免除蓝宝石衬底垂直设计提升LED的性能
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我们所制作的VLEDMS结构显示在图3，该LED芯片的面积仅1mm2，拥有蓝光、绿光和紫外三种颜色。通过使用外延沉积技术——我们正在申请中的专利技术——这些LED沿着一个新的结构生长在蓝宝石衬底上，该结构能够使蓝宝石剥离。当LED在金属合金衬底上成形之后，n-GaN表面就形成图案来减小由于全内反射造成的损失。
图3.（边）SemiLEDs的垂直结构LED包含一个直接沉积在金属合金衬底上的镜子、0.2μm厚的p-GaN/p-AlGaN层，一个InGaN/GaN多层量子阱激活区以及一个4μm厚的n-GaN层。
相比于传统的LED，VLEDMS拥有非常好的电流-电压（I-V）特性，即在350mA的驱动电流下，正向电压将产生一个0.2伏的衰减。由于采用了垂直电流路径以及具备了更大
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