- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A、42V 输入同步降压型开关稳压器 LT8640。该器件采用独特的 Silent Switcher® 架构，整合了扩展频谱调制，即使开关频率超过 2MHz 时，依然能够将 EMI / EMC 辐射降低超过 25dB，从而使该器件能够轻松地满足汽车 CISPR25 Class 5 峰值限制要求。同步整流在开关频率为 2MHz 时可提供高达 95% 的效率。其 3.4V 至 42V 输入电压范围使该器件非常适合
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凌力尔特 LT8640 MOSFET
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解决方案，并展示在评估电路板 DC2150A 上。MIL-STD-1275D 是美国国防部制定的标准，规定了地面军用车辆所用 28V DC 电源的稳态和瞬态电压特性。当面对 MIL-STD-1275D 中严格规定的浪涌、尖峰和纹波波形时，DC2150A 可将输出电压限制到安全的 44V。就大多数应用而言，要满足该标准就是简单地将 DC2150A 电路放置到容限为 44V
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凌力尔特 DC2150A MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件，包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET具有极低的导通电阻，可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高栅极驱动从12 Vgs起，非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD
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IR MOSFET IRL6297SD
- 意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的最新超结 (super-junction) 功率MOSFET满足家电、低能源照明系统以及太阳能微逆变器厂商对电源能效的要求，同时提供更高可靠性的最新且满足高功率密度的封装。
MDmesh M2系列产品拥有最新最先进的超结晶体管技术，取得了比上一代产品更低的导通电阻 (RDS(ON))，以及更低的栅电荷量 (QGD) 和输入/输出电容 (Ciss/Coss)。此外，这些产品更进一步降低了能耗和热耗散 (heat dissipation)
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意法半导体 MOSFET PowerFLAT
- 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)庆祝罗塞塔号彗星探测器(Rosetta)及其菲莱号登陆器(Philae)成功登陆彗星。罗塞塔号和菲莱号内有10,000余颗意法半导体研制的高可靠性抗辐射芯片。
在历经10多年，长达60亿公里的漫长太空之旅后，罗塞塔号彗星探测器终于抵达并成功释放菲莱号登陆器登上67P/楚留莫夫-格拉希门克(67P Churyumov-Gerasimenko)彗星，菲莱号登陆器将完成拍摄彗星表面的图片，并分析彗星
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意法半导体 MOSFET
- 摘要：本系统实现输入直流电压15V，输出交流电压有效值10V，额定功率10W，交流电压频率在20至100Hz可步进调整。以MSP430单片机为控制核心，产生SPWM波控制全桥电路，然后经过LC滤波电路得到失真度小于0.5%的正弦波。采用PID算法反馈控制使输出交流电压负载调整率低于1%，采用开关电源作为辅助电源、合理选用MOSFET等使系统效率达到90%，采用输入电流前馈法来估计输出电流以实现过流保护以及自恢复功能。
引言
本次竞赛为全封闭式，不准利用网上资源，要求参赛队在两天时间内完成题
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正弦波 MSP430 单片机 SPWM MOSFET 201412
- 引言
在照明技术中，电子节能灯已经日益成为人们的首选，因为其应用范围广，节能环保性能好，是政府和企业节能减排的重要举措之一。在近几年中，我国为了推广电子节能灯的应用，采取了财政补贴政策，就像家电下乡一样，惠及全国百姓和消费者。
所谓电子节能灯，主要是指采用电子镇流器的紧凑型荧光灯(CFL)。镇流器和节能灯是一体化的，安装和更换像白炽灯灯泡一样方便。电子节能灯对镇流器的基本要求是：电路尽可能简单，元件数量少，成本低，性能稳定，安全可靠，使用寿命长。本文以飞兆半导体推出的FAN7710V新型镇
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FAN7710V 电子镇流器 MOSFET
- 大功率宽频带线性射频放大器模块广泛应用于电子对抗、雷达、探测等重要的通讯系统中，其宽频带、大功率的产生技术是无线电子通讯系统中的一项非常关键的技术。随着现代无线通讯技术的发展，宽频带大功率技术、宽频带跳频、扩频技术对固态线性功率放大器设计提出了更高的要求，即射频功率放大器频率宽带化、输出功率更大化、整体设备模块化。
