封测厂包括京元电子、欣铨科技、硅品精密、力成科技、华东科技和福懋科技等陆续公布10月营收。逻辑IC封测大厂硅品、晶圆测试厂京元电和欣铨科技实绩呈现走跌，同时对第4季景气以持平或下滑看待。而内存封测厂表现较佳，力成、华东和福懋科在DRAM客户产出增加，第4季接单攀升，10月营收较上月成长，法人预料第4季营收将仍可以成长看待。
硅品10月合并营收为新台币50.34亿元，比上月减少3.5%，这是下半年以来连续2个月衰退。硅品董事长林文伯指出，综合国内外芯片大厂第4季看法，普遍认为会下滑，但对照系统厂乐
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封测 内存 逻辑IC
相变化内存原理分析及设计使用技巧, 相变化内存(Phase Change Memory，PCM)是一项全新的内存技术，目前有多家公司在从事该技术的研发活动。这项技术集当今挥发性内存和非挥发性内存两大技术之长，为系统工程师提供极具吸引力的技术特性和功能。工程师
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设计 使用技巧 分析 原理 内存 变化
继Hynix(海力士)和HP(惠普)宣布合作开发新世代内存ReRAM技术和材料，Elpida(尔必达)与Sharp(夏普)亦宣布共同研发ReRAM，让次世代内存技术研发掀起跨领域结盟热潮。内存业者预期，未来ReRAM、3D NAND Flash、PRAM(相变化内存)和MRAM(磁性随机存取内存)等次世代内存，将会有一番激烈竞争。
值得注意的是，海力士与惠普日前才宣布要共同开发ReRAM技术，惠普具有新的极小电子组件(Memory resistors;Memristors)技术，采用十字结构，相
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内存 ReRAM
根据近日发布的数据显示，尽管重要的PC元件已经有很大的成本下降，但是PC的价格仍然是没有多大变化。根据调查公司Context的调研数据来看，从九月开始电脑内存和 硬件产品已经连续三个月下降，今年六月份是价格达到顶峰的时期。 2010年6月一个1024MB DDR3内存的平均样本价是21英镑，但是到了九月份同样的产品已经下降到了17英镑，下降了多达20%。
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元件 内存 PC
目前模拟、内存与PC芯片等市场，似乎处于淡季状态──如果不是真的衰退;那么，半导体产业究竟是正朝向成长速度趋缓、停滞，抑或是又一次恐怖的衰退?对此市场研究机构VLSI Research执行长G.DanHutcheson认为，以上皆非，芯片产业在2010年的热启动之后，将“回归正常”。
也就是说，芯片市场会冷却到某种程度，回到一个更合理的成长周期;但该市场仍有一些值得忧虑的地方──9月份全球芯片销售额数字就是一个警讯，可能预示今年剩下的时间与明年，市场表现会不如预期。&ld
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IC 内存
在6月份成功试产63nm工艺内存颗粒后，茂德本计划将其基于该工艺的晶圆月产能提高到35000片，但是由于新设备的供货受到延误，这一计划只能推迟到2011年了。
茂德称，到十月份时基于63nm工艺的晶圆产能将达到10000片，到年底时预计晶圆产能在20000-25000片。
72nm现在是茂德的主要处理工艺，按照之前计划，他们要在2010年底时将该工艺半数多的产能转化到63nm。茂德12寸晶圆厂现在的月产能在6万片。
受到不断下滑的DRAM颗粒价格下滑的影响，茂德9月份收入环比下降7.
