LDMOS结构/优点

运作面：

　　绝佳的稳定性，由于负汲极电流温度常数，所以不受热散失的影响

　　比双载子更能忍受较高的负载未匹配现象 (VSWR)，提高现场实际应用的可靠度

　　卓越的射频稳定度，在闸极与汲极间内置隔离层，可以降低回授电容

　　在平均无故障时间 (MTTF) 上有相当好的可靠度

　　LDMOS 的优势

　　技术面：

　　卓越的效率，可降低功率消耗与冷却成本

　　卓越的线性度，可将信号预校正需求降到最低

　　优化超低热阻抗，可缩减放大器尺寸与冷却需求并改善可靠度

　　卓越的尖峰功率能力，可带来最少数据错误率的高 3G 数据率

　　高功率密度，使用较少的晶体管封装

　　超低感抗、回授电容与串流闸阻抗，目前可让 LDMOS 晶体管在双载子器件上提供 7 bB 的增益改善

　　直接源极接地，提升功率增益并免除 BeO 或 AIN 隔离物质的需求

　　在 GHz 频率下拥有高功率增益，带来更少设计步骤、更简易更具成本效益的设计 (采用低成本、低功率驱动晶体管)