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​氮化镓 文章 最新资讯

第三代半导体材料氮化镓(GaN)或引发充电革命?

  • 半导体行业在摩尔定律的“魔咒”下已经狂奔了50多年,随着半导体工艺的特征尺寸日益逼近理论极限,摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓。除了进一步发展在摩尔定律下的制造工艺外,寻找硅(Si)以外新一代的半导体材料,也就成了一个重要方向。在这个过程中,氮化镓(GaN)近年来作为一个高频词汇,进入了人们的视野。GaN是一种新型的半导体材料,中文名为氮化镓,英文名称是 Gallium nitride。它是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(Direct Bandgap)的半导体,也是一种宽禁带半导体材料。与碳化硅(
  • 关键字: 半导体材料  氮化镓  充电  

氮化镓“爆红”,康佳全面布局半导体产业

  • 提起康佳这个品牌,相信很多人第一印象都会想到电视机。不过近些年由于市场竞争的家居,康佳电视的风光程度也大不如从前。不过康佳也早有未雨绸缪,从家电行业转进半导体芯片市场的不止格力电器一家,康佳公司这两年也开始布局芯片市场。并且成果渐显,首款存储芯片实现量产引发多方关注。康佳入场芯片领域康佳集团于1992年上市,曾是中国彩电和手机行业的龙头公司,拥有消费多媒体、移动通信、信息网络和相关配套器件等产业板块。2018年5月,康佳宣布由家电企业转型为以科技创新驱动的投资平台,同时成立了半导体科技事业部,正式进军芯片
  • 关键字: 氮化镓  

ST与TSMC携手推动氮化镓使用率

  • 加快先进功率氮化镓解决方案的开发和上市;充分利用意法半导体的汽车市场专业知识和台积电的世界领先的制造技术;改进宽带隙产品的能效,使功率转换应用获得更高能效。
  • 关键字: ST  TSMC  氮化镓  

Power Integrations发布基于氮化镓的InnoSwitch3 AC-DC变换器IC

  • 美国加利福尼亚州圣何塞,2019年7月25日讯– 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布InnoSwitch™3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC的新成员。新IC可在整个负载范围内提供95%的高效率,并且在密闭适配器内不使用散热片的情况下可提供100 W的功率输出。这一突破性的性能提升源自内部开发的高压氮化镓开关技术。准谐振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro I
  • 关键字: Power Integrations  氮化镓  InnoSwitch3 AC-DC变换器IC  

5G时代,砷化镓依旧称王?

  • 5G时代即将来临,有观点认为第二代砷化镓芯片面临被取代的命运,甚至有许多砷化镓厂商宣称早已跨进第三代...
  • 关键字: 科创板  OLED  开源  射频  5G  氮化镓  

国内碳化硅衬底氮化镓材料试制成功,5G芯片国产化再进一步

  • 据业内人士透露,作为芜湖大院大所合作的重点项目,国产化5G通信芯片用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功,打破国外垄断。这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。
  • 关键字: 碳化硅  氮化镓  5G  

碳化硅VS氮化镓,宽禁带半导体材料双雄能否带中国实现弯道超车?

  • 在现实世界中,没有人可以和“半导体”撇清关系。虽然这个概念听上去可能显得有些冰冷,但是你每天用的电脑,手机以及电视等等,都会用到半导体元件。半导体的重要性自不必说,今天我们来说一下半导体产业中一个很关键的组成部分,那就是半导体材料。
  • 关键字: 碳化硅  氮化镓  

半导体发展经历三代变革 推动社会发展

  • 第三代半导体材料技术正在成为抢占下一代信息技术、节能减排及国防安全制高点的最佳途径之一,是战略性新兴产业的重要组成内容。
  • 关键字: 半导体  氮化镓  碳化硅  

英飞凌氮化镓解决方案投入量产

  •   英飞凌科技股份公司携氮化镓(GaN)解决方案CoolGaN™ 600 V增强型HEMT和氮化镓开关管专用驱动IC(GaN EiceDRIVER™ IC),精彩亮相2018年德国慕尼黑电子展。英飞凌展示了其产品的优越性:它们具备更高功率密度,可实现更加小巧、轻便的设计,从而降低系统总成本和运行成本,以及减少资本支出。随着CoolGaN 600 V增强型HEMT和GaN EiceDRIVER栅极驱动IC的推出,目前,英飞凌是市场上唯一一家提供涵盖硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的全系列
  • 关键字: 英飞凌  氮化镓  

用集成驱动器优化GaN性能

  • 将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。
  • 关键字: 氮化镓  TI  集成驱动器  

让我们一起实现氮化镓的可靠运行

  • 我经常感到奇怪,我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟,大潮之下,没人能独善其身。每年,我们都看到市场
  • 关键字: 氮化镓  可靠运行  

碳化硅/氮化镓组件进入商品化 电力电子产业迎来大革命

  • LinkedIn随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上,电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。 这些新组件虽然
  • 关键字: 碳化硅  氮化镓  

氮化镓(GaN)技术推动电源管理不断革新

  •   Ahmad Bahai,德州仪器(TI)公司首席技术官  我们可以想象一下:当你驾驶着电动汽车行驶在马路上,电动车充电设备的充电效率可以达到你目前所用充电效率的两倍;仅有一半大小的电机驱动比目前应用的效率更高;笔记本电脑电源适配器小到可以放进口袋。  电子设备的未来取决于电源管理创新。  或者设想一下:每个简单的互联网搜索查询使用的电力足以灼烧一个60瓦灯泡约17秒。现在乘上每天发生的数十亿次的查询,便可以获得数十亿千瓦时的能耗。  更有效地管理能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(G
  • 关键字: 氮化镓  德州仪器  

英飞凌:功率半导体技术进步为电路创新提供契机

  • 近年来,由于节能环保的概念日益深化,在资源有限的现实环境下,各国政府以及相关机构也相应制定出法律法规,积极发展绿色能源。像太阳能、电动车,以及充电站等配套设备,需要依靠高效率的电源转换器,才能使设备发挥出最佳性能。
  • 关键字: 英飞凌,电源转换器技术,氮化镓  

氮化镓的卓越表现:推动主流射频应用实现规模化、供应安全和快速应对能力

  •   数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。  与LDMOS相比,硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70%的功率效率,将每单位面积的功率提高4到6倍,并且可扩展至高频率。同时,综合测试数据已证实,硅基氮化镓符合严格的可靠性要求,其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。  硅基氮化镓成为射频半导体
  • 关键字: 氮化镓  LDMOS  
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​氮化镓介绍

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