反应堆核心附近的恶劣环境中成功存活。研究发现这一发现可能使得在运行中的反应堆中将电子元件放置得更靠近传感器成为可能，从而实现更精确的测量和更紧凑的设计。这些研究结果可能有一天会导致在核反应堆中使用无线传感器，包括目前正在开发的先进小型模块化和微型反应堆设计。更靠近核心传感器用于从核反应堆中收集信息，可以在设备故障发生前识别潜在问题。这有助于防止计划外停机，每天可能导致公司损失数百万美元的发电收
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在凝聚态物理实验室（PMC*），一个团队成功确定了与半导体中原子排列缺陷存在相关的自旋依赖电子结构。这是首次测量到这种结构。研究结果发表在《物理评论快报》上。研究像所有晶体材料一样，半导体由在空间中完美规则排列的原子组成。但实际上材料从未完美，即使使用最先进的工艺进行大规模生产，半导体仍然存在缺陷。这些缺陷会改变材料的局部电子结构，可能产生负面影响，也可能对应用有益。这就是为什么理解它们背后的基本物理原理如此重要。这正是PMC团队所完成的工作，得益于阿加莎·乌利巴里在其论文期间的研究，并发表在《物理评论快
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对于社会要过渡到电气化世界，许多技术（如电动汽车电机和电网电池）需要普及。这些技术许多都需要稀土金属，而这些金属在成本上不仅昂贵，还对环境和社会有害。上周，一家总部位于英国的公司宣布，他们利用人工智能在仅仅三个月内成功开发出一种完全不使用稀土金属的磁体。根据该公司表示，这比正常速度快了大约200倍。人工智能已经被用于发现绿色能源过渡中的其他关键领域的材料，显示出人工智能可以成为对抗气候变化的强大盟友。众所周知，世界需要迅速摆脱化石燃料。人类绿色能源快速转型的一个大问题是，将来为电动机和电池提供动力需要稀土
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AI
摘要研究人员开发了一项技术，解决了下一代半导体技术、自旋电子学和轨道电子学的缺点。韩国科学技术院（KAIST）物理系教授金世权和浦项科技大学（POSTECH）物理系教授李贤宇领导的联合研究团队，成功观察到了可以在不产生电子热的情况下传输信息的“磁振子”新运动。这一突破于6月17日公布。研究背景传统的信息处理技术由于使用电子，在通过导体时因电阻产生热量而损失大量能量。自旋电子学利用电子的电荷和磁自旋，而轨道电子学则利用电子轨道的位置，但两者都面临过热问题。最近，人们希望通过使用称为“磁振子”的量子波来解决这
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麻省理工学院氮化镓被誉为下一代半导体，未来有可能取代硅，但对这种材料的研究仍处于初级阶段。因此，麻省理工学院（MIT）及其他美国研究机构的研究人员决定将其推向新的高度，并在900华氏度以上的温度下测试它。人类对太阳系行星的探索一直集中在远离太阳的行星。例如，金星的温度极其高，可以瞬间融化铅，我们的航天器在那儿也无法存活片刻。即使研究人员发送一个具有耐热外壳的航天器，基于硅的车载电子设备也会在极端温度下失效，使整个任务毫无意义。作为一种材料，氮化镓已知能承受超过900华氏度（500摄氏度）的温度，但科学家们
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使用DNA折纸，LMU研究人员构建了一个周期为数百纳米的金刚石晶格
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中国科学家一直在研发一款整个硅晶圆大小的计算机处理器，以规避美国的制裁
该团队研发的Big Chip利用硅晶圆尺寸的集成来规避光刻机的区域限制一块由整个硅晶圆构建的大型集成电路可能是中国计算机科学家一直在寻找的解决方案，因为他们设法绕过美国的制裁，同时提高处理器的性能。
由于受到美国实施的限制，中国科学家在开发超级计算机和人工智能等方面不得不寻找新的解决方案，因为他们无法获得新型先进芯片。
最新的创新是一款处理器，早期版本名为“浙江”，由中国科学院计算技术研究所的一支团队开发，由副教授许浩博和教授孙
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12日，松下集团旗下从事电子零部件业务的松下工业公司负责人在记者会上鞠躬道歉，承认在向第三方机构申请产品品质认证的过程中，存在篡改测试数据等违规行为。松下工业称，当时为了获得相关认证，对用于汽车、家电等产品的电子零部件材料，在阻燃性也就是材料的抗燃烧特性等方面进行了数据造假。此外，该公司还长期生产并销售着与获得认证时材料成分不同的产品，这一做法同样违规。据报道，部分违规行为最早开始于上世纪80年代，共涉及该公司位于日本国内外的7家工厂，违规产品种类多达52种，客户公司在全球累计达到约400家，不过是否涉及
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松下
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违规
