技术远比市场重要，中国半导体企业即便占据再高的市场份额，但是如果没有核心技术在手，就很难获得半导体市场话语权!
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半导体 东芝
3 月 29 日是东芝(Toshiba)以 NAND 型快闪存储器(Flash Memory)为主轴的半导体事业第一次招标的截止日，有意参与竞标的企业将会在今日向东芝提交出资金额、出资比重等条件。而日前就传出为了避免东芝半导体技术外流，尤其是流向中国，日本公共资金将携手美国阵营吃下东芝半导体事业，而最新有东芝高层表示，美企是东芝半导体事业的合适买家，不希望卖给美国以外的外资企业。
日本媒体报导，日本经济同友会代表干事、也担任东芝社外董事的小林喜光在 28 日举行的记者会上表示，目前已和东芝进行合
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东芝 WD
东芝已经处于资不抵债的边缘，被迫出售优质大额资产来改善其财务状况，究竟东芝存储业务花落谁家，虽然在近期就可以揭晓。
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东芝 NAND
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出新系列小型封装高压智能功率器件(IPD)，这些产品用于空调、空气净化器和空气泵等各类风扇电机。该新系列包括600V/2.5A “TPD4204F"和500V/2.5A “TPD4206F2"两款产品，产品出货即日启动。 利用东芝最新的MOSFET技术，新系列IPD在新开发的小型表面贴装“SOP30”封装中实现高压和低功率损耗，该封装尺寸仅为20.0mm x 14.2mm。其封装空间仅约为东
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东芝 MOSFET
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出“TB62D787FTG”，该产品为一款新的单线信号输入、24通道输出LED驱动器IC，适用于游乐设备和LED照明应用。样品发货即日启动，量产计划于六月开始。 与东芝9通道输出IC“TB62D786FTG”一样，该新产品集成了单线式曼彻斯特编码接口。还集成了输入最高可达28V的线性稳压电路(5V输出)和用于通信数据的菊链式引脚。因此，3线输入(一根电源线、一根数据线和一根地线)有效提高了该LED驱动器单元的可扩展性。 此外，新增的通信模式支持在6
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东芝 TB62D786FTG
据日本经济新闻周一报道，东芝旗下的美国核业务西屋电气(Westinghouse Electric)最快将于周二申请破产保护，并寻求韩国电力(KEPCO)的支持。
报道称，申请破产保护可能有助于东芝控制因西屋亏损引起的损失。
消息人士周五对路透社表示，东芝已通知其主要关联银行，计划让旗下美国核业务西屋电气在3月31日申请破产，这会使东芝本财年该业务相关费用升至大约1万亿日圆(约合90亿美元)。
报道称，西屋董事会最早将于周二开会，决定是否利用破产法第11章，有可能同日申请破产。报道
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东芝 西屋电气
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET，该产品适用于工业和办公设备。该新“DTMOS V系列”最初将提供12款产品。样品发货即日启动，批量生产发货计划于3月中旬启动。 该新系列拥有与东芝当前的“DTMOS IV系列”相同水平的低导通电阻、高速开关性能，同时，其优化的设计流程使EMI性能提升约3至5dB[1]。而且，降低的单位面积导通电阻(RON x A)性能使新的650v 0.