通常情况下，在HF~VHF频段设计的宽带射频功放，采用场效应管(FET)设计要比使用常规功率晶体管设计方便简单，正是基于场效应管输入阻抗比较高，且输入阻抗相对频率的变化不会有太大的偏
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功率放大器 MOSFET
- 1、 概述
2、 基本同步整流电路
如图1所示电路，其副边为基本同步整流电路，关键波形见图2。当原边主开关管Q1开通时，通过变压器T1向副边传输能量，副边工作在整流状态，此时SR1的Vgs电压为变压器副边绕组电压，极性为正，SR2的Vgs电压为零，因而SR1导通，SR2关断;当原边主开关管Q1关断时，变压器T1原边绕组的励磁电流和负载电流流经C1，C1上的电压开始上升，当C1电压升至Vin时，原边绕组中的负载电流下降为0，在励磁电流的作用下原边励磁电感Lm与电容
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DC-DC 整流 MOSFET
- MOSFET是一个时代产物,随着MOSFET技术的进展，特别是大电流、小封装、低功耗的单芯片MOSFET出现，它的开关速度快/输入阻抗大/热稳定性好等等优点,已经成为工程师们的首选。
在EEPW论坛呆久了，看了好多网友问起MOS管的事情，有很多童靴对MOS管的使用不是很熟悉，今天有空给大家说几个关于MOSFET的技巧的几个实用技巧的事情。
为了把问题说的明白些，还是有必要把MOS管的身世先介绍一下。
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道
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MOSFET MOS
- 英飞凌科技股份有限公司 今日宣布，基于ARM®内核的嵌入式功率系列桥式驱动器提供无以伦比的集成水平，以应对智能电机控制在广泛的汽车应用中日益增长的趋势。英飞凌利用ARM® Cortex™-M3处理器以及非易失存储器、模拟和混合信号外设、通信接口连同 MOSFET 栅极驱动器，将高性能微控制器集成到单芯片上，可谓业内首创。因此，英飞凌嵌入式功率系列为通常与16 位相关的应用空间实现了 32 位的性能。目前提供的嵌入式功率系列第一批产品的样品适用于采用三相(无刷直流)电机的TL
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英飞凌 ARM MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出75V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护、热插拔及开关电源 (SMPS) 二次侧同步整流等应用。
全新75V StrongIRFET功率MOSFET系列配备可提升低频率应用性能的超低导通电阻 (RDS(on))、极高的载流能力、软体二极管，以及有助于提高抗噪性的3
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国际整流器 MOSFET IRFS7730-7P
- 近日，LED驱动电路设计方面的资深达人DougBailey总结了设计工作中需要注意的问题和亲身设计心得，为大家分享总结如下：
一、不要使用双极型功率器件
DougBailey指出由于双极型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一个，所以一些设计师为了降低LED驱动成本而使用双极型功率器件，这样会严重影响电路的可靠性，因为随着LED驱动电路板温度的提升，双极型器件的有效工作范围会迅速缩小，这样会导致器件在温度上升时故障从而影响LED灯具的可靠性，正确的做法是要选用MOSFET器件，MO
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LED MOSFET PFC
- (「华虹」或「公司」，连同其附属公司，统称「集团」) 拥有业界一流的的沟槽型600V-700V Super Junction (超级结结构) MOSFET (SJNFET) 工艺平台，可为日益增长的移动终端、4G网络、云计算和LED照明等热点应用，提供更低功耗，更高效率，更小尺寸的绿色芯制造平台。
随着移动互联网、绿色能源技术的发展，以及全球节能减排的趋势，产品应用对电源系统提出更高的效率要求。作为开关电源，充电器/适配器，不间断电源和LED驱动等电源系统整流的核心器件，功率半导体是降低功耗、提
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华虹 Super Junction MOSFET
- 铅酸电池具有安全、便宜、易维护的特点，因此目前仍然广泛的应用于电动自行车。但是铅酸电池污染大、笨重、循环次数少，随着世界各国对环保要求越来越高，铅酸电池的使用会越来越受到限制。磷酸铁锂电池作为一种新型的环保电池，开始逐步的应用到电动车中，并且将成为发展趋势。通常，由于磷酸铁锂电池的特性，在应用中需要对其充放电过程进行保护，以免过充过放或过热，以保证电池安全的工作。短路保护是放电过程中一种极端恶劣的工作条件，本文将介绍功率MOSFET在这种工作状态的特点，以及如何选取功率MOSFET型号和设计合适的驱动
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MOSFET 锂电池 MOSFET
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