新闻中心

EEPW首页 > 模拟技术 > 设计应用 > 低压CMOS满幅度恒定增益运算放大器设计

低压CMOS满幅度恒定增益运算放大器设计

——
作者: 时间:2007-01-26 来源:《现代电子技术》 收藏

1 引言

随着便携式消费电子需求的日益增长,低压、低功耗设计已经成为集成电路设计的研究热点之一。趋势表明[1],电压的降低给模拟电路设计带来很大挑战。就低压运放设计而言,一般传统采用互补差分对输入级以实现满幅度输入范围,然而,当电压低于vt.nmos+|vt.pmos|+vds,pmos-|vds,pmos|时,差分对会出现截止区,导致最小电压要高于2个阈值电压与2个过饱和电压之和。0.35μm工艺下vt,nmos的典型值为0.52v,vt,pmos的典型值为-0.75v,则传统结构的最小工作电压只能在1.4v左右。为了避免采用复杂工艺实现电压低于1v的运算放大器而增加产品成本。见文献[2-4]的电路结构采用共模电平偏移的电路结构,箝位共模电平,在标准cmos工艺下简单地实现了低电压运算放大器。

已有文献[2]采用pmos差分对来实现电源电压为1v的运算放大器,但由于vt,pmos的典型值为-0.75v,使得前置反馈电路的工作电平范围为1-0.15v,几乎涵盖整个共模电平范围,运算放大器的稳定性降低,另外,该结构下的折叠式共源共栅结构也会受体效应的影响,影响增益的恒定性。本文采用nmos差分对结构,还对前置反馈电平偏移电路进行相应的改进,使电源电压降为0.9v的同时,提高了增益的恒定性。

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/21355.htm

2 设计的基本思路

基于前置反馈的电平偏移电路的设计如图1,vi+,vi-的共模电平vi,cm低于vref时,通过反馈电路控制电流源获得适当的电流i,vin+,vin-的共模电平vin,cm提升到vref,同时电阻传递完整的差模信号,再由vin+,vin-连接nmos差分对来实现整体电路,如图1所示。


3 运算放大器的具体实现

反馈电路的实现如图2所示,其反馈过程如下:vi+,vi-的共模电平vi,cm降低时,vin+,vin-的共模电vin,cm降低,此时idm1减小,idm11增大,vx点的电位升高,idm8增大,电阻的端电压增大,vin,cm升高。若vref过高,由于ib的大小和电流镜工作电压的限制,vin,cm不会上升到vtel的电平。为了m5与m6,m7的漏源电压近似相等,引入m12增强电流镜的匹配。

下面对反馈环路的稳定性进行分析,运放a的开环增益为:


由式(5)可以看出,电路工作时,需要保持m8漏源电压较小,则宽长较大,在相同的漏源电流下,gm8不可能很小。所以在电路设计时,运放a的跨导gm1应该可能小,补偿电容c应该较大,同时在版图设计中应该注意减小寄生电容cp,以增强反馈的稳定性。

采用nmos差分对的低压运算放大器,结构如图3所示,其两级直流增益可以分别为:

av1=gmt1[rot8//gmt6rot6+1]rot4] (6)

av2=gmt9(rot9//rot10) (7)

其中,gmt1,gmt6,gmt9分别为mt1,mt6,mt9的跨导,rot4,rot6,rot9,rot10分别为对应mos管的输出电阻。

在设计电路过程中,mos管应较大宽长比,保持漏源电压较小的同时,偏置电流也应适当减小,此时输出电阻较大,随共模电平波动也小,有助于低压下获得较大且稳定的增益。

4 模拟结果

在0.9v电源电压下,为使m3,m4工作在放大区,vret可在0.62-1v之间取任意值,图4结果显示,在0-0.9v的共模电平范围内,当输入端共模电平vi,cm<0.62v时,此时反馈电路使得m1,m2工作在放大区,内部共模电平vin,cm保持0.62v恒定;vi,cm>0.62v时,vx电位降低,反馈电路停止工作,vin,cm随vi,cm增大而增大。

在10pf外接负载情况下,交流特性如图5所示。

在满幅度范围内,运算放大器的滞留增益,单位增益带宽和相位裕度相当稳定,具体参数如表1所示。
5 结论

本文基于标准cmos工艺,设计了电源电压低至0.9v的运算放大器。模拟结果显示,在整个满幅度范围内,该运算放大器增益波动仅为0.01%,可用于低压低功耗的 soc设计中。



关键词: 模拟IC 电源

评论


相关推荐

技术专区

关闭