- 受到三星AMOLED屏幕短缺的影响，HTC已经将Desire和在韩国发售的Google Nexus One两款手机的屏幕更换成了由索尼公司生产的Super LCD材质显示屏，但是这并没有给AMOLED屏幕的紧缺带来缓解，反而缺货问题越发严重，现在已经影响到了HTC的另一款手机Legend.
作为HTC hero的升级产品，Legend手机采用了一体式工艺设计，同时手机内置了由三星公司出产的AMOLED材质屏幕。Legend手机在上市后受到了不同国家用户的欢迎，但是由于AMOLED屏幕的影响，加拿
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三星 AMOLED LCD
- 三星今天公布了型号为470的SSD产品系列，它们分为64/128/256GB三个版本售价分别为199、399和699美元。这种SSD采用30nm MLC闪存打造，内置双控制器，支持TRIM，采用3Gbps的SATA接口连接，写入和读取速度分别为250和220MB/s，随机读取写入性能为21000IOps和21000IOps，不过64GB版本的性能要稍低，写入速度仅有170MB/s，随机写入性能为11000IOps。
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三星 30nm TRIM
- 韩国供应LED蓝宝石晶棒主要厂商现仅2家，包括STC与Astek，其中，STC自2000年起供应蓝宝石晶棒;Astek则自2009年底起才供应，故于韩国蓝宝石晶棒市场地位尚不及STC。
全球蓝宝石晶棒市场现由美商Rubicon、俄罗斯厂Monocrystal等业者所主导，然因三星LED (Samsung LED)、LG Innotek等韩国LED厂大举扩产，其对LED蓝宝石晶棒需求增加，促使近期STC与Astek展开扩产计划，不仅如此，Iljin Display、Crystal On等LED蓝宝
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三星 LED
- 存储厂商希捷和三星今天宣布，已经签署了一份交叉授权协议，用于整合技术力量共同开发快闪记忆体产品。
根据协议，两家公司将联合开发固态硬盘，互相利用对方的技术和其他知识产权，三星目前是市场上较大的快闪记忆体提供商之一，双方的合作将带来SSD企业级应用和节能服务器业务的拓展。
三星和希捷表示，他们将利用三星最新的30nm MLC NAND技术提高企业级SSD的可靠性和耐久性，并减少成本，提高性能，并配合希捷成熟的企业固态硬件控制器完成一个解决方案。
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三星 存储
- 三星最新提交的一项美国专利在传统的触摸屏上添加了在屏幕背面感知触摸的功能，用户无需触摸屏幕，只要在机身后面触动就可以操作屏幕，还允许屏幕正反两面同时操作。这项新专利不同于Moto Backflip，后者只是允许实体的全键盘完全翻到屏幕后面，用户可以在盯着前面屏幕的同时按动后面的键盘来定位，但那种操作无疑很是怪异。
尽管三星马上就要推出自己的平板电脑，但仍不清楚这个专利所显示的双面操控的触屏平板何时能够投入生产。不过，假如这种平板沿用And
roid系统的话，三星需要定制这一系统以创造从后面
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三星 触摸屏
- 市场调研公司集邦科技今天发布了二季度全球内存市场统计报告。受到期货价格稳定和出货量小幅增长的利好影响，该季度全球DRAM收入环比上涨15.2%到107亿美元。虽然1Gb DDR3的现货价格环比下降了3%，但是2GB DDR3内存的期货价格却环比上涨了10%;受到1Gb DDR2价格进一步下滑的影响，DDR2内存该季度的出货量大幅度降低。
二季度全球DRAM出货量环比增长10%，但所用晶圆出货量增长率只有3.8%。集邦科技分析称，芯片供应商都将重点放在了制程工艺的升级，而非产能提升上面。
三
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三星 DRAM
- 三星和东芝公司已经宣布了一个合作计划，旨在制定新规范推动NAND快闪记忆体的传输速率，具体来说，两家公司致力于发展DDR 2.0 NAND型快闪记忆体和400MB/s的接口技术，这比目前版本的NAND闪存接口技术快了十倍，这项技术将于英特尔、镁光和SanDisk共同开发的ONFI接口进行直接竞争，主要面向高性能产品例如SSD以及智能手机和消费电子产品。
三星和东芝公司目前供应NAND快闪记忆体市场70%的货源，因此它们在行业内具有相当大的话语权，这对他们的新规范计划将非常有利。
三星上个月
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三星 NAND 30nm
- 三星和东芝今天共同宣布，双方将协力支持新一代高性能NAND闪存技术：拥有400Mbps接口的DDR NAND闪存，即toggle DDR 2.0规范。两家公司将支持这一规范成为行业标准，被业界广泛接受使用。
最初的SDR NAND闪存架构接口速度仅为40Mbps，现行的DDR 1.0标准将接口带宽提高到了133Mbps。三星和东芝推动的toggle DDR 2.0规范则进一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND闪存的10倍。
