务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)，与世界排名前列的嵌入式语音识别技术供应商、意法半导体授权合作伙伴 Sensory Inc公司宣布了一项合作协议，赋能STM32 微控制器 (MCU)用户社区为各种智能嵌入式产品开发直观的语音识别用户界面及产品原型。该合作项目整合了意法半导体STM32软硬件和Sensory的语音控制技术。其中新的VoiceHub 在线门户支持使用自定义唤醒词、语音控制命令集和大型自然语言语法
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意法半导体 嵌入式声控
· VL53L8 直接飞行时间 (dToF) 传感器非常适用于智能手机以及智能扬声器、人机界面、消费类激光雷达和 AR/VR/MR· 传感器集成新的革命性超表面透镜 (metasurface lens) 技术和性能更强、能效更高的激光源和片上处理改进技术 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(简称ST)推出了新一代FlightSense™飞行时
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意法半导体 ToF
率先实现元镜（meta-optics）商用的公司Metalenz与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体( (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)宣布，2021 年 6 月披露的双方将合作开发的元镜现已上市。作为该备受瞩目的技术首秀，意法半导体刚刚发布的 VL53L8 直接飞行时间 (dToF) 传感器已搭载这一突破技术隆重登场。Metalenz的元镜技术是哈佛大学的科研成果，可以替代现有的结构复杂的多镜片镜头。在嵌入一颗元镜后，3D 传感器模块大
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意法半导体 光学超表面技术
意法半导体的 ST25R3916B-AQWT 和ST25R3917B-AQWT NFC Forum读取器芯片输出功率大，能效高，价格具有竞争力，支持 NFC 发起设备、目标设备、读取和卡模拟四种模式，目标应用包括非接支付、设备配对、无线充电、品牌保护以及其他工业和消费类应用。新器件引入了灵活性更高的主动波形整形 (AWS)改进技术，可以简化射频输出调整过程，方便优化过冲和下冲问题。射频调整操作非常容易，先在支持的图形界面软件上修改寄存器设置，然后再用示波器进行快速验证。这项技术简化了EMVCo 3.1a和
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意法半导体 NFC
瑞士意法半导体（STMicroelectronics）推出了MasterGaN，是第一个嵌入硅基半桥驱动芯片以及一对氮化镓（GaN）晶体管的平台。这个集成化的解决方案将加速下一代紧凑高效的充电器和电源适配器的开发，并用于高功率电子和工业应用。 意法半导体（ST）表示，其MasterGaN方法可缩短了产品上市时间，并确保了预期的性能，同时使封装变得更小、更简单、电路组件更少、系统可靠性更高。据估计，借助GaN技术和ST的集成产品，充电器和适配器将比普通硅基解决方案的尺寸缩小80％，将重量减少70％。
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意法半导体 硅基驱动器
长期以来，英飞凌、意法半导体等功率半导体Top级厂商更多的产品是硅基器件，如硅基IGBT、硅基MOSFET等，随着5G、新能源汽车等一系列技术迭代和市场需求推动之下，第三代半导体凭借各自高频、高压等优...延续了一年的第三代半导体发展热潮并未止息，多家功率半导体国际巨头竞相在公布2022年财报前后宣布了新建工厂计划。如Infineon（英飞凌）、STMicroelectronics（意法半导体）都表示将在全球不同国家建设碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）相关工厂。虽然在目前阶段来看，碳化硅的应用和技术发展
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意法半导体 硅基IGBT 硅基MOSFET
意法半导体（STMicroelectronics）和电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供货商MACOM技术解决方案控股有限公司（那斯达克股票代码：MTSI」）宣布，已成功制造出射频硅基氮化镓（RF GaN-on-Si）原型芯片。有鉴于此佳绩，意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。射频硅基氮化镓为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力。早期世代的射频功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用横向扩散金属氧化物半导体（Laterally-Diffused Metal
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意法半导体 MACOM 射频 硅基氮化镓
5月13日，意法半导体和MACOM宣布宣布成功生产射频硅基氮化镓（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si为5G和6G基础设施提供了巨大潜力。长期存在的射频功率技术横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)主导了早期射频功率放大器(PA)。对于这些射频功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射频特性和显着更高的输出功率。此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率应用对SiC晶圆的竞争以及其非主流半导体加工，RF GaN-on-SiC可能会更昂贵。目前，意法半导体和
