- 中心议题： 开关电源中开关晶体管的损耗 开关电源中开关晶体管的电子辐照实验 电子辐照双极晶体管和钳位型双极晶体管的比较
功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一， 采用10M eV电子辐照
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晶体管 损耗 影响 双极 功率 辐照 开关电源 电子
- 该MAT12是双匹配的NPN晶体管配对，专门设计以满足超低噪音的要求，音响系统。凭借其极低的输入基地扩展电阻（成果 ...
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双匹配 音频NPN 晶体管 MAT12
- 中心议题： 功率晶体管二次击穿的原因 避免功率晶体管二次击穿的措施 开关电源中可选用的缓冲电路解决方案： 耗能式关断缓冲电路 耗能式开通缓冲电路 无源回馈关断缓冲电路 无源回馈开通缓冲电
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防护 击穿 晶体管 功率 开关电源
- (一)晶体管材料与极性的判别 1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母AD表示晶体管的材料和极性。其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料
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晶体管 检测 经验
- 1功率放大器用场效应管或双极型晶体管（以下简称晶体管）作前级和后级对信号进行放大处理。而采用场效应管做的 ...
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音响 场效应管 双极型 晶体管
- 简单场效应管功放电路图甲类DC功放用AP500A作推动级，末级精选一对日立名管K1058/J162担任。图中K1、K2为钮 ...
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场效应管 功放 甲类DC
- 晶体管声，数码声和电磁干扰声介绍晶体管声：听过晶体管放大器（分立元件）的和听过集成电路放大器的人一定都会说 ...
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晶体管 数码声 电磁干扰声
- 2011年9月13日 日本东京讯—高级半导体厂商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）宣布推出新款SiGe:C异质接面晶体管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统、卫星无线电及类似应用。本装置的制程采用全新开发的硅锗：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并达到领先业界的低噪声效能。
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瑞萨 晶体管 SiGe:C HBT
- 场效应管英文缩写为FET。可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET),我们平常简称为MOS管。而MOS...
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数字万用表 场效应管
- 1.什么叫场效应管？Fffect Transistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载 ...
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场效应管 工作原理
- 新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、更具竞争优势的产品。 便携式产品(如手机、数码照相机、
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比较 MOSFET 晶体管 双极结 VCEsat
- 在某些直流/直流转换器中，芯片上的逐周期限流措施在短路期间可能不足以防止故障发生。一个非同步升压转换器...
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晶体管 短路保护
- 一：场效应管的主要参数(1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极 ...
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场效应管 参数
- 双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能 ...
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晶体管 三极管
- 据美国物理学家组织网8月29日报道，一个国际科研团队首次研制出了一种含巨大分子的有机半导体材料，其结构稳定，拥有卓越的电学特性，而且成本低廉，可被用于制造现代电子设备中广泛使用的场效应晶体管。科学家们表示，最新突破将会让以塑料为基础的柔性电子设备“遍地开花”。相关研究发表在材料科学领域最著名的杂志《先进材料》上。
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有机半导体 晶体管
晶体管－场效应管介绍
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