三星推出80nm制程移动存储器 二季度量产

  
据DigiTimes网站报道，韩国媒体Digital Daily与美国媒体Forbes报导，三星电子（Samsung Electronics）继2006年8月将80nm制程的1Gb DDR 2标准型DRAM进入量产阶段后，27日又发表了针对手机与移动设备推出的80nm制程DDR存储器芯片，容量为1Gb，厚度较前代产品薄20％，耗电量减少30％。三星预计将在2007年第二季量产该产品，并预计届时市场上对1Gb容量的手机存储器芯片需求量将大幅增加。

三星表示，这款新产品将会使用在较高端的移动应用场合，除了手机外，数码相机、便携式多媒体播放器、掌上型游戏机等产品也能够搭载80nm制程的存储器芯片。三星的作法能够加大手持装置存储器容量，进而再推出单一封装高容量的1.5Gb、2Gb产品，并借助自动温度检测机制，调整耗电量以提高移动设备的电力续航时间。

近来针对更高端制程存储器技术发展的消息甚多，日厂尔比达（Elpida）就直接跳过80nm制程，在2007年第一季先推70nm制程的DDR 2标准型DRAM芯片，之后也要推出针对手机、服务器平台的70nm制程芯片。而另1家韩国厂商海力士（Hynix）则是着手66nm制程的开发，不过尚未有确切的量产时间。