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茂德 内存 63nm
据HKEPC网站报道，市调机构DRAMeXchange指出， 9月份下半DRAM颗粒合约价持续下调， DDR3 1Gb颗粒均价趺破2美元关口， DDR3 2GB模块合约价亦由36美元下调至34美元，跌幅约为5.5% ，而低位更曾经下试33美元新低水平，第三季度DDR3模块合约价下跌约2.3% ，创下至去年年中减产后单季最大跌幅，不仅DDR3内存DDR2合约价亦紧贴DDR3合约价下跌， DDR2 2GB模块合约均价约为33美元水平，跌幅约为6% 。
现货市场方面，由于广州亚运将于11月举办，大陆方
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内存 DRAM
目前模拟、内存与PC芯片等市场，似乎处于淡季状态──如果不是真的衰退;那么，半导体产业究竟是正朝向成长速度趋缓、停滞，抑或是又一次恐怖的衰退?对此市场研究机构VLSI Research执行长G. Dan Hutcheson认为，以上皆非，芯片产业在2010年的热启动之后，将「回归正常」。
也就是说，芯片市场会冷却到某种程度，回到一个更合理的成长周期;但该市场仍有一些值得忧虑的地方──9月份全球芯片销售额数字就是一个警讯，可能预示今年剩下的时间与明年，市场表现会不如预期。「有一个说法“
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半导体 内存
据iSuppli市调公司发布的调查报告显示，内存业界生产DRAM芯片的平均制造成本出现了四年以来的首次正增长，不过据iSuppli公司分析，芯片 制造成本正增长的局面有望在数个季度之内有所缓解。根据统计数据显示，今年第二季度内存芯片的制造成本从上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB，尽管提升的幅度仅有1.2%，但这是四年以来的首次成本正增长，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度则平均仅-9.2%。
据分析，造成内存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的复杂度和技术要求越来越
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芯片 内存 DRAM
DSP芯片TMS320C6712的外部内存自引导功能的实现,TMS320C6000系列与TMS320C54系列的引导方式有很大差别。在开发应用TMS320C6000系列DSP时，许多开发者，尤其是初涉及者对DSP ROM引导的实现有些困难，花费许多时间和精力摸索。笔者结合开发实例，介绍了实现外部存储器
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引导 功能 实现 内存 外部 芯片 TMS320C6712 DSP
据国外媒体报道，市场研究公司iSuppli 15日表示，由于尔必达公司和南亚科技股份有限公司生产费用出现增长，电脑内存芯片的生产成本近4年来首次上升。
美国加州的市场研究公司iSuppli周二的调查报告显示，动态随机存取存储器(DRAM)内存芯片的平均生产成本从第一季度的每G内存2美元上升到了第二季度的2.03美元，而上一次内存芯片制造成本的上升发生在2006年的第三季度。
尔必达公司和南亚科技股份有限公司分别是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示，南亚科技股份有限公司在采用新的
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内存 DRAM
日圆兑美元汇率强势升值，创近15年来新高;台湾存储器业者表示，日圆走势对日系厂商营运势必产生压力，未来将更仰赖台湾合作伙伴。
日本两大半导体厂在全球市场占有举止轻重的影响力，其中尔必达 (Elpida)今年第2季在全球动态随机存取内存 (DRAM)市场占有率为18%，是全球第3大DRAM厂。
东芝(Toshiba)今年第2季在全球储存型闪存(NAND Flash)市场占有率达33.1%，仅次于韩国三星，居全球第2大厂地。
南亚科技副总经理白培霖指出，日圆急遽升值，对日本内存厂尔必达及
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内存 DRAM
据台系内存业者透露，由于PC产品市场需求较为弱势，因此今年9月份内存产品的协议价将继续走低，消息来源并希望年底企业用户更换新电脑产生的市场需求能 够帮助内存产品稳定价格。值得注意的是，在台系内存厂商发出这种悲观的论断之前，三星公司电子芯片部门的首脑人物曾称目前PC销量的持续走低将导致明年第 一季度内存市场出现供过于求的局面。
据消息来源分析，在内存价格下跌的大潮中，PC厂商很有可能会考虑增加自己部分产品的内存容量到4GB水平，不过内存方面的升级将仅限于部分高端型号。另外，欧洲和美国市场对PC机型
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三星电子 内存 芯片
据国外媒体报道，惠普周二宣布与韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)达成合作协议，共同研发下一代内存技术电阻式内存并将其推向市场。
据一份声明显示，两家公司将合作开发新型材料和技术，实现电阻式内存(ReRAM)技术的商业化。海力士将会采用由惠普实验室研发出的新型元件忆阻器(memristor)。忆阻器相比现有的固态存储技术能耗更低，速度更快，而且能在断电时存储数据。惠普今年春季称表示，忆阻器也能够执行逻辑。
ReRAM技术的初衷是成为低功耗Flash的替代品。ReRAM
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海力士 内存 ReRAM
三星电子今天宣布，已经开始在全球范围内首家采用30nm级工艺(30-39nm)批量生产2Gb DDR3内存颗粒。三星称，这种新工艺DDR3内存颗粒在云计算和虚拟化等服务器应用中电压1.35V，频率最高可达1866MHz，而在PC应用中电压为1.5V，皮哦年率最高2133MHz，号称比DDR2内存快3.5倍，相比于50nm级工艺的DDR3也要快1.55倍。
该颗粒属于三星的绿色内存系列，在服务器应用中能比50nm级工艺产品节约最多20%的功耗，在多核心PC系统中30nm级工艺4GB DDR3内存条
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三星电子 内存 30nm
内存 介绍
【内存简介】
在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。
内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等， [
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