一种采用CMOS 0.18μm制造的带EBG结构小型化的片上天线

图8为本次设计天线测试所得的S11，从图中可以看出，该天线工作的中心频点为17 GHz，与图5所示有所偏差，同时-10 dB的阻抗带宽也较图5所示有极大的提高。这是由于CMOS工艺的工艺容差造成的，特别是硅衬底的电阻率，当其电阻率从降低到，设计所得的天线的工作频点将降低，同时带宽将会有很大提高，这主要是由于硅衬底电阻率降低带来更大的衬底损耗以及衬底等效电阻电容的变化。

图9为在不同距离d的条件下测试所得的S21，从图中可以看出，随着距离的增加，其S21下降。同时，在天线的工作频点附近，其S21出现了一个谷底，这是由于EBG结构的存在，降低了天线的辐射效率。

3结束语

本文采用TSMC 0.18μm设计制造了一种带EBG结构的小型化片上天线。一种一维的EBG结构加载到了一根1.6 mm长的片上偶极子天线，该结构具有调节天线谐振频率以及谐波抑制功能。仿真结果表明，本设计的天线在60 GHz具有三次谐波抑制的功能。而测试结果与仿真结果一致表明，EBG结构对天线的加载极大的缩短了天线的尺寸。该片上天线可用于无线互连或者WCAN系统中。