研究人员在美国佐治亚理工学院成功创建了世界上第一块由石墨烯制成的功能性半导体，石墨烯是由最强结合力的碳原子单层组成的材料。半导体是在特定条件下导电的材料，是电子设备的基础组件。该团队的突破为一种新型电子技术打开了大门。这一发现正值硅，即几乎所有现代电子设备都由其制成的材料，面临着日益迅速的计算和更小的电子设备的挑战。佐治亚理工学院物理学教授Walter de Heer领导了一支研究团队，该团队总部位于美国佐治亚州亚特兰大市和中国天津，成功制造出一种与传统微电子加工方法兼容的石墨烯半导体，这对于硅的任何可行
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随着2023年接近尾声，台湾半导体制造公司（TSMC）正准备看到其领先半导体制造工艺的成本增加。 TSMC目前量产的最先进工艺是3纳米半导体设计技术，一份在台湾媒体引述的最新报告猜测，未来3纳米和2纳米节点将会看到显著的成本增加。这则新闻正值2023年度假季市场关闭之际，分析师报告称，这些潜在的成本增加可能会影响苹果公司的高端和低端技术设备的利润。据分析师称，TSMC的2纳米晶圆可能每片高达3万美元
今天的报告非常有趣，因为它重复了2022年台湾芯片制造商出售的3纳米芯片的晶圆成本估算。3纳米制造工艺是
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材料，2纳米
尽管2023年经济下滑，但材料需求和市场增长仍在上升。加利福尼亚州圣地亚哥：TECHCET——一家提供半导体供应链业务和技术信息的电子材料咨询公司——宣布，预计2024年半导体材料市场将反弹，增长近7%，达到740亿美元。由于整体半导体行业放缓和晶圆开工量下降，2023年市场收缩了3.3%，之后出现了反弹。展望未来，预计2023年至2027年半导体材料市场将以超过5%的复合年增长率增长。到2027年，TECHCET预计市场将达到870亿美元或以上，新的全球晶圆厂产量增加将带来潜在的更大市场规模。尽管202
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市场分析
无机晶体对许多当代技术至关重要，包括计算机芯片、电池和太阳能电池板。每个新的、稳定的晶体都是通过数月的细致实验得出的，而稳定的晶体对于启用新技术至关重要，因为它们不会溶解。研究人员进行了昂贵的反复试验，但结果有限。他们通过修改现有晶体或尝试其他元素组合来寻找新的晶体结构。在过去的十年里，由Materials Project等主导的计算方法发现了28,000种新材料。直到现在，新兴的人工智能引导技术可靠地预测实验可行的材料的能力一直是一个主要限制。来自劳伦斯伯克利国家实验室和Google DeepMind的
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人工智能，材料，自动，电池
为了在 2050 年实现世界碳中和的目标，电子材料必须发生根本性的变化，以创建更可靠、更有弹性的电网。 钻石可能是女孩最好的朋友，但它也可能是维持社会电气化所需的解决方案，以在未来 30 年实现碳中和。伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的研究人员开发了一种由金刚石制成的半导体器件，与之前报道的金刚石器件相比，该器件具有最高的击穿电压和最低的漏电流。 随着世界向可再生能源过渡，这种设备将实现所需的更高效的技术。据估计，目前全球50%的电力由功率器件控制，预计不到十年，这一数字将增至80%，同时，电力需求将增加50
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由 EPFL 研究人员开发的首款使用 2D 半导体材料的大型内存处理器可以大幅减少 ICT 行业的能源足迹。当信息和通信技术 (ICT) 处理数据时，它们会将电能转化为热量。 如今，全球 ICT 生态系统的二氧化碳足迹已与航空业相媲美。 然而事实证明，计算机处理器消耗的大部分能量并没有用于执行计算。 相反，用于处理数据的大部分能量都花在了内存和处理器之间的字节传输上。在 11 月 13 日《自然电子》杂志上发表的一篇论文中，洛桑联邦理工学院纳米电子与结构实验室 (LANES) 工程学院的研究人员提出了一种
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伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的化学家领导的一项新研究为半导体材料的开发带来了新的见解，这种材料可以做到传统硅材料无法做到的事情——利用手性的力量，这是一种不可叠加的镜像。手性是大自然用来构建复杂结构的策略之一，DNA 双螺旋也许是最受认可的例子——两条分子链通过分子“主链”连接并向右扭曲。在自然界中，手性分子（如蛋白质）通过选择性地传输相同自旋方向的电子来非常有效地输送电力。几十年来，研究人员一直致力于在合成分子中模仿自然的手性。 由化学和生物分子化学教授 Ying Diao 领导的一项新研究，研究了对称
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