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电子材料出现融合趋势,协作和多样化日趋重要

作者: 时间:2009-10-20 来源:半导体国际 收藏

 

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/99081.htm

  图1. SAFC材料发展规划线路图。

  对开发的定期监督非常重要,它可确保材料供应商与当前及未来的行业需求保持步调一致。 对于介入点的选择和时机,以及需求量,会受到许多可变因素的影响,我们经常分析外部指导方针,例如 ITRS 路线图、设备开发的趋势和经济情况、并结合与客户合作的经验对我们自身的研发计划进行评估。 这样,我们就能与半导体行业的材料要求保持同步,并在行业要求发生改变时,重新制定我们的材料发展规划。

  展望未来,除了其它趋势以外,业内会继续关注栅极应用的下一代 high-K 技术和电容器应用的 high-K 和 ultra high-K 介电技术,并继续开发用于 DRAM 的金属栅极和新型电极材料以及用于铜阻挡层和铜晶种的材料。 我们积极参与了用于相变存储器 (PCM) 应用的材料的开发,现在正在对它们进行更加细致的评估,因为 PCM 很快就成为替代 NAND 闪存不二选择。作为一家公司,SAFC Hitech 在开发用于高容量 PCM 应用的锗锑碲 (GST) 先驱体上已经取得了重大进展。 PCM 是一种非易失性计算机存储器,它实现了最大特征尺寸的进一步扩展,超过传统的闪存可能达到的极限,从而提供更大的存储容量和卓越的存储性能。



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