高速闪存接口的优势不言而喻，未来将
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三星 NAND 东芝
- 闪存业两大巨头三星公司与东芝公司近日宣布将支持并参与第二代DDR NAND闪存标准规范的制订工作，这种新一代闪存标准规范的接口数据传输率将高达400Mbit/s。不过两家公司并没有透露他们什么时候会完成该标准规 范的制定工作，另外也没有说明新一代闪存规范使用的闪存芯片存储密度参数。DDR2.0 NAND闪存推出后将主要面向移动和消费级电子类应用。
现有的DDR1.0版本NAND闪存接口规范只是将DDR数据传输接口与传统的单倍数据传输率NAND单元结合在一起使用，接口数据传输率仅133Mbit/s
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三星 NAND
- 今年早些时候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3内存芯片的开发工作，而最近他们则宣布这款芯片产品已经进入批量生产阶段。这款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V电压条件下工作在1866MHz数据传输率下，加压到1.5V之后数据传输率则可提升至2133MHz，适用于 台式机，笔记本，服务器，上网本，移动设备的各种应用。
三星表示目前他们正在开发4Gb密度的30nm制程DDR3内存芯片产品，预计这款产品今年才会投入使用。
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三星 30nm DDR3
- 韩国面板双雄三星、LGD对于次世代面板厂登陆态度越来越积极，友达7日由董事长李焜耀带队拜访“行政院”长吴敦义。李焜耀说，台湾面板登陆案攸关整体竞争力，需要政府大力帮忙!吴敦义则要求友达信守在台投资新世代产线的承诺，并了解相关进度。工业局及投审会表示，如果友达补件没有问题，会依照程序加速审查。
由于台湾面板厂的登陆案目前仍在台湾审查阶段，进度显得有点缓慢，外传韩国厂商(三星在苏州规划7.5代厂、LGD在广州规划8.5代厂)态度越来越积极，三星甚至准备将面板与DRAM或是LE
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三星 面板 LED
- 三星电子周三将公布第二季获利预估。路透社调查显示，由于内存芯片营收创新高，三星第二季营业净利估为4.8兆韩元(40亿美元)，超越第一季的 4.4兆韩元、较去年同期的2.67兆韩元则成长近二倍，同时将再创历史新高，营收则达38.4兆韩元。内存芯片贡献三星一半的营业净利。
电视制造厂看好世界杯足球赛事将带动LCD电视需求，三星的面板订单、营收仍然强劲。三星较为弱势的手机事业部，则因新智能型手机上市日程延后及手机营收疲软，再次受到打击。
三星是全球最大内存芯片供货商，其内存芯片事业虽明显受惠于全
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三星 内存芯片
- 台湾媒体报道，受到三星46nm制程工艺DRAM芯片良率提高的利好消息影响，DRAM内存芯片的期货价格有望在7、8月份持续下跌。业界消息称，三星目前向PC厂商供应的2GB DDR3价格已经从先前的45美元下降到了40美元。
消息称，随着三星46nm DRAM良率的大幅提高，三星DRAM芯片成本优势也得以体现。据称三星目前已经向好几家PC厂商提供了优惠内存芯片价格套装，从而使得外界认为DRAM 内存价格有望在7、8月份持续下滑。
根据市场调研公司DRAMeXchange的报告，六月份下半个月的
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三星 46nm DRAM
- 据韩国运营商KT电信透露，由于最近三星产AMOLED显示屏出现了供货紧缺的现象，HTC手机将把大部分机型所用的显示面板从AMOLED改成 Super TFT LCD面板，受到影响的机型将包括Desire, Droid Incredible以及Nexus One三款主力机型。其中Nexuus One机型受此影响还将把上市日期推后一个月到7月份。
预计这次AMOLED危机不仅将影响到HTC，而且对所有的Android机型都会造成比较严重的影响。而作为Android手机最大的生产厂商HTC，其在美国和
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三星 AMOLED TFT-LCD
- 三星电子旗下移动显示屏合资企业三星移动显示屏公司星期二宣布称，它已经开始建设一条21亿美元的有机显示屏生产线，从2011年7月开始投产。
三 星电子上个月称，它将投资 25万亿韩元(21.3亿美元)建设一条新的AM-OLED(有源矩阵有机发光二极管显示屏)显示屏生产线。这种下一代显示屏将有生动的颜色。
OLED显示屏使用有机化合物，不需要背光就能产生清晰的图像，从而使这种显示屏比LCD显示屏更薄和更节能。
虽然索尼OLED电视机的试验没有为人们所接受，但是，三星电子正在努力推动这种价
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