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意法半导体 硅基氮化镓
合作研制先进的硅基氮化镓功率二极管和晶体管架构,并将其量产利用IRT纳电子技术研究所的研究结果，工艺技术将会从Leti的200mm研发线转到意法半导体的200mm晶圆试产线，2020年前投入运营中国 / 24 Sep 2018横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）和CEA Tech下属的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化镓（GaN）功率开关器件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体能
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意法半导体 硅基氮化镓
日前，意法半导体和CEATech旗下之研究所Leti宣布合作研发硅基氮化镓(GaN)功率切换元件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体满足高效能、高功率的应用需求，包括混动和电动汽车车载充电器、无线充电和伺服器。 本合作计划之重点是在200mm晶圆上开发和验证制造先进硅基氮化镓架构的功率二极体和电晶体。研究公司HIS预测，该市场将在2024年前将保持超过20%的年复合成长率。意法半导体和Leti利用IRT奈米电子研究所的框架计划，在Leti的200mm研发线上开发制程技术，预计在2019年完成可供
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意法半导体 硅基氮化镓技术
产品达到成本和性能双重目标，现进入认证测试阶段实现弹性量产和供货取得巨大进展服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)和世界排名前列的电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供应商MACOM技术解决方案控股有限公司(纳斯达克股票代码:MTSI，以下简称“MACOM”) 宣布，射频硅基氮化镓(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于这一成果，意法半导体和MACOM将继续携手，深化合作。射频硅基氮化镓可为5G和
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意法半导体 硅基氮化镓
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)近日宣布，为世界排名前列的电源模块系统厂商赛米控（Semikron）的eMPack®电动汽车电源模块提供碳化硅(SiC)技术。该供货协议是两家公司为期四年的技术合作开发成果。采用意法半导体先进的 SiC 功率半导体，双方致力于在更紧凑的系统中实现卓越的能效，并在性能方面达到行业标杆。SiC 正迅速成为汽车行业首选的电动汽车牵引驱动的电源技术，有助于提高行驶里程和可靠性。赛米控最近宣布已获得一笔价值 1
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意法半导体 赛米控 电动汽车 碳化硅
在线性模式供电的电子系统中，功率 MOSFET器件被广泛用作压控电阻器，电磁干扰 (EMI) 和系统总体成本是功率MOSFET的优势所在。 在线性模式工作时，MOSFET必须在恶劣工作条件下工作，承受很高的漏极电流(ID)和漏源电压 (VDS)，然后还需处理很高的功率。这些器件必须满足一些技术要求才能提高耐用性，还必须符合热管理限制，才能避免热失控。 意法半导体 (ST) 推出了一款采用先进的 STPOWER STripFET F7制造技术和H2PAK 封装的 100V功率 MOSFE
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意法半导体 功率 MOSFET 耐用性
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 与ST授权合作伙伴亚马逊云科技(Amazon Web Services，简称AWS) 合作开发出一款获得AWS FreeRTOS 认证的基于 TF-M 的物联网设备上云参考设计，让物联网设备轻松、安全地连接到 AWS 云端。AWS 物联网设备总经理 Dave Kranzler表示：“
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意法半导体的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)。首批上市的两款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。两款产品的单位面积导通电阻(RDS(on))都非常低，可以极大程度提高功率密度，并有助于缩减系统尺寸。两款产品的最大导通电阻(RDS(on)max)都处于同类领先水平，STP65N045M9 为 45mΩ，STP60N043DM9 为 43
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意法半导体 MDmesh MOSFET
意法半导体介绍
公司概况
意法半导体是世界最大的半导体公司之一，2006年全年收入98.5亿美元，2007年前半年公司收入46.9亿美元。
公司销售收入在半导体工业五大高速增长市场之间分布均衡（五大市场占2007年销售收入的百分比）：通信（35%），消费（17%），计算机（16%），汽车（16%），工业（16%）。
据最新的工业统计数据，意法半导体是全球第五大半导体厂商，在很多市场居世界领先水平 [
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