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东芝 MOSFET
东京—东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出“TCB502HQ”，该产品是一款4声道功率放大器IC，其可检测输出偏移电压，输出偏移电压是导致喇叭烧毁的因素之一。批量生产即日启动。 这款全新IC集成有一个新开发的偏移电压全时检测电路，在放声期间依然可以检测输出偏移电压，从而避免喇叭烧毁。
制造商们不断通过改善汽车音响的音质来设法满足消费者的需求，这款新IC集成有类似于高端高保真音响中采用的电流反馈系统，有助于制造商们满足消费者的需求。这样即可在较宽带宽范
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东芝 TCB502HQ
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出一款无需额外电流检测电阻的双极步进电机驱动器“TB67S508FTG”，其提供40V的高电压和3.0A的电流。样品发货即日启动。 该产品有助于打印机、办公室自动化设备、监控摄像头、ATM等银行终端、验钞机、游乐设备和家用电器等实现小型化，从而实现空间节省和设计改进。作为缩小IC板和减少产品内部热量的一种方式，低功耗也变得日益重要。
新的IC采用了东芝ACDS[1]结构，该结构之前用于单极步进电机驱动器I
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东芝 TB67S508FTG
日刊工业新闻 23 日报导，东芝(Toshiba)半导体事业将分拆出去成立新公司“东芝存储器(Toshiba Memory)”，且东芝计划出售“东芝存储器”过半数股权，而据悉东芝是以“最快 2018 年度让东芝存储器 IPO 上市”为前提进行股权出售手续，以期望借由向着重内部报酬率(IRR)的投资基金出示早期上市的计划，来抬高“东芝存储器”身价、提高出售额。东芝目标是借由出售“东芝存储器&rdq
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东芝 存储器
在日前举办的“2017慕尼黑上海电子展”上，东芝巨型而醒目的展位前人头攒动。不仅如此，东芝还举办了新闻发布会，介绍了近来东芝的改组情况及展会上的新展品。 东芝半导体与存储业务创史上新高 东芝发布会上，东芝电子(中国)公司董事长兼总经理田中基仁介绍称：2016财年(2017年3月)，预计整个东芝营业额超过三千亿日元，成为东芝历史上销售第二高的年份。不过，由于在美国的西屋核电的损失，造成2016年财务资不抵债的风险，下个月，即4月1日，东芝存储器部门将独立出来，成立东芝memory，还是东芝1
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东芝 存储
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向高效电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超级结N沟道功率MOSFET。“DTMOS IV系列”的八款新MOSFET利用超结结构，与东芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可将其单位面积导通电阻(RON x A)降低近79%。 该系列产品改进的高速开关还有助于提高使用该系列产品的芯片组的电源效率。这些MOSFET适用于工业电源，服务器、笔记本电脑适配器和充电器以及移动设备的备用电源以及LED照明灯
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东芝 MOSFET
东芝公司(TOKYO：6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出第二代650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)，该二极管将该公司现有产品所提供的正向浪涌电流(IFSM)提高了约70%。新系列八款碳化硅肖特基势垒二极管出货即日启动。 这些新的碳化硅肖特基势垒二极管采用东芝的第二代碳化硅工艺制造，与第一代产品相比，正向浪涌电流提高了约70%，同时开关损耗指标“RON * Qc” [1]降低了大约30%，这使它们适合应用于高效功率因数校正(PFC)方案中
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东芝 肖特基势垒二极管
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向快速充电器推出支持4.5V逻辑电平驱动的100V N沟道功率MOSFET，以此扩大其低电压N沟道功率MOSFET的产品阵容。“U-MOS VIII-H系列”的两款新MOSFET分别是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”，产品出货即日启动。 随着快速充电器的普及和发展，市场需要更高性能的用于次级侧整流器的功率MOSFET。这些新的MOSFET利用东芝低电压沟槽结构工艺，实现了业界领先的[1]低导通电阻和高速性能。该结
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东芝 MOSFET
日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)存储&电子元器件解决方案公司旗下东芝电子有限公司宣布，将在3月14至16日的慕尼黑上海电子展E4馆4300展位上，以“芯科技 智社会 创未来”为主题，展示东芝针对“Automotive”、“IoT”、“Industrial”和“Memory & Storage”4大应用领域所研发的最新技术、产品和解决方案呈现给迅猛增长的中国ICT市场。 依托领先的芯片技术，构建智能的社会生活，从而开创充满想象力的未
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东芝 ICT
东芝介绍
东芝（TOSHIBA），是日本最大的半导体制造商，亦是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团旗下。
历史
东芝是由两家日本公司于1939年合并成的。
两家公司中第一个成立的是田中制造所，那是日本国内第一家电报设备制造公司；是由田中久重于1875年创立的。在1904年公司更名为芝浦制作所。在20世纪初期，公司以供应日本国内的重型机电制造为主业；在明治维新之后，公司更跃升为世界的工业大厂之一。
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